산업기술
트랜지스터는 저전력 전기 신호로 전류를 제어하는 선형 반도체 소자입니다. 트랜지스터는 바이폴라와 전계 효과의 두 주요 패밀리로 나뉩니다. 바이폴라 트랜지스터가 작은 전류로 큰 전류를 조절하는 반면, 전계 효과 트랜지스터(FET)는 작은 전압으로 같은 목적을 달성합니다. 이 글에서는 전계 효과 개념을 소개하고 정션 전계 효과 트랜지스터(JFET)에 초점을 맞춥니다.
모든 FET는 단극성으로, 주 전류가 N형 반도체의 전자 또는 P형 반도체의 정공으로만 구성됩니다. 이 단극적 특성은 소자 구조에서 명확해집니다:

JFET에서 제어 전류는 소스와 드레인 단자 사이를 흐릅니다. 게이트-소스 전압이 이 흐름을 조절합니다. 바이폴라 소자와 달리 전류 경로가 PN 접합을 가로지르지 않고, 중단 없는 반도체 채널을 통과합니다. 위 다이어그램은 N형 채널을 보여주며 P형 채널도 존재합니다.

P채널 JFET도 사용 가능하지만, 반도체 제조 이점으로 N채널 소자가 더 흔히 쓰입니다. 실용적 관점에서 N채널과 P채널 JFET의 핵심 차이는 게이트-채널 PN 접합의 바이어싱입니다.
게이트와 소스 사이에 전압이 인가되지 않으면 채널은 전류를 위한 넓고 방해받지 않은 경로를 제공합니다. 게이트-소스 PN 접합에 역바이어스 전압을 인가하면 채널의 전도도가 감소합니다. 임계 전압에서 공핍 영역이 확장되어 채널 전체를 핀치오프(pinch-off)시켜 JFET를 차단 모드로 강제합니다. 이 핀치오프 효과는 유연한 호스를 짜서 흐름을 멈추는 것과 유사합니다.

JFET은 노멀리 온(normally-on) 소자입니다: 게이트 전압이 없으면 전류가 자유롭게 흐릅니다. 반면 바이폴라 트랜지스터는 노멀리 오프(normally-off)로, 베이스 전류 없이는 컬렉터-이미터 전류가 없습니다. JFET의 전류는 전압 신호로 제어되는 반면, 바이폴라 트랜지스터는 전류 신호로 제어됩니다. 게다가 역바이어스된 게이트-소스 PN 접합은 사실상 전류를 흘리지 않아 JFET가 전압 제어 소자로 분류되는 것을 강화합니다.
게이트-소스 접합을 순방향 바이어스하면 채널 전도도가 약간 증가하지만, 이 접합은 상당한 전류를 흘리도록 설계되지 않았으므로 순방향 바이어스는 피해야 합니다.
이 개요는 JFET 동작의 핵심 원리를 제공합니다. 다음 섹션에서는 JFET의 스위칭 소자로서의 역할을 살펴보겠습니다.
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