산업기술
트랜지스터는 모든 반도체 소자와 마찬가지로 이를 초과하면 고장나는 유한한 전압 및 전류 한계를 가집니다. 복잡한 내부 구조 때문에 BJT는 더 단순한 부품보다 더 넓은 범위의 정격 파라미터를 가집니다. 다음 섹션에서 가장 일반적인 사양을 자세히 다룹니다.
트랜지스터가 컬렉터와 이미터 사이에서 전도할 때 그 단자들 사이에 전압이 강하합니다. 순간 전력 손실은 단순히 컬렉터 전류(IC)와 컬렉터-이미터 전압(VCE)의 곱입니다. 제조사는 소자가 과열 없이 안전하게 소산할 수 있는 최대 연속 와트 수를 제공합니다.
열적 고려가 가장 중요합니다: 바이폴라 트랜지스터는 많은 다른 반도체보다 열에 더 취약합니다. 전력 정격은 항상 주변 온도 25°C를 기준으로 합니다. 이보다 뜨거운 환경에서는 조기 고장을 방지하기 위해 허용 전력을 디레이팅해야 합니다.
다이오드와 마찬가지로 BJT는 각 PN 접합에 대한 최대 역바이어스 한계를 가집니다. 이미터-베이스(VEB), 컬렉터-베이스(VCB), 컬렉터-이미터(VCE) 전압이 포함됩니다. 일반적인 소신호 트랜지스터는 이미터-베이스 접합에 약 7V까지 견딜 수 있으며, 이를 초과하면 소자가 손상될 수 있습니다. 스위칭 애플리케이션에서 중요한 컬렉터-이미터 정격은 소신호 부품에서 보통 60-80V 범위이며, CRT 편향관 같은 고전력 소자에서는 1kV에 달할 수 있습니다.
데이터시트에는 최대 컬렉터 전류(IC,max)가 기재됩니다. 소신호 BJT는 일반적으로 수십~수백 밀리암페어를 지원하는 반면, 파워 트랜지스터는 수십 암페어를 처리합니다. 최대값은 트랜지스터가 포화(VCE ≈ 0V) 상태일 때를 가정합니다. 트랜지스터가 포화 밖에서 동작하면 전력 소산이 전류 한계에 도달하기 전에 정격치를 초과할 수 있습니다.
포화 상태에서 BJT는 저저항 스위치처럼 동작합니다. 제조사는 주어진 베이스 구동에 대한 최대 VCE(sat)를 제시합니다. 저전력 부품에서 0.3V 근처 값이 일반적이며, 더 높은 구동 전류로 더 낮출 수 있습니다. 베이스-이미터 순방향 강하(VBE)는 실리콘 다이오드와 유사하게 일반적으로 ≈0.7V입니다.
베타는 컬렉터 전류와 베이스 전류의 비율로 트랜지스터의 전류 증폭을 정의합니다. 고정된 숫자가 아니며, 제조사는 다양한 동작 조건에서 최소, 표준, 최대값을 제공합니다. 예를 들어 2N3903은 IC에 따라 β가 15~150 범위일 수 있습니다. 베타는 중간 전류에서 피크를 이루고 저전류와 고전류 양극단에서 떨어집니다.
알파는 컬렉터 전류와 이미터 전류의 비율로, β와 α = β/(β + 1) 관계에 있습니다. 덜 인용되지만 고주파 및 정밀 분석에 유용합니다.
물리적 패키지는 트랜지스터의 열 성능을 결정합니다. TO-92 같은 소형 플라스틱 패키지는 수백 밀리와트를 소산할 수 있는 반면, TO-18과 TO-39 같은 금속 캔은 수백 밀리와트를 처리합니다. 플라스틱 파워 패키지인 TO-220과 TO-247은 100W 이상으로 올메탈 TO-3 케이스에 육박합니다. 이 패키지들은 방열판에 부착되는 열전도성 금속 슬러그를 가지며, 얇은 열전도 그리스가 열전달을 개선합니다. 방열판 없이 TO-220은 자유 공기에서 약 1W만 안전하게 소산할 수 있습니다. 데이터시트 정격은 적절한 방열판 장착을 전제하며 케이스 온도 대비 디레이팅 커브를 적용합니다.

트랜지스터 패키지는 다양한 표준 크기로 나옵니다. 같은 패키지 패밀리 내에서도 핀아웃이 다를 수 있으므로, 항상 부품 번호나 전기적 테스트로 소자를 확인해야 합니다.
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