단주기 초격자 캡을 이용한 고성능 1550nm InAs/GaAs 양자점 SESAM: 펨토초 파이버 레이저 응용

초록

저차원 III-V족 InAs/GaAs 양자점(QD)은 넓은 대역폭, 파장 가변성, 낮은 포화 플루언스 등의 장점으로 900-1310nm 파장 대역에서 반도체 포화 흡수 거울(SESAM)로 성공적으로 적용되어 초고속 펄스 레이저 응용에 활용되어 왔습니다. 그러나 1550nm 부근의 더 긴 파장 대역에서 작동하는 고성능 QD-SESAM을 얻는 것은 QD 구조의 에피택시 성장 난제로 인해 매우 어려웠습니다. 본 연구에서는 1550nm 발광 대역용으로 설계된 InAs/GaAs QD 시스템에서 캡핑 층(CL)에서 QD로의 캐리어 이완 과정이 매우 약한 것이 열악한 발광 성능의 주원인임을 최초로 규명하고, 이를 바탕으로 In_0.20Ga_0.80As/In_0.30Ga_0.70As 단주기 초격자(SSL)를 CL로 개발하여 기존 InGaAs CL 대비 1550nm에서 약 10배 강한 발광을 실현했습니다. 이 개발된 QD 구조 기반으로 고성능 QD-SESAM을 달성하여 매우 낮은 포화 강도 13.7 MW/cm²와 큰 비선형 변조 깊이 1.6%를 동시에 구현했으며, 이를 통해 우수한 장기 작동 안정성을 가진 1550nm 펨토초 모드 잠금 파이버 레이저 구축이 가능해졌습니다.

서론

1550nm 모드 잠금 펨토초 펄스 레이저는 높은 피크 전력, 낮은 열 효과, 높은 펄스 에너지로 광통신, 초고속 광학, 비선형 광학 분야에 널리 응용됩니다[1-5]. 넓은 광대역, 빠른 응답 시간, 낮은 손실 특성을 가진 포화 흡수체(SA)는 이러한 초단 펄스 레이저의 핵심 광학 소자입니다[6-9]. 또한 높은 손상 임계값은 모드 잠금 레이저의 장기 안정적 작동에 필수적입니다[10-13]. 최근 그래핀, 위상 절연체, 흑린, 전이 금속 칼코게나이드 등 2차원(2D) 물질이 모드 잠금 펨토초 펄스 레이저용 SA로 주목받고 있으나[14-20], 낮은 손상 임계값과 열악한 작동 안정성이 광범위한 적용을 저해하고 있습니다[22, 23]. 양자 우물(QW) 기반 SESAM은 높은 재현성과 우수한 작동 안정성으로 상용화 후보로 여겨지나, 좁은 동작 대역폭과 작은 변조 깊이가 펨토초 초단 펄스 실현의 큰 걸림돌입니다[24].

최근 자가조립 InAs 양자점(QD)은 스트란스키-크라스타노브 모드로 성장하며 넓은 동작 대역폭과 빠른 캐리어 회복 시간[25-31]을 특징으로 하여 모드 잠금 펄스 레이저 구축용 SESAM으로 탁월한 선택지로 부상했습니다. 1550nm 부근 파장 구현을 위해 InP 기반 InGaAsP QW가 주로 사용되어 왔습니다. GaAs 기반 InGaAs QD의 밴드갭은 일반적으로 980-1310nm 스펙트럼 범위를 커버하도록 설계 가능하나, 1310nm 이상의 더 긴 파장에서는 QD 캡핑 층(CL)에 훨씬 높은 인듐 함량이 필요합니다. 1550nm 파장 구현을 위해 사원소 InGaAsSb(InGaNAs) 합금과 매우 높은 인듐 함량(>30%) InGaAs CL이 사용되었으나[32, 33], 사원소 합금 CL은 에피택시 공정을 크게 복잡하게 만들고, InGaAs CL의 높은 인듐 함량은 QD의 결정 및 광학적 품질을 저하시켜 비복사 재결합 중심을 증가시킵니다. 변성 기판 위 InAs/GaAs QD로 1550nm 발광이 구현되었으나 신뢰성과 재현성 문제가 심각합니다[34]. 선행 연구에서 1550nm 작동 비대칭 InAs/GaAs QD를 제작하여 2ps 펄스 폭의 모드 잠금 Er-도핑 유리 발진기를 구현한 바 있습니다[24]. 최근에는 InGaAs 캡 InAs/GaAs 구조의 1550nm QD-SESAM으로 이중 파장 수동 Q-스위치 Er-도핑 파이버(EDF) 레이저를 구현했으나[35], 이들 QD-SESAM의 작은 변조 깊이(0.4%)로 레이저 성능이 제한되었습니다. 따라서 1550nm InAs/GaAs QD 구조를 최적화하여 QD-SESAM의 변조 깊이를 향상시키는 새로운 기술 탐구가 절실합니다.

