산업기술
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공핍 모드 및 향상 모드 MOSFET에 대한 기호가 있습니다. 점선과 실선을 확인하십시오.
공핍 모드에서 MOSFET 게이트 전압은 소스(S)에서 드레인(D)으로의 전도성 채널을 차단합니다.
향상 모드 MOSFET을 사용하면 게이트 전압이 소스에서 드레인으로 전도 채널을 엽니다.
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기존 사이리스터 장치의 구동(게이트 트리거 전류) 요구 사항을 줄이기 위해 설계된 비교적 최근의 두 가지 기술은 MOS 게이트 사이리스터와 MOS 제어 사이리스터(MCT)입니다. MOS 게이트 사이리스터 MOS 게이트 사이리스터는 MOSFET을 사용하여 표준 사이리스터 구조의 상위(PNP) 트랜지스터를 통해 전도를 시작하여 장치를 트리거합니다. MOSFET은 구동하기 위해 무시할 수 있는 전류가 필요하기 때문에(포화하게 함) 사이리스터를 전체적으로 트리거하기가 매우 쉽습니다. (아래 그림) MOS 게이트 사이리스터 등
관심 대상을 실시간으로 모니터링하는 분석 장치인 민감하고 선택적인 전자 바이오센서에 대한 수요는 광범위한 응용 분야에서 증가하고 있습니다. 이는 임상 환경, 약물 발견, 식품 안전 및 품질 관리, 환경 모니터링 내의 건강 관리에 이상적입니다. 전자 바이오센서는 단순성, 짧은 분석 시간, 낮은 제조 비용, 최소한의 샘플 준비 및 훈련받지 않은 직원이 현장에서 사용할 수 있는 가능성으로 인해 매력적입니다. Free University of Bozen-Bolzano와 ETH Zurich 연구원들은 전해질 개폐 탄소 나노튜브 전계 효과