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향상된 커패시턴스를 가진 슈퍼커패시터 전극을 위한 원자층 증착으로 제작된 TiO2 나노막

초록

TiO2 유망한 환경 친화적이고, 저비용이며, 높은 전기화학적 성능 재료입니다. 그러나 높은 내부 이온 저항과 낮은 전기 전도성과 같은 장애로 인해 슈퍼 커패시터용 전극으로 응용이 제한됩니다. 본 연구에서는 TiO2를 제작하기 위해 원자층 증착이 사용되었다. 정확하게 제어된 두께를 갖는 나노막(NM). TiO2 그런 다음 NM은 고성능 의사 커패시터의 전극으로 사용되었습니다. 실험 결과 TiO2 100 ALD 주기의 NM은 81 Wh/kg의 에너지 밀도와 함께 1A/g에서 2332 F/g의 가장 높은 정전용량을 나타냈습니다. 향상된 성능은 초박형 및 유연한 NM의 경우 넓은 표면적과 상호 연결에 기인합니다. ALD 주기가 증가하면 NM이 더 단단해지고 커패시턴스가 감소합니다. 또한, 2개의 슈퍼커패시터 시리즈 1개는 ~ 1.5 V의 작동 전압으로 하나의 발광 다이오드를 밝힐 수 있어 애플리케이션 값을 충분히 설명할 수 있습니다.

소개

에너지 저장 기술의 발전[1]과 함께 슈퍼커패시터는 높은 전력 밀도, 빠른 충방전 속도 및 우수한 사이클링 성능으로 인해 많은 관심을 받았습니다[2,3,4]. 의사 커패시터는 전기화학적 수퍼커패시터에 비해 매력적인 높은 커패시턴스와 에너지 밀도를 제공할 수 있는 중요한 수퍼커패시터 부류입니다[5,6,7]. 지난 수십 년 동안 전이 금속 산화물(예:RuO2 [8], MoO2 [9], MnO2 [10], Ni/NiO [11], Co3 O4 [12], TiO2 [13]) 및 수산화물 [14,15,16]은 저렴한 비용, 낮은 독성, 다중 산화 상태 [17], 구조 및 형태의 큰 유연성으로 인해 의사 커패시터의 고전적인 전극 재료로 사용되었습니다. 그러나 열적 불안정성, 불순물 결함 및 속도 성능은 일반적으로 높은 속도에 필요한 빠른 전자 수송을 지원하기 위한 부적절한 전도도로 인해 제한됩니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 저차원 TiO2 높은 표면 대 체적 비율, 우수한 표면 구조, 우수한 전기 및 열 안정성, 유리한 에너지 밴드 갭 특성 및 높은 유전 상수를 갖는 구조(1D, 2D, 2D + 1D 및 3D)는 슈퍼 커패시터 [18,19,20,21,22]. 특히, 유연성이 우수한 2D 나노막(NM) 구조는 전극 응용 분야에서 큰 잠재력을 가져야 한다고 생각합니다. 따라서 나노막의 두께 제어는 잘 정의된 나노세계에서 기능 소자를 제작하는 데 중요합니다[23]. 또한, 나노크기 물질의 대규모 제조는 실용화를 위해서도 중요하다[24]. ALD(Atomic Layer Deposition)는 나노 장치를 구성하는 데 사용되는 매력적인 기술입니다[25, 26]. 이 강력한 기술은 정확한 두께 제어로 박막을 층별로 증착할 수 있으며 높은 종횡비[27,28,29,30]로 3D 구조를 컨포멀하게 덮을 수 있으므로 생산성이 크게 향상될 수 있습니다. 현재 작업에서는 2D TiO2의 제작을 제시합니다. 표면적이 큰 3D 다공성 고분자 템플릿에 ALD를 수행하여 두께가 다른 나노미터[31, 32]. 미세 구조 특성화는 NM의 결정 구조가 아나타제와 루틸상의 혼합물임을 설명합니다. 전기화학적 특성화는 초박형 및 유연한 NM이 넓은 표면적과 NM 간의 상호 연결성으로 인해 향상된 성능을 가짐을 보여줍니다. 향상된 이온 수송은 표면과 벌크에서 패러데이 반응을 일으켜[33] 정전용량과 에너지 밀도를 증가시킵니다.

