1N5402 다이오드 완벽 가이드: 사양, 핀아웃, 정류 회로, 대체 소자
1N5402 다이오드란?
1N5402는 범용 파워 정류 다이오드로, 200V 역전압 내량과 3A 순방향 전류 정격을 가집니다. DO-201AD 축방향 리드 패키지로 제공되며, 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하는 정류 회로와 역극성 보호 회로에 널리 쓰입니다.
핀 구성 (극성)
- 애노드 (Anode, 양극): 밴드(줄무늬) 없는 쪽
- 캐소드 (Cathode, 음극): 밴드(줄무늬) 있는 쪽
순방향 바이어스: 애노드 전압 > 캐소드 전압 → 전류 흐름 (도통)
역방향 바이어스: 캐소드 전압 > 애노드 전압 → 차단 (절연)
주요 전기적 사양
| 파라미터 | 기호 | 값 | 조건 |
| 최대 반복 역전압 | VRRM | 200V | |
| 최대 RMS 역전압 | VRMS | 140V | |
| 최대 평균 순방향 전류 | IF(AV) | 3A | TL = 75°C, 리드 길이 9.5mm |
| 피크 순방향 서지 전류 | IFSM | 200A | 8.3ms 단일 반사인파, TJ=175°C |
| 최대 순방향 전압 강하 | VF | 1.1V | IF = 3A, TJ=25°C |
| 최대 역누설 전류 | IR | 5μA / 500μA | VR=200V, 25°C / 150°C |
| 정션 커패시턴스 | CJ | 50pF | VR=4V, f=1MHz |
| 열 저항 (정션-리드) | RθJL | 20°C/W | |
| 동작/보관 온도 | TJ, Tstg | -65°C ~ +175°C | |
| 전력 소모 | PD | 6.25W | TL=75°C |
주요 특징
- 고전류 능력 (3A 연속, 200A 서지)
- 낮은 순방향 전압 강하 (효율 유리)
- 낮은 역누설 전류
- 단점: 역회복 시간(trr) 느림 → 고주파 스위칭(>20kHz) 부적합
- 최신 고속/초고속 복구 다이오드(FR, UF, SF 계열)로 대체 추세
1N540x 시리즈 비교 (전압 등급별)
| 품번 | VRRM (V) | VRMS (V) | 비고 |
| 1N5400 | 50 | 35 | 저전압용 |
| 1N5401 | 100 | 70 | |
| 1N5402 | 200 | 140 | 가장 대중적 |
| 1N5403 | 300 | 210 | |
| 1N5404 | 400 | 280 | |
| 1N5405 | 500 | 350 | |
| 1N5406 | 600 | 420 | |
| 1N5407 | 800 | 560 | |
| 1N5408 | 1000 | 700 | 고전압용 |
→ 회로 최대 피크 역전압보다 높은 등급 선택 권장 (예: 12V 회로면 1N5400~1N5402 충분, 24V면 1N5404 이상)
주요 응용 회로
1. 단상 반파 정류
AC 입력 ────→│──→ 부하 ──→ AC 입력 (리턴)
1N5402
출력: 맥동 DC, 리플 큼, 변압기 활용도 낮음
2. 단상 전파 정류 (브리지 정류) - 권장
AC1 ────→│──┐
│ ├──→ [필터 커패시터] ──→ DC 출력 +
AC2 ────→│──┘ │
│ │
──┴────────┘ (그라운드)
브리지 다이오드 4개 또는 브리지 모듈 사용
출력 리플 적음, 변압기 2차 측 센터탭 불필요
3. 역극성 보호 (시리즈 다이오드)
배터리 + ──→│──→ 회로 VIN
1N5402
장점: 단순, 저가
단점: 순방향 전압 강하(~0.7~1V) → 효율 저하, 발열
대안: P-채널 MOSFET 이상적 다이오드 컨트롤러
4. 프리휠링/플라이백 다이오드 (인덕티브 부하)
인덕터/모터/릴레이 코일 병렬 연결 (역방향)
코일 OFF 시 역기전력 흡수 → 구동 트랜지스터 보호
대체 소자 (고속/초고속 복구 다이오드 권장)
| 타입 | 예시 품번 | 특징 |
| 고속 복구 (Fast Recovery) | FR302, FR304, FR306, FR307 | trr ~150~250ns, 20~50kHz 스위칭 가능 |
| 초고속 복구 (Ultra Fast) | UF4002~UF4007, MUR3020~MUR3060 | trr ~50~75ns, 100kHz+ 스위칭 가능 |
| 쇼트키 (Schottky) | 30BQ030, 30BQ040, MBR340, SS34 | VF 낮음(0.4~0.5V), 저전압 고주파, VR 낮음(~100V) |
| 동기 정류 MOSFET | IRLZ44N, IPB017N06N3 등 | 최저 손실, 컨트롤러 필요, 고효율 SMPS |
사용 시 주의사항
- 정격 전류 초과 금지: 방열판 없이 3A 장시간 흐르면 열폭주 위험
- 서지 전류 고려: 전원 투자입 시 돌입 전류 > IFSM 가능 → NTC 서미스터/소프트스타트 병용
- 역회복 손실: 고주파 하드 스위칭 회로에서 발열 주원인 → 고속 다이오드 교체
- 납땜 열 스트레스: 리드 온도 260°C 10초 이내
- 정전기 민감도 낮으나 취급 주의
결론
1N5402는 50/60Hz 상용 주파수 정류, 저주파 스위칭, 역극성 보호 등 '저속/중전력' 용도에는 여전히 가성비 좋은 선택입니다. 하지만 20kHz 이상 스위칭 전원, 고효율 컨버터, 고주파 인버터에서는 반드시 고속/초고속 복구 다이오드나 쇼트키 다이오드, 동기 정류 MOSFET으로 대체해야 합니다. 설계 단계에서 스위칭 주파수와 전압/전류 스트레스를 고려해 적절한 다이오드를 선정하세요.