전자 방출 이론에 대한 튜토리얼 강의

전자 방출의 기본 개념

특정 외부 에너지를 이용하여 물질 표면에서 주변으로 전자를 방출하는 현상을 전자 방출이라고 합니다. 우리는 모든 금속이 결정 형태로 서로 매우 밀접하게 연결된 원자로 구성되어 있기 때문입니다. 모든 전자는 원자 효과에 의해 제한됩니다. 전자 장치는 자유 전자를 사용하여 전류를 자체적으로 흐릅니다. 원자가 전자는 마지막 껍질에서 회전하는 전자입니다. 이 전자는 금속에 묶여 있습니다. 물질 표면에서 빠져나가려면 충분한 외부 에너지가 필요합니다. 이제 표면 전자가 0c°에서 물질 표면에서 방출하는 데 필요한 최대 외부 에너지를 일이라고 합니다. 기능 .

체표면에서 전자 방출을 조사하는 방법 알아보기 

                  상황과 기기에 따라 다양한 외부 방법을 통해 전자를 방출할 수 있습니다. 전자 방출에 사용되는 가장 일반적이고 간단한 기술은 열이온 방출/1차 방출입니다. 이 방법에서는 재료의 표면 전자에 열에너지를 가합니다. 열에너지를 흡수함으로써 전자의 운동에너지가 증가하고 전자의 운동에너지의 변화로 인해 전자의 구속력이 점점 낮아지고 있다. 이 에너지 방출 방법은 금속이 진공 또는 불활성 가스에 들어갈 때 일반적으로 적용됩니다. 잊어버린 고효율 열이온 방출기는 낮은 온도에서 작동할 수 있도록 낮은 일함수를 가져야 합니다. 전자 방출의 두 번째 방법은 전자의 기계적 충돌을 통해 달성됩니다. 일정한 속도로 움직이는 입자(1차 전자)가 물질의 표면 전자와 충돌할 때, 움직이는 전자는 물리적 충돌과 함께 정지된 전자에 에너지를 전달합니다. 이는 결과적으로 2차 전자라고 하는 표면에서 이동하는 경향이 있는 표면 전자의 운동 에너지를 증가시킵니다. 2차 방출은 1차 전자 에너지, 방출 물질, 스트라이킹 전자 질량, 1차 전자의 유형, 대상 물질 표면 및 스트라이크 각도와 같은 몇 가지 요인의 영향을 받을 수 있습니다. 아래 그림을 각각 참조하십시오.
금속 표면에서 전자 방출 

마찬가지로 전자 방출은 빛 효과를 통해 이루어질 수 있습니다. 이 방법은 광관에서 널리 사용됩니다. 빛이 감광성 물질(칼륨, 라듐 등)에 입사되면 표면 전자가 빛 에너지를 흡수하여 결과적으로 전자의 운동 에너지를 증가시키고 표면 위로 방출하기 시작합니다. 전자 방출의 이 특정 기술은 광전 방출로 알려져 있습니다. 일부 핵심 요소는 공정에 영향을 줄 수 있는 광전 방출과 관련이 있습니다. 즉, 광전 방출은 표면에 빛의 입사와 함께 직접 시작 및 중지됩니다. 복사 주파수, 광전자 방출은 다른 재료에 대해 다른 광 주파수를 필요로 하며 방출된 전자의 운동 에너지는 광속과 무관합니다. . 광 주파수는 임계 주파수보다 작아서는 안됩니다. 또한 전계 방출/냉음극 방출이라는 전자 방출에 사용되는 또 다른 기술이 있습니다. 전자는 음전하를 띤 입자라는 것을 알고 있으므로 재료 표면에 높은 양의 장을 가져오면 표면 전자가 그 에너지를 흡수합니다. 인력과 전자는 물질 표면에서 주변으로 이동하는 경향이 있습니다. 높으면 전자 방출 외부에 양의 전기장을 제공하므로 그만큼 높을 것입니다. 외부 필드 강도가

10 ⁶ v/cm이면 전자 방출 속도가 엄청나게 증가할 것입니다. 기억해야 할 또 다른 점은 냉음극 방출은 온도에 의존하지 않지만 적용된 양전위는 임계 전압보다 높아야 한다는 것입니다. 모든 전자 방출 공정은 음극선관, X-선, 의료 장비 등과 같은 다른 장치에 사용됩니다. 공정에 따라 아래 다이어그램을 참조하십시오.