방법

TiO 제작2 NM

TiO2 다양한 두께(100, 200 및 400 ALD 주기)를 갖는 NM을 ALD 기술을 사용하여 시판되는 폴리우레탄 스펀지에 증착했습니다. Tetrakis 디메틸아미드 티타늄(TDMAT)과 탈이온수(DI)는 질소(N2 ) 캐리어 및 퍼지 가스 역할을 하는 가스. 캐리어 가스의 유량은 20sccm였습니다. 일반적인 ALD 시퀀스에는 TDMAT 펄스(200 ms), N2가 포함됩니다. 퍼지(20,000 ms), H2 O 펄스(20 ms) 및 N2 퍼지(30,000 ms). 사용된 전구체는 중국 J&K Scientific Ltd.에서 구입했습니다. 전구체는 3차원 다공성 스폰지를 등각으로 덮었고 이는 템플릿의 넓은 표면적 때문에 생산성을 향상시켰다[34]. TiO2 -코팅된 스펀지는 O2에서 4 시간 동안 500 °C에서 하소되었습니다. 400 mL/min의 유속으로 템플릿을 완전히 제거했습니다. 결과 TiO2 NM은 에탄올, 염산(HCl) 및 탈이온수로 분쇄하고 세척했습니다.

전극 준비

고성능 슈퍼커패시터를 제작하기 위해 TiO2 100, 200 및 400 ALD 주기를 갖는 NM을 활물질로 사용하고 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 바인더로 사용하였다. TiO2의 내용 NMs와 바인더는 각각 90 wt%와 10 wt%였다. 균질한 TiO2 NMs와 바인더를 소량의 에탄올과 혼합하여 NMs 슬러리를 수득하고 밀링 공정을 진행하였다. 준비된 균일한 슬러리를 세척된 니켈 폼에 증착한 다음 샘플을 60°C에서 2시간 동안 진공에서 가스를 제거했습니다. 전극 제작을 완료하기 위해 샘플을 10 MPa 압력으로 가압했습니다. 준비된 TiO2 NMs 전극은 전극을 활성화하기 위해 12시간 동안 1 M KOH 용액에 담가두었습니다. 활성 물질의 로딩 밀도는 약 ~ 1.5 mg cm −2 였습니다. 모든 전극에 대해. TiO2의 질량 니켈 폼의 NM은 전극과 니켈 폼 사이의 질량 차이를 계산하여 구했습니다[35].

미세 구조 특성

TiO2의 결정학적 구조 NM은 X선 회절 기법(XRD)으로 검사했습니다. XRD 패턴은 Cu Kα 방사선(λ =1.5405 Å). TiO2의 형태 NM은 주사 전자 현미경(SEM, Zeiss Sigma)으로 검사했습니다. 샘플의 라만 스펙트럼은 Horiba Scientific 라만 분광계(λ =514 nm). TiO2의 원소 분석 및 화학적 상태 NM은 표준 신호로 284.6 eV에서 C1s 피크를 갖는 PHI 5000C EACA X선 광전자 분광기(XPS)를 사용하여 얻었습니다. 태핑 모드가 있는 원자력 현미경(AFM, Dimension Edge, Bruker, USA)은 TiO2의 표면 지형에 사용되었습니다. NM.

