초박형 2D 재료로 만든 트랜지스터, 한 걸음 더 나아갑니다.

펜실베니아 공과대학의 Saptarshi Das 교수에 따르면 2차원 재료는 전통적으로 실리콘으로 만들어진 트랜지스터보다 더 작고 고성능인 트랜지스터를 만드는 데 사용할 수 있습니다. 그와 그의 팀은 2D 재료로 만든 트랜지스터의 기술적 실행 가능성을 확인하기 위해 테스트를 수행했습니다.

우리는 데이터가 주도하는 연결된 디지털 세계에 살고 있습니다.”라고 Das가 말했습니다. “빅 데이터에는 더 많은 저장 용량과 처리 능력이 필요합니다. 더 많은 데이터를 저장하거나 처리하려면 점점 더 많은 트랜지스터를 사용해야 합니다.” 즉, 현대 기술이 계속해서 소형화됨에 따라 트랜지스터도 소형화되어야 합니다.

Das에 따르면 60년 동안 트랜지스터를 제조하는 데 사용된 3D 재료인 실리콘은 더 작게 생산할 수 없기 때문에 트랜지스터에 사용하는 것이 점점 더 어려워지고 있습니다. 그러나 과거 연구에서는 2D 재료를 대안으로 현재 실행 중인 실리콘 기술보다 10배 더 얇게 제조할 수 있다고 밝혔습니다.

그들의 연구에서 연구원들은 Penn State의 2D Crystal Consortium NSF Materials Innovation Platform(2DCC-MIP)에서 얻은 금속 유기 화학 기상 증착 기술을 사용하여 단층 이황화 몰리브덴과 이황화 텅스텐을 성장시켰습니다.

새로운 2D 트랜지스터의 성능을 이해하기 위해 연구원들은 임계 전압, 하위 임계값 기울기, 최대 전류와 최소 전류의 비율, 전계 효과 캐리어 이동도, 접촉 저항, 구동 전류 및 캐리어 포화 속도와 관련하여 통계적 측정값을 분석했습니다.

테스트를 통해 새로운 트랜지스터의 실행 가능성이 확인되어 기술이 이제 제조 및 개발로 이동할 수 있음이 입증되었다고 Das는 말했습니다. "이 새로운 트랜지스터는 차세대 컴퓨터를 더 빠르고 에너지 효율적으로 만들고 더 많은 데이터 처리 및 저장을 견딜 수 있게 하는 데 도움이 될 수 있습니다."라고 그는 말했습니다.