산업기술
사이리스터는 여러 가지 특이한 특성을 가진 장치입니다. 열이온 밸브/진공관 기술을 반영하는 양극, 음극 및 게이트의 세 가지 단자가 있습니다.
예상대로 게이트는 양극과 음극 사이에 주 전류가 흐르는 동안 제어 단자입니다.
DIAC 회로 기호는 그림과 같이 두 선 사이에 있는 두 삼각형에서 생성됩니다.
어떤 면에서 이것은 두 개의 접합으로도 간주될 수 있는 장치의 구조를 보여줍니다.
장치의 두 단자는 일반적으로 양극 1과 양극 2 또는 주 단자 1과 2, 즉 MT1과 MT2로 지정됩니다.
TRIAC는 외부에서 보면 2개의 백투백 사이리스터로 볼 수 있으며 이것이 회로 기호가 나타내는 것입니다.
사실상 SCR 또는 사이리스터의 개발이지만 한 방향으로만 전도할 수 있는 사이리스터와 달리 TRIAC은 양방향 장치입니다.
GTO는 때때로 게이트 끄기 스위치라고도 합니다. 이 소자는 게이트에 음의 전압을 인가함으로써 끌 수 있기 때문에 사이리스터 제품군에서 흔하지 않습니다. 애노드 캐소드 전압을 제거할 필요가 없습니다.
SCR과 같은 SCS(실리콘 제어 스위치)는 음극 C, 음극 게이트 Gx, 양극 게이트 G2 및 양극 A라는 4개의 전극이 있는 일방적인 4층 3접점 P-N-P-N 실리콘 장치입니다.
게이트 제어 스위치는 역방향 트리거로 쉽게 열 수 있도록 설계되었습니다.
GCS(게이트 제어 스위치)는 포지티브 트리거에 의해 닫히고 네거티브 트리거(또는 저전류 드롭아웃)에 의해 열립니다.
이중 베이스 다이오드라고도 하는 단접합 트랜지스터(UJT로 약칭)는 2층, 3단자 솔리드 스테이트(실리콘) 스위칭 장치입니다.
이 장치는 트리거될 때 이미터 전원 공급 장치에 의해 제한될 때까지 이미터 전류가 (음의 저항 특성으로 인해) 회생적으로 증가한다는 고유한 특성을 가지고 있습니다.
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