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알루미늄 도핑 나노와이어 UV LED, 기존 대비 5배 밝기 달성

NIST, 나노와이어 셸층 알루미늄 첨가로 전자 오버플로·재흡수 억제

미국 표준기술연구소(NIST) 연구진이 실리콘 도핑 GaN 코어와 마그네슘 도핑 GaN 셸로 된 나노와이어 UV LED 셸층에 소량 알루미늄을 추가해 기존 셸 설계 대비 5배 높은 발광 강도를 달성했습니다.

작동 메커니즘

알루미늄이 전기적 비대칭성을 만들어 전자가 셸층으로 넘어가는 것을 방지, 정공과 전자를 코어에 가둬 재결합 효율 극대화. p-i-n 3층 구조로 나노와이어 LED 제작. 나노와이어 직경 클수록 더 많은 알루미늄 도핑 가능. 이번 연구: 길이 440nm, 셸 두께 40nm, 결과 LED 약 10배 크기.

응용 및 특허

마이크로파 탐침 현미경과 LED 통합한 비접촉 반도체 나노구조 테스트 장치 특허 보유. 세포 구조·단백질 풀림 연구에도 활용. 현재 민간 2개사와 나노와이어 마이크로 LED 개발 중, 곧 시제품 시연 예정.

참조: NanoTechnology | doi:10.1088/1361-6528/ab07ed | NIST

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