본 연구에서는 SESAM용 1550nm 대역 InAs/GaAs QD 구조를 InGaAs 합금 CL과 InGaAs 단주기 초격자(SSL) CL로 각각 성장시키고 광학적 특성을 철저히 조사했습니다. 광발광(PL) 분광 분석 결과 실온(RT)에서 1550nm 부근 발광이 매우 약하며 250K 이하에서는 관측되지 않는데, 이는 잘 알려진 QD 시스템의 온도 의존적 거동(저온에서 PL 강도가 강하고 열적 여기로 실온에서 약해짐)과 정반대 현상입니다. 1550nm InAs/GaAs QD에서 관측된 이 비정상적 현상은 CL에서 QD로의 캐리어 이완 과정이 약하기 때문으로, SSL CL 성장으로 이를 크게 개선할 수 있습니다. SSL 구조는 브릴루앙 존 폴딩 효과로 풍부한 포논 모드와 큰 진동 상태 밀도를 제공하여 CL에서 QD로의 캐리어 이완을 효과적으로 촉진합니다. 그 결과 비-SSL 캡 QD 대비 10배 강한 1550nm 발광이 관측되었습니다. 1550nm QD의 우수한 캐리어 역학은 QD-SESAM에 높은 포화 흡수 성능을 부여하여 매우 낮은 포화 강도 13.7 MW/cm²와 4배 향상된 큰 비선형 변조 깊이 1.6%([24, 35] 대비)를 동시에 달성했습니다. SSL 캡 QD-SESAM의 고성능을 활용해 EDF 레이저를 구축하고 1556nm에서 안정적 모드 잠금 레이징을 달성했으며, 펄스 지속 시간은 920fs입니다.

실험 방법

MBE를 이용한 InAs/GaAs QD 성장

분자빔 에피택시(MBE) 기술로 세 가지 InAs/GaAs QD 구조를 성장시켰습니다. 모든 시료는 2.9 단일층(ML) InAs로 자가조립된 세 주기의 도트 층을 포함합니다. 그림 1과 같이 시료 1과 2에서 InAs QD는 각각 GaAs와 1nm In_0.18Ga_0.82As 버퍼 층(BL) 위에 성장했고, 모두 6nm 두께의 In_0.33Ga_0.67As 층으로 캡핑되었습니다. 시료 3에서는 2.9 ML InAs QD가 1nm 두께 In_0.18Ga_0.82As BL 위에 성장했으나, 1nm In_0.20Ga_0.80As와 1nm In_0.30Ga_0.70As 층의 5주기, 총 10nm 두께 SSL로 캡핑되었습니다. InAs QD 성장 온도와 속도는 각각 510°C, 0.01 ML/s였습니다. QD-SESAM은 바닥면 분산 브라그 반사경(DBR) 위에 한 층의 도트 구조를 성장시켜 제작했는데, DBR은 31쌍의 무도핑 GaAs(115nm)와 Al_0.98Ga_0.02As(134nm) 층으로 구성됩니다. GaAs와 InGaAs 성장 온도는 각각 565°C, 530°C였습니다.

그림 1. QD 구조 개략도: (a) 시료 1, (b) 시료 2, (c) 시료 3.

특성 분석 방법

PL 측정은 532nm 고체 레이저로 11-300K 온도 범위에서 수행했습니다. QD 시료의 결정 구조는 Cu Kα 선을 이용한 고분해능 X선 회절로 분석했습니다. QD 구조 형상은 원자력 현미경(AFM)으로 상온 비접촉 모드에서 관찰했습니다(Nanoscope Dimension^TM 3100 SPM). 투과 전자 현미경(TEM) 이미지는 200KeV JEOL-2010 현미경으로 획득했습니다.

