첨단 반도체 칩용 고성능 텅스텐-티타늄 합금 타겟

첨단 반도체 칩용 텅스텐-티타늄 합금 타겟

텅스텐-티타늄 합금은 새로운 반도체 소자에서 확산 배리어 및 본딩 레이어로 점점 더 선택되고 있습니다. 우수한 표면 접착력과 뛰어난 열전도도를 결합하기 때문입니다. 그 결과 칩 제조 공정 전반에서 우수한 성능을 제공하는 타겟이 됩니다.

텅스텐과 티타늄 모두 고유한 이점을 기여합니다: 고밀도, 뛰어난 순도, 견고한 내식성, 최소 체적 팽창. 이 특성들은 증착 중 입자 형성을 억제하여 고품질 박막을 보장합니다.

제조 공정

아래는 배치 생산에 적합한 텅스텐-티타늄 합금 블랭크 생산을 위한 간소화된 고효율 방법입니다.

1. 불활성 분위기에서 산화 방지를 위해 텅스텐 분말(10~65wt%)과 티타늄 분말 혼합
2. 기계 프레스 또는 냉간 등방 프레스로 균질 혼합물을 빌렛으로 압축
3. 빌렛을 진공 소결로에 넣고 가열하여 소재 완전 치밀화
4. 냉각 후 비소모성 진공 아크로에서 소결 합금 용융하여 최종 타겟 획득

이 방법의 주요 장점:

• 간단하고 편리한 워크플로
• 전통 공정의 낮은 효율과 불균일 조성 문제 해결
• 10~60wt% 텅스텐 합금 생산으로 대량 제조에 이상적

결론

이 개요가 반도체 응용용 텅스텐-티타늄 합금 타겟의 이점과 생산을 명확히 하기를 바랍니다. 내화 금속 및 합금에 대한 더 깊은 통찰을 원하시면 Advanced Refractory Metals (ARM)을 방문하세요.

미국 캘리포니아주 레이크 포레스트에 본사를 둔 ARM은 니오븀, 몰리브덴, 탄탈럼, 레늄, 텅스텐, 티타늄, 지르코늄 등 고품질 내화 금속을 경쟁력 있는 가격에 공급하는 글로벌 리더입니다.