튜브 매개변수

바이폴라 접합 트랜지스터의 경우 증폭의 기본 측정값은 컬렉터 전류 대 베이스 전류의 비율로 정의되는 베타 비율(β)입니다(I_C /나_B ). 일부 증폭기 회로에서 성능에 β만큼 영향을 미칠 수 있는 접합 저항과 같은 다른 트랜지스터 특성은 회로 분석의 이점을 위해 정량화됩니다. 전자관도 다르지 않습니다. 전자관의 성능 특성은 오래전에 전기 엔지니어에 의해 탐구되고 정량화되었습니다.

이러한 특성에 대해 의미 있게 말하기 전에 일반적인 전압, 전류 및 저항 측정과 더 복잡한 수량을 표현하는 데 사용되는 몇 가지 수학적 변수를 정의해야 합니다.

증폭관의 특성을 측정하는 가장 기본적인 두 가지 척도는 증폭 계수(μ)와 상호 전도율(g_m ), 트랜스컨덕턴스라고도 함 . 여기에서 트랜스컨덕턴스는 전압 제어 장치의 또 다른 범주인 전계 효과 트랜지스터의 경우와 동일하게 정의됩니다. 다음은 이러한 각 성능 특성을 정의하는 두 가지 방정식입니다.

더 추상적이기는 하지만 튜브 성능의 또 다른 중요한 척도는 플레이트 저항입니다. . 이것은 일정한 계통 전압 값에 대한 판 전류 변화에 대한 판 전압 변화의 측정입니다. 다시 말해, 이것은 옴 모드에서 JFET의 작동과 유사하게 주어진 그리드 전압 양에 대해 튜브가 얼마나 저항기처럼 작동하는지에 대한 표현입니다.

예리한 독자는 증폭 계수를 트랜스컨덕턴스로 나누어 플레이트 저항을 결정할 수 있음을 알 수 있습니다.

튜브의 이 세 가지 성능 측정은 튜브마다 변경될 수 있으며(두 개의 "동일한" 바이폴라 트랜지스터 간의 β 비율이 정확히 동일하지 않은 것처럼) 다른 작동 조건 간에도 변경될 수 있습니다. 이 변동성은 부분적으로 전자관의 피할 수 없는 비선형성으로 인한 것이고 부분적으로는 전자관이 정의되는 방식 때문입니다. 완벽하게 선형인 튜브가 있다고 가정하더라도 이 세 가지 측정이 모두 허용 가능한 작동 범위에서 일정하다는 것은 불가능합니다. 완벽한 튜브를 고려하십시오. 주어진 그리드 전압 양에서 전류를 조절합니다(절대적으로 일정한 β를 갖는 바이폴라 트랜지스터와 같이):해당 튜브의 플레이트 저항은 반드시 판 전압은 변하더라도 판 전류는 변하지 않기 때문에 판 전압에 따라 변합니다.

그럼에도 불구하고, 튜브는 주어진 작동 조건에서 이러한 값으로 등급이 매겨졌으며 트랜지스터처럼 게시된 특성 곡선을 가질 수 있습니다.