나노 그래핀, 실리콘 기반의 유연한 투명 메모리

메모리 장치 컴퓨터와 많은 전자 장치는 일반적으로 회로 동작을 지시하는 데 사용할 수 있는 주로 데이터인 저장된 정보에 의존합니다. 디지털 정보는 메모리 장치에 저장됩니다. 메모리 장치에 대한 장기적 나노기술 전망에는 탄소나노튜브 기반 메모리, 분자 전자공학 및 TiO2와 같은 저항성 재료 기반 멤리스터가 포함됩니다.
투명 메모리
투명 전자 메모리는 집적된 투명 전자 장치에 유용하다는 장점이 있지만 이러한 투명도를 달성하면 재료 구성에 한계가 생기고 공정 및 소자 성능이 저하됩니다.
여기서 SiOx를 활물질로 사용하고 인듐 주석 산화물 또는 그래핀을 전극으로 사용하여 투명도가 높은 메모리를 제조하는 방법을 제시합니다. 2단자, 비휘발성 저항성 메모리는 유리 또는 유연한 투명 플랫폼의 크로스바 어레이로 구성할 수도 있습니다. SiOx에서 현장에서 생성된 실리콘 채널의 필라멘트 전도는 장치 크기가 감소함에 따라 현재 수준을 유지하여 고밀도 메모리 응용 프로그램에 대한 잠재력을 강조하고 2단자 기반이므로 3차원 메모리 패키지로의 전환을 생각할 수 있습니다. . 유리가 건축 건축 자재의 주류 중 하나가 되고 있으며 현대적인 휴대용 기기에 전도성 디스플레이가 필수적이기 때문에 모양에 맞는 패키지의 기능을 높이는 것이 유리합니다.
원칙
투명 메모리는 표준 실리콘 산화물을 통해 강한 전하를 밀어내면 폭이 5나노미터 미만인 순수한 실리콘 결정의 채널이 형성된다는 원리를 기반으로 합니다. 인가된 초기 전압은 산화규소에서 산소 원자를 제거합니다. 더 적은 전하가 반복적으로 회로를 끊고 다시 연결하여 비휘발성 메모리로 만듭니다. 더 작은 신호를 사용하여 메모리 상태를 변경하지 않고 폴링할 수 있습니다.
Rice University 발견
Rice University 연구원들은 회로의 밀도가 충분히 높으면 실리콘 자체가 투명하지 않더라도 활성 성분으로 실리콘 산화물을 사용하여 투명하고 유연한 메모리를 개발했습니다. 실리콘 산화물과 그래핀을 사용하여 3차원 구성으로 적층되고 유연한 기판에 부착됩니다. 연구원들은 실리콘 산화물이 스위치가 될 수 있다는 계시를 기반으로 매우 투명한 비휘발성 저항성 메모리 장치를 만들고 있습니다. 투명 와이어는 전압을 공급하는 데 필요하므로 투명한 그래핀은 플라스틱 기판의 입력 및 출력 전극 배선으로 사용됩니다. 그러나 유리 기판에서는 투명한 금속 전극인 ITO(Indium-Tin-Oxide)가 입력에 사용되고 상단에 그래핀이 출력에 사용됩니다. 그래핀은 장치의 전극을 구성합니다. 그래핀 전극에 부착된 리드를 제외하고 이 장치에는 완전히 금속이 없습니다. 그래핀을 다양한 기판으로 옮기는 것이 쉽기 때문에 연구원들은 유연한 플라스틱에 일부 장치를 제작했습니다.
용도
오늘날의 메모리는 투명하지 않기 때문에 유리에 사용할 수 없고 투명한 특성을 유지하면서 현재의 메모리가 플라스틱과 같은 유연한 기판에서 제대로 작동하지 않기 때문에 이 기술은 현재의 메모리 기술에 비해 몇 가지 장점이 있습니다.
제조업체는 소형 장치에 수백만 비트를 맞추려고 할 때 현재 아키텍처의 물리적 한계를 발견하고 있습니다. 현재 전자 제품은 22나노미터 회로로 만들어집니다. 그러나 단 5나노미터에서 채널을 만들어 무어의 법칙을 넘어 메모리를 확장할 수 있습니다.
실리콘과 그래핀을 결합하면 과학자들이 메모리를 배치할 수 있는 가능성을 확장할 수 있습니다. 이 장치는 컴퓨터 회로가 2년마다 전력을 두 배로 늘리고 열악한 복사 조건에 직면하며 최대 약 1,300도의 열을 견딜 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. F.
현재 플래시 메모리와 같은 메모리에 사용되는 트랜지스터는 실리콘 산화물 설계로 대체할 수 있습니다. 시스루 휴대폰은 또 다른 가능성입니다.