자기 측정 단위

일반적인 양(영어 대 미터법)에 대한 두 가지 측정 시스템의 부담으로 인해 마음이 혼란스러워진다면 이것은 당신을 위한 곳이 아닙니다! 자기 과학의 초기 표준화 부족으로 인해 우리는 자기 양에 대한 세 가지 이상의 완전한 측정 시스템으로 어려움을 겪었습니다.

먼저, 우리는 자기와 관련된 다양한 양에 대해 알아야 합니다. 전기 시스템보다 자기 시스템에서 처리해야 할 양이 꽤 많습니다. 전기의 기본량은 전압(E), 전류(I), 저항(R), 전력(P)입니다.

처음 세 가지는 옴의 법칙(E=IR; I=E/R; R=E/I)에 의해 서로 관련되고 전력은 줄의 법칙(P=IE , P=나₂ R; P=E₂ /R).

자력으로 처리할 수 있는 양은 다음과 같습니다.

자기력 — 자기장 힘의 양, 또는 "밀기". 전압(기전력)과 유사합니다.

필드 플럭스 — 총 전계 효과의 양 또는 필드의 "물질". 전류와 유사합니다.

필드 강도 - 전자석의 길이에 걸쳐 분포된 전계력(mmf)의 양. 자력이라고도 함 .

플럭스 밀도 - 주어진 영역에 집중된 자기장 플럭스의 양.

내키지 않음 - 주어진 부피의 공간 또는 재료를 통한 자기장 플럭스에 대한 반대. 전기 저항과 유사합니다.

투과성 - 재료의 자속 수용에 대한 특정 측정, 전도 재료의 비저항(ρ)과 유사하지만 역을 제외하고(투자율이 클수록 자속이 더 쉽게 통과하는 반면 비저항이 클수록 전류가 더 많이 통과한다는 의미입니다.)

하지만 기다려 . . . 재미는 이제 막 시작되었습니다! 우리는 전기보다 자력으로 추적해야 할 양이 더 많을 뿐만 아니라 이러한 각 양에 대해 여러 가지 다른 단위 측정 시스템을 가지고 있습니다. 길이, 무게, 부피 및 온도의 일반적인 양과 마찬가지로 영국식 및 미터법 시스템이 있습니다. 그러나 실제로는 하나 이상의 미터법 단위가 있으며 자기장 측정에는 여러 미터법이 사용됩니다!

하나는 cgs라고 합니다. , C를 나타냅니다. 센티미터-G 램-S 둘째, 전체 시스템이 기반으로 하는 근본 척도를 나타냅니다. 다른 하나는 원래 mks로 알려졌습니다. M을 나타내는 시스템 eter-K ilogram-S econd는 나중에 rmks라는 다른 시스템으로 수정되었습니다. , R을 나타냅니다. 합리화된 M eter-K ilogram-S 둘째. 이것은 결국 국제 표준으로 채택되고 SI로 이름이 변경되었습니다. (S 시스템 나 국제).

그리고 예, µ 기호는 미터법 접두사 "micro"와 실제로 동일합니다. 정확히 동일한 알파벳 문자를 사용하여 특정 수량과 일반 미터법 접두어를 모두 나타내는 이 점이 특히 혼란스럽습니다!

이미 짐작하셨겠지만, 전계력, 전계 플럭스 및 자기 저항 사이의 관계는 기전력(E), 전류(I) 및 저항(R)의 전기적 양 사이의 관계와 거의 동일합니다. 이것은 자기 회로에 대한 옴의 법칙과 유사한 것을 제공합니다.

그리고 투자율이 비저항과 반비례한다는 점을 감안할 때 자성 물질의 자기 저항을 찾는 방정식은 도체의 저항을 찾는 방정식과 매우 유사합니다.

두 경우 모두 더 긴 재료 조각이 더 큰 반대를 제공하며 다른 모든 요소는 동일합니다. 또한 더 큰 단면적은 더 적은 반대를 만들며 다른 모든 요소는 동일합니다.

여기서 중요한 주의 사항은 자속에 대한 재료의 저항이 실제로 변화한다는 것입니다. 통과하는 플럭스의 농도와 함께. 이것은 자기 회로에 대한 "옴의 법칙"을 비선형으로 만들고 전기 버전의 옴의 법칙보다 작업하기 훨씬 더 어렵습니다. 저항을 통과하는 전류가 변화함에 따라 저항을 변경하는 저항을 갖는 것과 유사합니다(바리스터 로 구성된 회로 저항기 대신 ).

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