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유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

유니정션 트랜지스터(UJT)란?

UJT는 사이리스터는 아니지만, 베이스-B1에 날카로운 펄스를 전달해 더 큰 사이리스터를 트리거할 수 있는 3단자 실리콘 소자입니다. 중앙에 위치한 P형 영역을 가진 N형 실리콘 바로 제작됩니다. 바의 양끝이 베이스 B1과 B2이고, 중앙 P형 영역이 이미터 역할을 합니다. 이미터가 분리되면 전체 베이스-투-베이스 저항(R_BBO)은 R_B1과 R_B2의 합이며 소자에 따라 4kΩ~12kΩ 범위입니다. 고유 스탠드오프 비율(η)—R_B1 대 R_BBO 비율—은 0.4~0.8 범위입니다. 회로도 심볼은 Figure (c)에 표시.

유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

전기적 특성

이미터 전류 대 이미터 전압 곡선(Figure (a))은 이미터 전압(V_E)이 증가함에 따라 이미터 전류(I_E)가 피크 값(I_P)까지 상승함을 보여줍니다. 이 지점을 넘으면 소자는 음저항 영역에 진입해 전압이 떨어지며 전류가 감소하고, 밸리 포인트(V_V)에서 최솟값에 도달합니다. R_B1 저항은 이 밸리에서 최저입니다. 2N2647 데이터시트상 I_P = 2µA, I_V = 4mA.

유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

피크 전압(V_P)은 R_B1 양단 전압 강하에 ~0.7V 다이오드 강하를 더한 값입니다. 밸리 전압(V_V)은 일반적으로 베이스-투-베이스 공급(V_BB)의 약 10%입니다.

UJT를 이용한 릴랙세이션 발진기

UJT 기반 릴랙세이션 발진기에서 충전 저항(R_E)이 커패시터(C_E)를 충전하다 이미터 전압이 V_P에 도달합니다. 이 순간 이미터와 B1 사이 낮은 저항이 커패시터를 급속 방전시킵니다. 커패시터 전압이 V_V 아래로 떨어지면 이미터-B1 저항이 다시 상승해 커패시터 재충전과 사이클 반복을 허용합니다. 대략적 주기는 T ≈ R_E·C_E이나, 더 정확한 식은 그림에 제시.

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방전 펄스는 외부 B1, B2 부하 저항 양단에 나타날 수 있습니다. B1 저항은 방전 시간에 영향을 주지 않을 만큼 충분히 낮아야 하며, B2 저항은 선택 사항으로 쇼트될 수 있습니다. 충전 저항은 V_BB - V_P에서 I_P를 공급하고 V_BB - V_V에서 밸리 전류를 I_V로 제한할 수 있도록 선택해야 합니다. 2N2647 기준 계산은 그림에 표시.

유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

프로그래머블 유니정션 트랜지스터(PUT)

PUT은 UJT처럼 동작하지만 대량 생산 가능하고 저렴한 3단자 4층 사이리스터입니다. 게이트—애노드 근처 N형 층—을 "애노드 게이트"라 부르며 회로도 심볼에서 애노드에 연결됩니다. PUT의 특성 곡선(애노드 전류 대 애노드 전압)은 UJT를 반영하며, 게이트 전압이 프로그래머블 피크 전압(V_P)을 설정합니다. 외부 저항(R1과 R2)이 내부 R_B1과 R_B2를 대체해 설계자가 고유 스탠드오프 비율(η = R1/(R1+R2))을 프로그래밍할 수 있게 합니다.

유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

PUT 릴랙세이션 발진기에서 저항(R)이 커패시터를 충전하다 V_P 도달. 소자가 강하게 전도해 동작점을 음저항 슬로프 따라 밸리까지 내리고, 캐소드를 통해 전류 스파이크 흐름. 방전 후 점이 상승 슬로프로 리셋. 저항은 밸리 전류(I_P)를 절대 공급하지 않을 만큼 충분히 크면서, 충전 중 V_P 도달할 만큼 충분히 작아야 합니다. 10V 공급과 η ≈ 2/3인 2N6027 기준 허용 저항 범위는 143kΩ < R < 755kΩ.

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2N6027 PUT 예제 파라미터 테이블

파라미터조건최소표준최대단위
V_TV_S=10V, R_G=1MΩ0.20.71.6V
V_TV_S=10V, R_G=10kΩ0.20.350.6V
I_PV_S=10V, R_G=1MΩ-1.252.0µA
I_PV_S=10V, R_G=10kΩ-4.05.0µA
I_VV_S=10V, R_G=1MΩ-1850µA
I_VV_S=10V, R_G=10kΩ70150-µA
I_VV_S=10V, R_G=200Ω1500--µA
V_F (I_F=50mA)--0.81.5V

이 값들로 실용적 PUT 릴랙세이션 발진기가 SCR 램프 디머를 구동할 수 있습니다. 회로는 V_BB 비여과 공급, 브리지 정류기, 각 제로 크로싱 후 밸리 포인트에 포트가 고정되지 않도록 최소 직렬 저항과 짝지어진 가변 저항을 사용합니다.

유니정션 트랜지스터(UJT) & 프로그래머블 UJT(PUT): 설계, 동작 및 발진기 응용

성능 고려사항

핵심 요약

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