Renesas:smallsats용 플라스틱 패키지, 내방사선성 PWM 컨트롤러 및 GaN FET 드라이버

Renesas Electronics는 소형 위성(smallsats) 및 발사체의 DC/DC 전원 공급 장치를 위한 우주 산업 최초의 플라스틱 패키지, 방사선 내성 PWM 컨트롤러 및 질화갈륨 FET 드라이버를 발표했습니다. ISL71043M 단일 종단 전류 모드 PWM 컨트롤러 및 ISL71040M 로우 사이드 GaN FET 드라이버는 절연 플라이백 및 하프 브리지 전력 스테이지와 위성 버스 및 페이로드의 모터 제어 드라이버 회로에 이상적입니다. 민간 '새로운 우주' 회사는 여러 개의 저궤도(LEO) 비행기에서 작동하는 대형 별자리를 형성하기 위해 소형위성을 발사하기 시작했습니다. Smallsat 메가 별자리는 글로벌 광대역 인터넷 링크를 제공할 뿐만 아니라 바다, 공기 및 육지 자산 추적을 위한 고해상도 지구 관측 영상을 제공합니다.

ISL71043M PWM 컨트롤러는 소형 4mm x 5mm SOIC 플라스틱 패키지로 빠른 신호 전파 및 출력 스위칭을 제공하여 경쟁 세라믹 패키지에 비해 PCB 면적을 최대 3배까지 줄입니다. 또한 ISL71043의 최대 5.5mA 공급 전류는 전력 손실을 3배 이상 줄이고 최대 1MHz의 조정 가능한 작동 주파수를 통해 효율성을 높이고 더 작은 수동 필터 부품을 사용할 수 있습니다. ISL71043M 및 ISL71040M은 최대 30krads(Si)의 총 이온화 도즈(TID) 및 43MeV•cm2/mg의 선형 에너지 전달(LET)에서 단일 이벤트 효과(SEE)에 대해 특성화 테스트를 거쳤습니다. 두 장치 모두 -55~+125°C의 확장된 온도 범위에서 작동합니다.

ISL71040M 로우사이드 GaN FET 드라이버는 절연 토폴로지 및 부스트 유형 구성에서 Renesas의 rad-hard GaN FET를 안전하게 구동합니다. ISL71040M은 4.5V ~ 13.2V의 공급 전압, 4.5V의 게이트 구동 전압(VDRV)으로 작동하며 반전 및 비반전 입력을 모두 포함합니다. 장치의 분할 출력은 켜기 및 끄기 속도를 조정하고 고전류 소스 및 싱크 기능은 고주파수 작동을 가능하게 합니다. ISL71040M은 온도 및 복사에 대해 게이트 드라이버 전압을 +3/-5%로 정밀하게 제어하여 GaN FET를 구동할 때 안정적인 작동을 보장합니다. 또한 의도하지 않은 스위칭을 방지하기 위해 부동 보호 회로를 포함합니다.