산업기술
MOSFET 트랜지스터를 사용하여 소스와 드레인 사이의 전압 또는 전류 흐름을 제어할 수 있습니다. 또한 다양한 유형의 MOSFET이 있습니다. N채널형 MOSFET이 그 중 하나이다. N-채널 MOSFET은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 우리는 종종 전압 제어에 사용합니다. 이 기사에서는 N-Channel Mosfet 아래에 있는 irf740 Mosfet에 대해 설명합니다. 또한 이 기사는 회로 연결에서 irf740을 사용하는 방법을 배우는 데 도움이 될 것입니다.
irf740은 최대 400v의 전력 부하를 전환할 수 있는 n채널 전력 MOSFET 트랜지스터입니다. 이러한 전기 부품은 최대 10A의 전력을 사용하는 부하를 전환할 수 있습니다. irf740은 몇 초 만에 한 소스에서 다음 소스로 전환해야 하는 애플리케이션에 필수적입니다. 그러나 게이트 핀과 소스 핀 사이에는 약 10v의 게이트 임계 전압을 배치해야 합니다. 이 게이트 전하는 MOSFET이 스위칭 효율을 수행하는 데 도움이 됩니다.
또한 irf740 트랜지스터를 사용하면 간단한 드라이버 회로를 구축할 수 있습니다. 게이트 핀 옆에 이 드라이버 회로를 배치합니다. 이 단계는 MOSFET에 10v의 임계 전압을 제공해야 합니다. MOSFET은 드라이버 회로 없이 전기 스위칭 목적으로 필요할 때 비효율적일 수 있습니다.
특히 irf740 N-Channel은 가격이 저렴하고 DC-DC 컨버터에 필요한 우수한 스위칭 속도를 제공합니다. 또한 열 저항이 미미합니다. 그러나 다른 모든 전기 부품과 마찬가지로 irf740에도 단점이 있습니다. Irf740 MOSFET 트랜지스터는 일반적으로 RDS로 알려진 5.5옴의 높은 온 저항을 가지고 있습니다. 이 속성은 높은 스위칭 애플리케이션이 필요할 때 irf740을 비효율적으로 만듭니다.
(모스펫의 상징)
irf740 N-채널 전원 MOSFET에는 3개의 핀이 있습니다. 아래 표는 각 못에 대한 자세한 설명입니다.
비밀번호 | 이름 | 설명 PIN |
1 | 출처 | 10A의 최대 부하 전류가 소스를 통해 흐릅니다. |
2 | 게이트 | 10v의 임계 전압을 사용하여 MOSFET의 바이어싱을 제어합니다. |
3 | 드레인 | 전류가 흐르도록 합니다. |
(3핀 구성 트랜지스터)
다음은 몇 가지 주목할만한 특징입니다.
(TO-220 패키지가 있는 트랜지스터의 예)
여기에는 IRFB13N50A, ssf13n15 및 UF450A가 포함됩니다.
(다른 크기의 모터.)
전기 부품을 오래 사용하려면 최대 정격보다 20% 낮은 수준으로 사용해야 합니다. 이 속성은 irf740s를 사용할 때도 필수적입니다.
위에서 논의한 바와 같이 이 irf740s Mosfet N-CH 400v의 최대 연속 드레인 전류는 10A입니다. 단, 구동되는 유도부하는 8A를 초과하지 않아야 합니다.
유사하게, 이 속성은 드레인-소스 전압에 적용됩니다. 최대 부하 전압이 400v이므로 드레인 전압이 최대 정격 표시보다 20%를 초과해서는 안 됩니다.
또한 트랜지스터는 항상 적절한 온도 조건에서 작동 및 보관하십시오. 또한 작동 중에는 방열판을 지속적으로 사용하십시오.
(다양한 전자 부품 그룹)
irf740의 설계는 특히 고전압 및 빠른 스위칭 목적을 위해 설계되었습니다. 이 팁은 특히 사용자가 한 부하에서 다른 부하로 입력 전원을 변경하려는 경우 필요합니다.
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