IBM, 삼성, 비전통적 초고효율 반도체 개발팀

IBM과 Samsung Electronics는 기술 대기업이 기존 칩에 비해 에너지 소비를 85%까지 줄일 수 있는 비전통적으로 설계된 반도체라고 부르는 것을 설계했습니다.

이 설계는 에너지 효율적인 암호 해독 및 데이터 암호화를 비롯한 수많은 새로운 응용 프로그램을 가능하게 할 뿐만 아니라 충전하지 않고 며칠이 아닌 일주일 이상 충전할 수 있는 휴대 전화 배터리도 가능하게 한다고 회사들은 밝혔습니다.

[Network World 뉴스레터에 가입하여 정기적으로 인사이트를 얻으세요.]

새로운 반도체는 또한 에너지를 덜 소모하는 새로운 사물 인터넷(IoT) 및 에지 장치에 적용되어 해양 부표, 자율 차량 및 우주선과 같은 보다 다양한 환경에서 작동할 수 있다고 회사는 밝혔습니다.

칩 설계의 새로운 점은 수직 tansport 전계 효과 트랜지스터(VTFET)가 수직(위아래) 전류 흐름으로 칩 표면에 수직으로 구축된다는 것입니다. VTFET 설계자 및 프로그램 관리자인 Brent Anderson과 VTFET 하드웨어 기술자인 Hemanth Jagannathan의 블로그에 따르면 기존의 칩 기술을 사용하면 트랜지스터가 반도체 표면에 평평하게 놓여 있고 전류가 옆으로(옆으로) 흐릅니다. 및 수석 연구 직원.

“VTFET 프로세스는 칩 설계자가 고정된 공간에 더 많은 트랜지스터를 포장하려고 시도함에 따라 무어의 법칙을 확장하기 위해 성능에 대한 많은 장벽과 한계를 해결합니다. 또한 트랜지스터의 접점에 영향을 미치므로 낭비되는 에너지를 줄이면서 더 큰 전류 흐름을 허용합니다.”라고 연구원들은 말했습니다.

VTFET는 트랜지스터 게이트 길이, 스페이서 두께 및 접촉 크기에 대한 물리적 제약을 완화하여 이러한 기능이 성능이나 에너지 소비에 대해 각각 최적화될 수 있도록 함으로써 스케일링 장벽을 해결한다고 연구원들은 말했습니다.

연구원들은 “밀집된 IC 칩에 통합된 트랜지스터의 수가 2년마다 약 2배가 된다는 원칙인 무어의 법칙이 극복할 수 없는 장벽으로 간주되는 수준에 빠르게 가까워지고 있습니다.”라고 말했습니다. "점점 더 많은 트랜지스터가 유한한 영역에 집중되면서 엔지니어는 공간이 부족하지만 VTFET 혁신은 무어의 법칙을 지속할 수 있는 경로를 제공하는 완전히 새로운 차원에 초점을 맞춥니다."

인텔은 이번 주에도 무어의 법칙에 따라 성장하는 반도체를 계속 개발하기 위한 방법으로 수직 칩 적층을 고려하고 있다고 밝혔습니다.