IBM 리서치 과학자 레오 그로스 박사, 레겐스부르크 대학 야샤 레프 교수, 산티아고 데 콤포스텔라 대학 디에고 페냐 길 교수가 '원자 조작에 의한 단일 분자 소자(MolDAM)' 프로젝트로 ERC 시너지 그랜트를 수상했습니다. 이 그랜트는 6년간 최대 900만 유로를 이 학제간 노력에 제공합니다.
MolDAM은 물리학자들과 화학자들을 모아 개별 분자와 화학 결합 조작을 마스터합니다. 목표는 주사 프로브 현미경을 사용해 원자 정밀도로 새로운 분자와 나노구조를 구축하고 화학 반응을 실시간으로 관찰하는 것입니다.
물리학자이자 노벨상 수상자 리처드 파인만의 비전에서 영감받은 MolDAM은 물질을 원자 단위로 구축하려 합니다. 주사 프로브 현미경 팁으로 화학 반응을 조종함으로써 팀은 결합 형성과 원자 재배열을 전례 없이 포착하고, 초고속 레이저 펄스로 반응 '영화'를 생성하려 합니다.
또한 맞춤 구축 구조 내 단일 전자 역학을 조사해 전자 전달, 캐리어 생성, 재결합, 산화환원 과정을 분자 수준에서 연구할 수 있게 합니다. 이는 개별 원자가 제어된 구성에 놓일 때 분자가 어떻게 행동하는지에 대한 전례 없는 통찰을 제공합니다.
자연적 길이와 시간 스케일에서 연구된 원자적으로 정의된 분자 소자들은 화학과 물리에 대한 근본적 이해를 심화시킬 것입니다. 발견은 화학 합성, 광수확, 분자 기계, 차세대 컴퓨팅 등 분야에 영향을 미칠 것입니다.
나노물질
초록 마찰전기 효과 기반 에너지 하베스팅 소자는 다른 나노발전기에 비해 높은 출력 성능으로 큰 주목을 받아 웨어러블 응용에 다양하게 활용되어 왔습니다. 작동 메커니즘에 기반해 마찰전기 성능은 주로 마찰전기 소재 표면 전하 밀도에 비례합니다. 표면 작용기 변형과 마찰전기 소재 유전체 조성 변형 등 다양한 접근법으로 표면 전하 밀도를 높여 마찰전기 성능을 개선해 왔습니다. 특히 마찰전기 소재 유전적 특성 조절은 표면 전하가 마찰전기 소재 유전율에 비례하므로 표면 전하 밀도를 크게 증가시킬 수 있습니다. 상대 유전율은 전자, 진동(원자)
요약 대표적인 와이드 밴드갭 반도체 물질인 질화 갈륨(GaN)은 우수한 물질 특성(높은 전자 이동도, 높은 전자 포화 속도, 임계 전기장) 덕분에 점점 더 많은 주목을 받고 있습니다. 수직 GaN 소자는 고전압, 대전류, 높은 항복 전압 특성을 가져 전력 전자 응용에서 가장 유망한 후보 중 하나로 여겨집니다. 그중 수직 GaN 기반 PN 접합 다이오드(PND)는 고품질 에피택시와 소자 구조 설계를 바탕으로 큰 성능 향상을 보였습니다. 그러나 소자 에피택시 품질은 추가 개선이 필요합니다. 소자 전기 성능 측면에서 소자 가장자리에서의
