FangLing 2300A의 절단 속도 조정:단계별 가이드

초록 다공성 실리콘(Si)은 열전도율이 낮은 물질로 열전소자에 대한 잠재력이 높습니다. 그러나 다공성 Si의 낮은 출력 성능은 낮은 전기 전도성으로 인해 열전 성능의 발전을 방해합니다. 다공성 Si와 금속 사이의 비선형 접촉으로 인한 큰 접촉 저항은 전기 전도도 감소의 한 가지 이유입니다. 이 백서에서는 p - 및 n 금속 보조 화학 에칭에 의해 Si 기판 상에 -형 다공성 Si가 형성되었다. 접촉 저항을 줄이려면 p - 및 n - 불순물 원소를 p에 도핑하기 위해 도펀트 유형 스핀이 사용됩니다. - 및 n - 유형 다공성 Si

초록 5% Mg 도핑된 LiNbO3로 구성된 이중층 구조 단결정 필름 및 초박형 Al2 O3 원자층 증착 방법과 결합된 이온 슬라이싱 기술을 사용하여 2~6 nm 범위의 두께를 가진 층을 제조했습니다. 과도 영역 스위칭 전류 측정 결과는 P-V 히스테리시스 루프는 사이클당 단일 전압 펄스가 있는 유형 II 모드에서 대칭이며, 이는 비대칭 전극에 의해 형성된 내장 전기장 및 내부 임프린트 필드 보상에 기인할 수 있습니다. 게다가, 상감 Al2 O3 , 이상적인 터널 스위치 층으로서, 강유전성 스위칭 동안 켜지지만 인가된 펄스 전압