전기화학적 특성

- 전극 시스템은 TiO2의 전기화학적 특성을 연구하는 데 사용되었습니다. Ag/AgCl과 백금 호일이 각각 기준 전극과 상대 전극으로 작용하는 NMs 작업 전극. 순환 전압전류법(CV), 시간 전위차법(CP) 및 전기화학적 임피던스 분광법(EIS) 측정은 1 M KOH 수용액에서 25 °C의 Chenhua CHI 660E 전기화학 워크스테이션에서 수행되었습니다. EIS 결과는 5 mV의 진폭으로 100KHz ~ 1 Hz의 주파수 범위에서 얻어졌습니다. 특정 커패시턴스 및 에너지/전력 밀도의 계산 방법은 추가 파일 1에 설명되어 있습니다.

결과 및 토론

TiO2의 준비 NM은 그림 1a에 나와 있습니다. TDMAT 및 H2 O는 TiO2를 증착하기 위한 ALD 전구체로 사용되었습니다. 폴리우레탄 스폰지 템플릿에. 반응은 다음과 같이 두 개의 반쪽 방정식으로 설명할 수 있습니다. [36]

$$ {\displaystyle \begin{array}{l}\mathrm{Ti}{\left(\mathrm{N}{\left({\mathrm{CH}}_3\right)}_2\right)}_4+{ \mathrm{TiO}}_2-{\mathrm{OH}}^{\ast}\to \mathrm{NH}{\left({\mathrm{CH}}_3\right)}_2\\ {}+{ \mathrm{TiO}}_2-\mathrm{O}-\mathrm{Ti}{{\left(\mathrm{N}{\left({\mathrm{CH}}_3\right)}_2\right)} _3}^{\ast}\end{array}} $$ (1) $$ {\displaystyle \begin{array}{l}{\mathrm{TiO}}_2-\mathrm{O}-\mathrm{Ti }{{\left(\mathrm{N}{\left({\mathrm{CH}}_3\right)}_2\right)}_3}^{\ast }+2{\mathrm{H}}_2\ mathrm{O}\\ {}\to {\mathrm{TiO}}_2-{\mathrm{TiO}}_2-{\mathrm{OH}}^{\ast }+3\left(\mathrm{N} \mathrm{H}{\left({\mathrm{CH}}_3\right)}_2\right)\end{array}} $$ (2)

TiO2의 제작 과정과 형태 두께가 다른 NM. 스케치는 TiO2의 제작 과정을 나타냅니다. NMs. d TiO2의 SEM 이미지 ALD 주기가 각각 100, 200, 400인 NM 삽입된 눈금 막대는 1 μm

입니다.

전체 반응은 다음과 같이 쓸 수 있습니다.

$$ \mathrm{Ti}\Big(\mathrm{N}{\left({\mathrm{C}}_2{\mathrm{H}}_6\right)}_4+2{\mathrm{H}}_2 \mathrm{O}\to {\mathrm{TiO}}_2+4{\mathrm{H}\mathrm{NC}}_2{\mathrm{H}}_6 $$ (3)