결과 및 논의

그림 2a, b, c는 각각 시료 1, 2, 3의 온도 의존적 PL 스펙트럼으로, 11-300K 범위에서 200mW 여기 전력으로 측정되었습니다. 단파장 영역의 좁은 피크와 장파장 영역의 넓은 피크 두 특징적 PL 피크가 관측됩니다. 11K에서 약 1170nm, 300K에서 약 1280nm에 위치한 좁은 피크는 CL 발광에서 기인하며, 300K에서 약 1550nm에 위치한 넓은 피크는 QD 발광에 기인합니다. 그림 2a에서 저온에서는 CL 발광만 관측되고 1550nm 부근 InAs QD 발광은 250K 이상에서 나타나기 시작하여 온도 상승에 따라 점차 강해집니다. 시료 2에서도 유사한 거동이 관측됩니다(그림 2b). 일반적으로 1300nm 발광용 InAs/GaAs QD 구조에서는 저온에서 QD 발광이 PL 스펙트럼을 지배하고 CL이나 웨팅 층 발광은 거의 관측되지 않습니다. 이는 QD 구조의 낮은 에너지 준위와 저온에서 QD로부터 캐리어 열적 탈출 감소 때문입니다[36]. 온도 상승 시 QD로부터 캐리어 열적 탈출 증가로 QD 발광 강도가 점차 감소합니다. 반면 1550nm용으로 설계된 우리 시료들은 1310nm용 InAs/GaAs QD와 완전히 반대되는 온도 의존적 발광 거동을 보여 이 새로운 QD 시스템의 독특한 캐리어 역학을 입증합니다. 그림 2e와 같이 QD 밴드갭이 CL보다 훨씬 좁고 전자/정공의 최저 에너지 준위가 모두 QD 구조 내에 있으므로 광생성 캐리어가 과잉 에너지를 이완한 후 QD에 머무르는 것이 자연스럽습니다. 그러나 관측된 PL 결과는 저온에서 CL 발광이 지배적이고 250K 미만에서 QD 발광이 보이지 않는데, 이는 저온에서 광생성 캐리어가 QD가 아닌 CL에 주로 갇혀 있음을 의미합니다. 이는 심각한 캐리어 이완 차단 효과로, 포논이 캐리어 산란 과정에 거의 참여하지 못해 CL에서 QD로의 캐리어 이완 효율이 낮기 때문으로 설명됩니다. 온도 상승 시 더 많은 포논이 열적으로 여기되어 포논과 광생성 캐리어 간 상호작용이 점차 강화되어 더 많은 캐리어가 CL에서 QD로 산란됩니다. 실온에서 1550nm QD 발광 PL 강도가 가장 강하게 나타나는 것은 CL에서 QD로의 캐리어 에너지 이완 과정이 QD에서 CL로의 열적 탈출 과정을 지배함을 나타냅니다.

그림 2. 물질 특성 분석 및 개략 밴드 다이어그램: (a) 시료 1, (b) 시료 2, (c) 시료 3의 11-300K PL 스펙트럼. (d) 시료 1, 2, 3의 고분해능 ω/2θ 스캔으로 GaAs (008) 기판 피크와 CL 회절 패턴. (e) 시료 2, (f) 시료 3의 개략 밴드 다이어그램.

