증폭기 임피던스

입력 임피던스는 아래 그림과 같은 회로 구성에 따라 크게 달라집니다. 또한 편향에 따라 다릅니다. 여기에서 고려되지 않은 입력 임피던스는 복잡하고 주파수에 따라 다릅니다. 공통 이미 터 및 공통 수집기의 경우 기본 저항 곱하기 β입니다. 기본 저항은 트랜지스터의 내부 및 외부 모두일 수 있습니다.

공통 수집가의 경우:

 Rin =βRE 

공통 이미 터 회로의 경우 조금 더 복잡합니다. 내부 이미터 저항 r_EE를 알아야 합니다. .

이것은 다음과 같이 제공됩니다:

 rEE =KT/IE m 여기서:K=1.38×10
-23
 와트-초/
o
 C, 볼츠만 상수 T=켈빈 단위의 온도 ≅300. 나E =이미터 전류 m =실리콘 RE의 경우 1에서 2까지 다양 ≅ 0.026V/IE =26mV/IE 

따라서 공통 이미 터 회로의 경우 Rin은

 린 =βrEE 

예를 들어 a, β =100, 1mA로 바이어스된 CE 구성의 입력 저항은 다음과 같습니다.

 rEE =26mV/1mA =0.26Ω 린 =βrEE =100(26) =2600Ω 

게다가 일반 수집가를 위한 보다 정확한 Rin은 Re'를 포함했어야 했습니다.

 린 =β(RE + rEE ) 

위의 방정식은 이미 터 저항이 있는 공통 이미 터 구성에도 적용할 수 있습니다.

공통 베이스 구성의 입력 임피던스는 Rin =r_EE입니다. .

공통 수집기 구성의 높은 입력 임피던스는 높은 임피던스 소스와 일치합니다. 수정 또는 세라믹 마이크는 이러한 고임피던스 소스 중 하나입니다. 공통 베이스 배열은 RF(무선 주파수) 회로에서 저임피던스 소스(예:50Ω 동축 케이블 피드)와 일치시키기 위해 때때로 사용됩니다. 중간 임피던스 소스의 경우 공통 이미 터가 적합합니다. 예를 들어 다이내믹 마이크가 있습니다.

세 가지 기본 구성의 출력 임피던스는 아래 그림에 나열되어 있습니다. 공통 이미 터 구성의 적당한 출력 임피던스는 일반적인 사용을 위한 대중적인 선택을 만드는 데 도움이 됩니다. 공통 수집기의 낮은 출력 임피던스는 임피던스 정합, 예를 들어 4옴 스피커에 무변압기 정합에 유용합니다. 출력 임피던스에 대한 간단한 공식은 없는 것 같습니다. 그러나 R. Victor Jones는 출력 저항에 대한 표현을 개발합니다. [RVJ]

GE 트랜지스터 매뉴얼, 그림 1.21에서 채택한 증폭기 특성

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