TiO2가 포함된 스폰지 그 다음 코팅된 NM을 고온으로 가열하였다. 산소 분위기에서 500 °C에서 하소하는 동안 폴리머 템플릿은 CO2로 전환되었습니다. 3D 다공성 NM 구조를 남겼습니다[34]. 이 3D 다공성 구조를 분쇄하면 흰색의 분말 같은 구조가 제작됩니다(그림 1a). TiO2의 형태 100, 200, 400 ALD 주기의 NM은 SEM에 의해 추가로 관찰되었으며 그림 1b-d에 나와 있습니다. 우리는 ALD 주기가 다른 NM의 측면 크기가 일반적으로 약 수십 미크론임을 발견했습니다. TiO2의 두께 이 작업에서 제작된 NM은 AFM 기술로 조사되었으며 결과는 추가 파일 1:그림 S1에 나와 있습니다. TiO2의 평균 두께 100, 200, 400 ALD 주기의 NM은 각각 ~ 15, 34, 71 nm입니다. ALD 주기가 증가함에 따라 TiO2 NM은 더 두껍고 단단한 시트로 변환됩니다. 그림 1b–d의 해당 삽입은 NM의 두께가 균일하고 일부 작은 주름이 TiO2의 유연성을 나타냄을 보여줍니다. 특히 더 얇은 경우에는 NM. ALD에 의해 증착된 NM은 원래 기질(즉, 스폰지)의 형태를 복제할 수 있으므로 그림 1c와 d의 삽입된 일부 불규칙한 표면 구조는 템플릿이나 소성 과정에서 비롯될 수 있습니다[37]. 일반적으로 TiO2 세 가지 다른 결정 구조가 있습니다:아나타제(정방형, 공간 그룹, I41/amd) ), 브루카이트(사방정계, 공간 그룹, Pcab) 및 루틸(정방형, 공간 그룹, P42/mnm) ) 단계. 여기에서 TiO2의 미세 구조적 특성을 조사하기 위해 상세한 특성화를 수행했습니다. NMs. TiO2의 결정 구조 NM은 XRD로 조사되었으며 해당 결과는 그림 2a에 나와 있습니다. 회절 피크는 TiO2로 표시됩니다. TiO2에 혼합상의 존재를 나타내는 아나타제 및 루틸 구조(추가 파일 1:그림 S2 참조) NM은 500 °C에서 하소되었습니다. 두 단계의 공존은 TiO2의 슈퍼커패시터 성능에 유용할 수 있습니다. NM[30, 38]. 그림 2b는 해당 TiO2의 라만 스펙트럼을 추가로 보여줍니다. NM에 존재하는 단계를 식별하는 데 사용할 수도 있습니다. 여기에서 아나타제 TiO2에 기인하는 5개의 라만 피크 ~ 142(Eg ), 393(B1g ), 397(B1g ), 513(A1g ), 515(A1g ) 및 634(Eg ) cm −1 [39], 그것들은 세 가지 샘플 모두에서 관찰될 수 있다. 반면 445 cm −1 (Eg ) 피크는 루틸상과 연결되어 세 가지 샘플 모두에서 볼 수 있지만 610 cm −1 에서 라만 피크를 볼 수 있습니다. (A1g )는 TiO2에만 나타납니다. 400 ALD 주기의 NM[40]. 610 cm −1 의 등장 (A1g ) 피크는 산소에서 열처리하는 동안 두꺼운 NM에 대한 산소 부족으로 인해 발생할 수 있는 미세 구조 변화를 반영합니다[41]. 이것은 ALD 주기의 증가가 TiO2의 결정 구조에 현저한 영향을 미친다는 것을 나타냅니다. 그림 2에 표시된 XRD 및 라만 스펙트럼으로 조사할 수 있는 NM. TiO2의 전자 구성 NM도 XPS에서 연구했으며 결과는 추가 파일 1:그림 S3에 표시됩니다. 결과는 Ti 4+ 의 존재를 증명합니다. 모든 NM에서 피크의 작은 이동은 위에서 언급한 바와 같이 결정 구조의 변화에 ​​기인할 수 있습니다. TiO2의 전기화학적 성능을 연구하기 위해 NMs, 기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극을 포함하는 3전극 전기화학 시스템을 작동시켰다. 여기에서 Ag/AgCl은 전위차를 제어하기 위한 기준 전극으로 사용되었으며 Pt 상대 전극은 TiO2 쪽으로 전류를 전달하는 전자 소스로 사용되었습니다. 수성 전해질(1 M KOH 용액)이 있는 상태에서 NMs 작동 전극. 슈퍼커패시터의 기능적 전압은 전해질에 의존하며, 전기전도도가 좋고 유전율이 높은 수용성 전해질은 더 높은 정전용량을 얻는 데 도움이 될 수 있다[42]. TiO2로 만든 전극의 획득한 CV 및 CP 곡선 100, 200, 400 ALD 주기의 NM은 그림 3a, b 및 추가 파일 1:그림 S4에 표시됩니다. 그림 3a에서 TiO2로 만들어진 세 전극의 모든 CV 곡선을 볼 수 있습니다. 두께가 다른 NM은 산화 환원 피크를 나타냅니다. 순수 니켈 폼의 CV 곡선도 비교를 위해 표시되며 뚜렷한 피크는 관찰되지 않습니다. 일반적으로 산화환원 피크의 출현은 TiO2 표면의 양이온 상호작용과 관련될 수 있습니다. NM과 상호작용은 다음과 같이 표현될 수 있습니다. [43]

