읽기 전용 메모리(ROM)

ROM(읽기 전용 메모리)은 "래칭" 메커니즘이 일회성(또는 제한된) 작업을 위해 만들어진다는 점을 제외하고는 정적 또는 동적 RAM 회로와 설계가 유사합니다. 가장 단순한 유형의 ROM은 선택적으로 끊어지거나 두 개의 이진 상태를 나타내기 위해 그대로 둘 수 있는 작은 "퓨즈"를 사용하는 것입니다. 분명히 작은 퓨즈 중 하나가 끊어지면 다시 전체를 만들 수 없으므로 이러한 ROM 회로의 작성은 한 번만 가능합니다.

한 번 쓰기(프로그래밍)될 수 있기 때문에 이러한 회로를 PROM(Programmable Read-Only Memory)이라고도 합니다. 그러나 모든 쓰기 방법이 퓨즈가 끊어진 것처럼 영구적인 것은 아닙니다. 상당한 노력으로 리셋 가능한 트랜지스터 래치를 만들 수 있다면 RAM과 ROM을 교차하는 메모리 장치를 만들 수 있습니다. 이러한 장치에는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)이라는 다소 모순적인 이름이 부여됩니다.

EPROM은 전기적으로 지울 수 있는(EEPROM)과 자외선으로 지울 수 있는(UV/EPROM)의 두 가지 기본 종류가 있습니다. 두 가지 유형의 EPROM 모두 용량성 충전 MOSFET 장치를 사용하여 래치 켜기 또는 끄기를 수행합니다. UV/EPROM은 자외선에 장기간 노출되면 "제거"됩니다.

그들은 식별하기 쉽습니다. 실리콘 칩 재료를 빛에 노출시키는 투명한 유리 창이 있습니다. 프로그래밍한 후에는 주변광으로 인해 시간이 지남에 따라 데이터가 저하되는 것을 방지하기 위해 해당 유리창을 테이프로 덮어야 합니다. EPROM은 종종 "읽기 전용" 모드에서 사용되는 것보다 더 높은 신호 전압을 사용하여 프로그래밍됩니다.

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