Renesas, 업계 최초 플라스틱 패키지 방사선 내성 PWM 컨트롤러 & GaN FET 드라이버로 소형 위성 전력 시스템 지원

Renesas Electronics가 우주 산업 최초의 플라스틱 패키지 방사선 내성 PWM 컨트롤러와 GaN FET 드라이버를 선보였습니다. 이는 소형 위성(smallsat) 및 발사체의 DC/DC 전력 공급 장치에 맞춰진 제품입니다. ISL71043M 단일 종단 전류 모드 PWM 컨트롤러와 ISL71040M 로우사이드 GaN FET 드라이버는 위성 버스와 페이로드 내 절연 플라이백, 하프브리지 전력 스테이지, 모터 제어 드라이버 회로에서 탁월한 성능을 발휘합니다.

민간 '뉴 스페이스' 기업들이 여러 저궤도(LEO) 궤도면에 대규모 소형 위성 컨스텔레이션을 배치하여 해상, 항공, 육상 자산 추적을 위한 글로벌 브로드밴드 링크와 고해상도 지구 관측 이미징을 제공하고 있습니다. Renesas의 부품은 콤팩트함, 복원력, 효율성을 결합하여 이러한 야심찬 임무를 지원합니다.

ISL71043M PWM 컨트롤러
• 4mm×5mm SOIC 플라스틱 패키지 – 세라믹 대비 PCB 면적 최대 3배 절감
• 최대 5.5mA 공급 전류 – 전력 손실 3배 이상 감소
• 최대 1MHz 조절 가능 주파수 – 더 높은 효율과 더 작은 수동 필터 가능
• 총 이온화 선량 30krad(Si), 단일 이벤트 효과 43MeV·cm²/mg LET까지 방사선 테스트 완료
• -55°C~+125°C에서 신뢰성 있게 동작

ISL71040M GaN FET 드라이버
• Renesas의 방사선 강화 GaN FET를 절연 및 부스트 토폴로지에서 구동
• 공급 전압 범위 4.5V~13.2V, 게이트 드라이브 전압(VDRV) 4.5V
• 반전 및 비반전 입력, 분할 출력으로 턴온/턴오프 속도 미세 조정
• 높은 전류 소스/싱크 능력으로 고주파 동작 지원
• 온도 및 방사선 노출 전반에서 게이트 드라이브 전압을 +3%/-5% 이내 유지
• 의도치 않은 스위칭 방지를 위한 내장 플로팅 보호 회로

이 부품들은 콤팩트하고 저전력이며 방사선 내성이 요구되는 우주 임무에 결정적인 이점을 제공합니다.