시료 1, 2의 PL 특성 분석 결과, 1550nm 응용용 InAs/GaAs QD 시스템에는 비효율적 캐리어 이완 특성이 존재하며 더 큰 포논 밀도가 CL에서 QD로의 캐리어 이완을 촉진함을 알 수 있습니다. 본질적으로 약한 캐리어 이완은 CL에 의해 결정되는 전자 밴드 구조에 기인합니다. QD 물질에서 CL과 QD 밴드 오프셋이 CL의 종방향 광학(LO) 포논 에너지보다 훨씬 커서 CL의 캐리어가 단일 포논 방출이 아닌 다중 포논 방출을 통해 QD 준위로 이완해야 합니다. 1550nm용 InAs/GaAs QD에서 CL과 QD 밴드 구조의 큰 밴드 오프셋으로 인해 약한 캐리어 이완 과정을 근본적으로 제거할 수는 없지만, 전자 밴드 구조와 포논 밴드 구조를 조정하여 다중 포논 산란 과정을 개선할 수 있습니다. 1550nm QD의 캐리어 이완 향상을 위해 (In_0.20Ga_0.80As/In_0.30Ga_0.70As)₅ SSL 구조를 CL로 사용하여 InGaAs CL을 대체했습니다. SSL CL은 브릴루앙 존 폴딩 효과[37]로 더 많은 포논 진동 모드와 훨씬 큰 포논 밀도를 제공할 것으로 기대됩니다. 그림 1c와 같이 시료 3은 시료 2와 동일한 구조이나 CL로 5주기 10nm 두께 In_0.20Ga_0.80As/In_0.30Ga_0.70As SSL을 사용했습니다. 그림 2d는 시료 1, 2, 3의 XRD 패턴입니다. 모든 시료에서 66.1°의 강한 피크가 입방 GaAs의 (008) 면 회절로 할당됩니다. 시료 1, 2에서 6nm 두께 In_0.33Ga_0.67As CL 구조에 의한 명확한 위성 피크가 64.0° 부근에서 관측됩니다. 시료 3의 In_0.20Ga_0.80As/In_0.30Ga_0.70As SSL은 64.4° 부근에서 위성 피크를 보이며, In_0.33Ga_0.67As CL 대비 더 큰 각도로 이동함은 평균 인듐 함량 감소를 시사합니다[38, 39]. SSL CL이 InAs/GaAs QD 광학적 특성에 미치는 영향을 이해하기 위해 시료 3의 온도 의존적 PL 스펙트럼도 측정했습니다(그림 2c). 시료 1, 2와 유사하게 200K 미만에서 1550nm InAs/GaAs QD 발광은 뚜렷하지 않으며 온도 상승에 따라 점차 강해집니다. 주목할 점은 시료 3에서 1550nm QD 발광 피크가 시료 1, 2(약 250K)보다 훨씬 낮은 200K 부근에서 나타나며, 실온에서 CL 발광 대비 상대 강도가 훨씬 높고 PL 강도가 시료 2 대비 약 10배 강하다는 것입니다. 이는 SSL CL이 CL에서 QD로의 캐리어 이완을 크게 촉진하여 QD 내 복사 재결합을 크게 향상시킴을 나타냅니다. SSL CL의 고품질과 감소된 인듐 함량이 캐리어 이완 거동을 효과적으로 조절하고 QD의 캐리어 포획을 강화한 것이 주된 이유입니다.

다중 포논 매개 캐리어 산란 과정에 대한 더 깊은 통찰을 위해 서로 다른 CL 타입을 가진 InAs/GaAs QD 시스템의 밴드 구조를 비교했습니다. 단순화를 위해 CL과 QD 밴드갭 차이는 PL 피크 에너지 차이로 추정할 수 있습니다. 그림 2e, f와 같이 300K에서 시료 2와 3의 CL과 InAs QD 간 밴드갭 차이는 PL 측정으로부터 각각 143meV, 114meV로 결정됩니다. 밴드 오프셋이 CL과 QD 전도대 에너지 차이의 약 60%라고 가정하면[40], 전자는 시료 2에서 86meV, 시료 3에서 68meV 이완되어 CL 에너지 준위에서 InAs QD 최저 에너지 준위로 산란되어야 합니다. InGaAs 합금의 LO 및 종방향 음향(LA) 포논 에너지는 각각 34, 9meV입니다[40, 41]. 다중 포논 산란 과정에서 시료 3은 2개 LO 포논 조합으로 CL에서 QD로 전자 산란이 가능하나, 시료 2는 2개 LO 포논 외에 1개 LO 또는 2개 LA 포논이 추가로 필요합니다. 다중 포논 산란 과정에 더 많은 포논 모드가 관여할 때 전자 이완율이 심각하게 감소함이 입증되었습니다[42-45]. 따라서 시료 3의 전자 이완율이 시료 2보다 커 시료 3에서 QD PL 강도가 크게 향상된 이유를 설명합니다. 실제로는 SSL CL의 감소된 인듐 함량과 캐리어 이완 과정에서 약화된 포논 병목 효과가 시료 3의 QD PL 강도 향상의 주된 이유입니다.