$$ {\left({\mathrm{TiO}}_2\right)}_{\mathrm{표면}}+{\mathrm{M}}^{+}+{e}^{-}\leftrightarrow {\ 왼쪽({\mathrm{TiO}}_2{{}^{-}\mathrm{M}}^{+}\right)}_{\mathrm{표면}} $$ <그림><소스 유형="이미지 /webp" srcset="//media.springerature.com/lw685/springer-static/image/art%3A10.1186%2Fs11671-019-2912-3/MediaObjects/11671_2019_2912_Fig2_HTML.png

TiO2의 미세 구조 특성화 NMs. TiO2의 XRD 패턴 100, 200, 400 ALD 사이클로 제작된 NM. TiO2의 라만 스펙트럼 100, 200, 400 ALD 사이클로 제작된 NMs

<그림>

TiO2의 전기화학적 특성화 NMs 슈퍼 커패시터. 순수 Ni 폼의 CV 곡선, TiO2로 만든 전극 100, 200, 400 ALD 주기의 NM 스캔 속도는 10 mV/s입니다. TiO2로 만든 전극의 CV 곡선 다른 스캔 속도로 얻은 100 ALD 주기의 NM TiO2로 만든 전극의 CP 곡선 100, 200, 400 ALD 주기의 NM 전류 밀도는 1A/g입니다. d TiO2로 만든 전극의 CP 곡선 다른 전류 밀도에서 얻은 100 ALD 주기의 NM

