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2D 트랜지스터 구현 신기술로 초소형 마이크로칩 길 열려

무어의 법칙 물리적 한계, 원자층 소재로 돌파구

마이크로칩 트랜지스터 집적도 2년마다 2배 증가(무어 법칙) 물리적 한계 직면. 실리콘 대신 원자 단일층 '2D 소재' 트랜지스터 유망하나, 기존 전자 부품과 전기적 접속 난제로 진전 지연.

비스무트 반금속 전극으로 접촉 저항 문제 해결

MIT, UC버클리, TSMC 등 공동연구진이 단일층 이황화몰리브덴(MoS₂) 등 2D 반도체와 금속 전극 간 쇼트키 장벽(금속 유도 갭 상태) 제거 위해 비스무트(Bi) 반금속 전극 사용. 금속과 반도체 중간 전자적 특성 + 적절한 에너지 정렬로 접촉 저항 근본 해결.

채널 길이 서브나노미터급으로 단축 가능성

2D 소재로 현재 5~10nm 채널 길이를 서브나노미터 규모로 추가 축소 가능. 전이금속 디칼코게나이드 계열 소재 널리 연구 중. 접촉 저항 문제로 기초 물성 연구도 난항 겪었으나 새 접속법으로 신속한 연구 진전 기대.

상용화까지 추가 엔지니어링 필요, P타입 트랜지스터 확장 연구 중

대량 생산·통합엔 시간 소요 예상. N타입 해결한 연구진, P타입 단일층 트랜지스터용 채널·전극 조합 탐색 중. 양쪽 해결 시 차세대 칩 새 가능성 열릴 전망.

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