SSL CL에 의한 캐리어 이완 향상 효과를 추가 검증하기 위해 300K에서 여기 전력 의존적 PL 스펙트럼을 측정했습니다. 그림 3a, b, c와 같이 CL(피크 1)과 InAs QD(피크 2) 피크 강도는 여기 전력 증가에 따라 점차 증가하며 피크 위치 이동은 관측되지 않습니다. 그림 3a, b에서 고여기 전력 시 피크 1 강도가 피크 2보다 훨씬 강한 반면(시료 1, 2), 시료 3은 측정된 모든 여기 전력 범위에서 훨씬 강한 QD 발광을 보입니다. 이들 시료의 피크 2/피크 1 PL 강도 비를 여기 전력 함수로 정리한 것이 그림 3d입니다. 2000mW 여기 전력에서 피크 2/피크 1 강도 비는 시료 1, 2 각각 0.21, 0.29로(그림 3d), 많은 캐리어가 InGaAs CL에서 재결합하고 CL에서 InAs QD로의 캐리어 이완이 비효율적 이완율로 심각하게 저해됨을 나타냅니다. 시료 1 대비 시료 2의 피크 2/피크 1 강도 비 증가는 In_0.18Ga_0.82As 버퍼 층에 의한 더 많은 핵생성 중심으로 더 높은 도트 밀도 달성 때문일 수 있습니다[24]. 시료 3에서 2000mW 여기 전력 시 피크 2 강도가 피크 1의 약 2.1배로, SSL 캡 InAs QD에서 캐리어 이완 효율이 크게 향상됨을 보여줍니다. 또한 SSL 캡핑 층의 평균 인듐 함량이 시료 1, 2 CL의 33%보다 낮은 약 25%임에도 불구하고, 시료 3의 피크 1 발광 파장(~1337nm)이 시료 1, 2(~1310nm)보다 약간 긴 것은 훨씬 두꺼운(10nm) SSL 층에서 양자 구속 효과가 감소했기 때문으로 판단됩니다.

그림 3. 전력 의존적 PL 측정: (a) 시료 1, (b) 시료 2, (c) 시료 3의 실온 20-2000mW 전력 의존적 PL 스펙트럼. (d) 시료 1, 2, 3의 펌핑 전력에 따른 피크 2/피크 1 강도 비.

SSL 캡 InAs/GaAs QD의 우수한 광학적 특성을 바탕으로 QD-SESAM으로 펨토초 펄스 생성 응용을 시연했습니다. 1550nm SSL 캡 InAs/GaAs QD-SESAM은 흡수 층으로 한 층의 SSL 캡 InAs/GaAs QD를 사용하고, 바닥면 DBR 미러는 31주기 무도핑 GaAs(115nm)와 Al_0.98Ga_0.02As(134nm) 층으로 구성됩니다. QD-SESAM 상세 구조는 그림 4의 단면 TEM 이미지로 확인됩니다. 흡수 층 QD 평균 도트 밀도는 4.4×10¹⁰ cm^-2로 추정되며, AFM 이미지(그림 4)에서 평균 도트 높이와 측면 크기는 각각 7.5nm, 40nm입니다. SESAM은 일반적인 밸런스드 트윈 디텍터 셋업[46]으로 특성 평가하여 포화 강도 13.7 MW/cm²와 비선형 변조 깊이 1.6%를 달성했습니다. 그림 4와 같이 QD-SESAM을 EDF 레이저 캐비티에 삽입해 수동 모드 잠금 레이저를 구축했습니다. 표준 23.75m 단일모드 파이버와 0.75m EDF를 이득 매질로 사용하여 캐비티 길이는 24.5m입니다. 980nm 파장 반도체 DFB 레이저 다이오드(LD)를 펌프 소스로 사용하고 980/1550nm 파장 분할 다중화기(WDM)로 펌프 에너지를 파이버 레이저 캐비티에 결합했습니다. 편광 독립형 아이솔레이터(PI-ISO)와 편광 제어기(PC)로 단방향 광 전달과 캐비티 내 모드 잠금 상태 최적화를 보장했습니다. 1550nm 광 서큘레이터(CIR) 포트 1은 PC에, 포트 2는 QD-SESAM에, 포트 3은 10/90 출력 커플러(OC)(10% 출력, 90% 입력)에 연결했습니다.

그림 4. 1550nm QD-SESAM을 이용한 모드 잠금 파이버 레이저 실험 셋업. 인셋: QD-SESAM 단면 TEM 이미지와 1×1μm² 1550nm QD AFM 이미지.

