ROM, PROM, EPROM, EEPROM 이해: 설계, 프로그래밍, 식별

개요

읽기 전용 메모리(ROM)는 RAM과 많은 설계 원리를 공유하지만, 래칭 메커니즘이 단일, 비가역적 쓰기 사이클을 위해 설계되었습니다. 가장 기본적인 ROM은 이진 정보를 인코딩하기 위해 선택적으로 끊을 수 있는 미세한 퓨즈를 사용합니다. 일단 퓨즈가 끊어지면 데이터를 변경할 수 없어, 이 회로들이 본질적으로 일회성 프로그래밍 가능하게 만듭니다.

이 일회성 쓰기 능력 때문에, 이러한 장치를 프로그래머블 읽기 전용 메모리(PROM)라고 합니다. 그러나 일부 프로그래머블 메모리는 상당한 노력으로 리셋될 수 있어 RAM과 ROM의 하이브리드를 만듭니다. 이들은 지울 수 있는 프로그래머블 읽기 전용 메모리(EPROM)라고 불리며, 지우고 재프로그래밍할 수 있는 독특한 능력을 반영합니다.

EPROM은 두 가지 주요 변형으로 제공됩니다: 자외선 지우기 EPROM(UV-EPROM)과 전기적 지우기 EPROM(EEPROM). 두 유형 모두 커패시티브 차지 래치를 가진 MOSFET에 의존합니다. UV-EPROM은 칩을 자외선에 노출시켜 지우고, EEPROM은 전기적으로 지우고 다시 쓸 수 있습니다.

EPROM은 실리콘 다이를 빛에 노출시키는 투명한 유리 창으로 쉽게 식별됩니다. 프로그래밍 후 창은 테이프로 밀봉되어 주변 조명으로부터 데이터를 보호합니다. 프로그래밍은 일반적으로 읽기 전용 동작에 사용되는 전압보다 더 높은 전압을 필요로 합니다.

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