르네사스, 저전력 고성능 엔트리 레벨 RA2E1 MCU 출시

르네사스가 비용 민감하고 공간 제약이 있는 시스템을 위해 고성능과 초저에너지 소비를 모두 요구하는 엔트리 레벨 마이크로컨트롤러 RA2E1 제품군을 공개했다.

48MHz Arm Cortex-M23 코어 중심으로 구축된 각 RA2E1 MCU는 단일 칩에 최대 128KB 코드 플래시와 16KB SRAM을 통합한다. 새로운 라인업은 48개 디바이스로 구성되며, 1.6V~5.5V 동작 전압 범위를 지원하고 LQFP, QFN, LGA, BGA, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(WLCSP) 등 2.14×2.27mm까지 작은 다양한 패키지 옵션을 제공한다.

이 디바이스들은 성능, 효율, 풍부한 기능의 균형 잡힌 조합을 제공한다. 르네사스에 따르면 RA2E1의 저전력 설계는 모든 온칩 주변장치, 플래시 메모리, SRAM으로 확장되어 전체 온도와 전압 스펙트럼에서 최소 전력 소모를 가능하게 한다. 다중 저전력 모드로 설계자는 다양한 애플리케이션 요구에 맞춰 전력 소비를 조정할 수 있다.

EEMBC ULPMark 스위트 벤치마크에서 RA2E1은 1.8V에서 321점을 기록하며 동급 최고 에너지 효율을 검증했다. 활성 모드에서 MCU는 100µA/MHz를 소비하고, 소프트웨어 대기 모드에서는 단 250nA로 떨어져 중요 동작 중 준대기 전력 사용을 가능하게 한다.

순수 성능을 넘어, RA2E1은 하드웨어와 소프트웨어 확장성을 갖춘 업그레이드 경로를 제공하여 르네사스의 광범위한 RA 제품군으로의 자연스러운 진입점이 된다.

주요 특징

• 48MHz Arm Cortex-M23 CPU 코어
• 플래시 메모리 32KB~128KB 옵션; 16KB SRAM
• 동작 전압: 1.6V~5.5V
• 25~64핀 핀 카운트 범위
• 패키지 옵션: LQFP, QFN, LGA, BGA, WLCSP (2.14×2.27mm)
• 저전력 동작: 활성 모드 100µA/MHz; 소프트웨어 대기 250nA
• 차세대 정전용량 터치 센서 내장 - 외부 부품 불필요, BOM 비용 절감
• 온칩 주변장치 제품군: 1.0% 정밀도 내부 발진기, 백그라운드 데이터 플래시(1M 지우기/프로그래밍 사이클), 대전류 IO 포트, 온도 센서
• RA2L1 디바이스와 핀/주변장치 호환으로 원활한 업그레이드 경로
• IEC60730 자가 테스트 라이브러리와 통합 안전 기능으로 신뢰성 있는 동작
• AES 암호 가속기, 진성 난수 생성기(TRNG), 메모리 보호 유닛으로 안전한 IoT 배포

RA2E1은 포괄적인 HAL 드라이버와 개발 가속화 및 레거시 8/16비트 MCU로부터의 마이그레이션 용이화를 위한 GUI를 갖춘 르네사스의 유연한 소프트웨어 패키지(FSP)로 지원된다. 설계자들은 또한 광범위한 Arm 파트너 생태계에 접근하여 시장 출시 시간을 단축할 수 있다.

르네사스는 RA2EI와 짝을 이뤄 다양한 애플리케이션을 위한 턴키 시스템을 생성하는 보완적인 아날로그 및 전력 솔루션을 제공한다. 회사의 "위닝 콤비네이션"에는 RA2E1의 역량과 완벽하게 부합하는 코어 프로세서, 저비용, 저핀카운트, 저전력 기능이 포함된다. 또한 RA2E1 키트는 확장된 PMOD 커넥터를 지원하여 센서와 RF 연결 PMOD로 모듈러 IoT 솔루션을 가능하게 한다.