펌프 전력이 50mW 이상일 때 모드 잠금 거동이 달성됩니다. 그림 5a와 같이 이 모드 잠금 레이저의 출력 전력은 펌프 전력 증가에 따라 선형적으로 증가하며 선형 피팅으로 기울기 효율 약 4.82%를 얻었습니다. 그림 5b와 같이 3.2nm 3dB 대역폭을 가진 전형적인 컨벤셔널 솔리톤 스펙트럼이 관측되었으며 중심 파장은 1556nm입니다. 그림 5c의 RF 스펙트럼에서 8.16MHz 반복률이 관측되어 24.5m 캐비티 길이와 일치합니다. 신호대잡음비는 약 51dB로 SSL 캡 QD-SESAM으로 안정적 모드 잠금 작동의 높은 잠재력을 보여줍니다. 임계 펌프 전력 50mW에서 장기 안정 모드 잠금 측정을 수행하여 1주일 이상 안정적 연속 작동을 달성했습니다. 그림 5d는 가우시안 피팅 프로파일로 피팅된 자기상관 트레이스로 약 920fs 실제 펄스 지속 시간을 보여줍니다. 비교를 위해 시료 2 구조 기반 QD-SESAM(포화 강도 15.7 MW/cm², 비선형 변조 깊이 0.4%)으로는 2.7ps 펄스 폭이 생성되었습니다[47]. SSL 캡 QD 기반 QD-SESAM으로 달성된 훨씬 짧은 펄스 지속 시간은 증가된 변조 깊이 덕분이며, SSL 캡핑 층에 의한 향상된 캐리어 이완 효율이 포화 강도 감소의 원인으로 여겨집니다. 또한 다른 5개 SSL 캡 QD-SESAM으로 모드 잠금 파이버 레이저를 구축했는데 모두 장기 안정성을 보여 SESAM의 높은 재현성과 신뢰성을 입증했습니다.

그림 5. 개발된 모드 잠금 파이버 레이저 특성: (a) 출력 전력 대 펌프 전력, (b) 출력 광 스펙트럼, (c) 모드 잠금 파이버 레이저 RF 스펙트럼, (d) 자기상관 트레이스.

결론

결론적으로, 1550nm 응용용 InAs/GaAs QD를 MBE 기술로 성장시켰으며 QD 캡핑 층으로 InGaAs 합금 층과 SSL을 각각 사용했습니다. 온도 의존적 및 전력 의존적 PL 분광 분석 결과, In_0.33Ga_0.67As 합금 CL을 (In_0.20Ga_0.80As/In_0.30Ga_0.70As)₅ SSL CL로 변경함으로써 CL과 QD 구조의 전도대 오프셋이 86meV에서 68meV로 수정되어 더 효율적인 다중 포논 관여 캐리어 산란이 달성되었고, 이로 인해 더 많은 캐리어가 QD 구조에서 복사 재결합하여 1550nm 발광이 현저히 향상되었습니다. SSL 캡 InAs/GaAs QD로 성장시킨 QD-SESAM은 훨씬 향상된 포화 강도 13.7 MW/cm²와 비선형 변조 깊이 1.6%를 보이며, 이 QD-SESAM으로 구축한 모드 잠금 파이버 레이저에서 1556nm 동작, 920fs 펄스 지속 시간을 달성했습니다. QD 캡핑 층으로 SSL 설계를 적용한 개발된 QD-SESAM은 고성능 초고속 레이저를 향한 새로운 길을 열어줄 것입니다.

데이터 및 재료 가용성

본 연구 동안 생성 및/또는 분석된 데이터셋은 해당 저자에게 합리적 요청 시 제한 없이 제공 가능합니다.

약어

2D:

이차원

AFM:

원자력 현미경

BL:

버퍼 층

CIR:

서큘레이터

CLs:

캡핑 층

DBR:

분산 브라그 반사경

EDF:

Er븀 도핑 파이버

LA:

종방향 음향

LD:

레이저 다이오드

LO:

종방향 광학

MBE:

분자빔 에피택시

MLs:

단일층

OC:

출력 커플러

PC:

편광 제어기

PI-ISO:

편광 독립형 아이솔레이터

PL:

광발광

QDs:

양자점

QW:

양자 우물

RT:

실온

SA:

포화 흡수체

SESAMs:

반도체 포화 흡수 거울

SSL:

단주기 초격자

TEM:

투과 전자 현미경

WDM:

파장 분할 다중화기