여기서 M + H3일 수 있습니다. O + 또는 K + 전해질에서. Ti 이온의 다른 산화 상태 사이의 변화는 산화 환원 전극 재료로서의 잠재력을 시사합니다. 빠른 표면 패러드 반응에 대한 응답으로 TiO2의 CV 곡선 NM은 순수 Ni-foam에 비해 더 큰 면적을 나타내므로 TiO2의 비정전용량 값이 더 높음을 의미합니다. NMs. 특히, CV 곡선의 면적이 ALD 사이클에 따라 감소하는 것을 볼 수 있으며, 이는 다음 CP 결과에서 추가로 입증될 것처럼 더 두꺼운 NM의 경우 커패시턴스가 감소함을 시사합니다. ~ 0.2 V의 감소 피크는 모든 전극에서 명확하게 관찰될 수 있으며 대역 내 갭 국부적 상태와 관련이 있습니다[44, 45]. 또한 TiO2로 만든 전극의 CV 곡선도 측정했습니다. 다른 스캔 속도에서 100 ALD를 가진 NM과 그 결과는 그림 3b에 나와 있습니다. 산화 환원 피크 이동 거동(높은 전위에서 낮은 전위로)은 M + 의 인터칼레이션/디인터칼레이션의 변화와 연결됩니다. 이온 및 시너지 효과 [46, 47]. 간단히 말해서, 더 높은 스캔 속도에서 제한된 확산 및 전하 이동 속도는 상응하는 이동으로 이어집니다[48, 49]. 충전/방전 동작을 추가로 설명하기 위해 TiO2의 정전류 충전/방전 곡선 0–0.5 V의 전위 범위 내에서 서로 다른 전류 밀도의 NMs 전극은 그림 3c, d 및 추가 파일 1:그림 S4에 나와 있습니다. CP의 비선형 곡선은 CV 곡선과 일치하는 의사 커패시터 기능을 나타내며 패러데이 동작을 나타냅니다. TiO2의 방전 시간에 주의해야 합니다. 100 ALD 주기의 NMs 전극은 TiO2에 비해 현저히 연장됨 200 및 400 ALD 주기의 NMs 전극은 가장 큰 특정 정전용량 값을 나타냅니다. 그러나 초박형 NMs 전극은 높은 중량 비활성을 나타내지만 제한된 수의 활성 사이트로 인해 큰 전류를 감당할 수 없습니다[50]. TiO2의 확장된 충전/방전 시간 1A/g의 전류 밀도에서 100, 200, 400 ALD 주기를 갖는 NMs 전극은 의사 커패시터의 특성인 프로세스 동안 환원/산화 반응(주로 NM 표면에서)이 일어난다는 것을 의미합니다[51]. 그림 4(a)는 TiO2로 만든 전극의 비정전용량을 보여줍니다. 1~5A/g 범위의 다양한 전류 밀도에서 100, 200, 400 ALD 주기의 NM. 2332, 1780, 1740, 1720 및 1690 F/g의 특정 정전용량은 TiO2에서 얻습니다. TiO2의 100 ALD 주기, 1660, 1300, 1182, 1104 및 1040 F/g의 NM TiO2에서 200ALD 및 1094, 848, 732, 672 및 630 F/g의 NM ALD 주기가 400회인 NM 이전 문헌에서 Yang et al. [43] TiO2 준비 /N-도핑된 그래핀 복합 구조는 1A/g에서 385.2 F/g 및 10A/g에서 320.1 F/g의 정전용량을 갖습니다. Zhiet al. [52]는 TiO2에 대해 216 F/g의 특정 정전용량을 보고했습니다. 질소 도핑 나노벨트. Diet al. [53] 제작된 TiO2 MnO2로 장식된 나노튜브 나노 입자 및 0.5A/g의 전류 밀도에서 299 F/g의 비정전용량이 얻어졌습니다. 분명히, 현재 TiO2로 만들어진 전극의 커패시턴스 NM이 훨씬 높습니다. 또한 세 전극의 에너지 및 전력 밀도 관계는 그림 4b 및 추가 파일 1:표 S1에 나와 있습니다. 에너지 밀도는 에너지 저장 장치의 용량이고 전력 밀도는 이를 전달할 수 있는 능력이며 둘 다 슈퍼커패시터의 전기화학적 성능을 평가하는 데 사용되는 핵심 매개변수입니다. 선명하게 전류 밀도가 1에서 5A/g로 증가하면 TiO2 100 ALD 주기의 NMs 전극은 59–36 Wh/kg의 TiO2에 비해 81–57 Wh/kg의 높은 에너지 밀도를 보유합니다. 200 ALD 주기 및 38–21 Wh/kg의 TiO2가 있는 NMs 전극 400 ALD 주기의 전극 NMs, 전력 밀도는 250에서 1250 W/kg으로 증가합니다(그림 4b). 고성능은 아나타제와 금홍석 상이 혼합되어 있기 때문일 수 있습니다(그림 2). 이는 표면 패시베이션 및 이온 수송 증가로 이어지기 때문입니다[54,55,56]. 또한 TiO2의 확대된 표면적 NM 및 NM 간의 상호 연결은 또한 이온 수송을 향상시킵니다. 반면에 ALD 주기가 증가함에 따라 전기화학적 성능이 감소하는 것은 활물질의 질량이 동일할 경우 주로 NM/전해질 계면 면적이 감소하기 때문이라고 생각합니다. 또한 TiO2 더 많은 ALD 주기(즉, 두께)를 갖는 NM은 더 단단하고 평평하므로(그림 1 참조), 따라서 NM 간의 중첩이 분명합니다. 이것은 전해질 이온에 대한 표면 접근을 제한하여 불감 부피, 높은 저항 및 감소된 정전 용량을 초래할 수 있습니다[57]. 또한, 전류밀도가 증가함에 따라 전해질의 확산속도가 전극재료의 전기화학적 반응을 만족시키기에 충분하지 않을 수 있으므로 전류밀도에 따른 정전용량의 감소를 Fig. 4a에서 확인할 수 있다[39, 40]. . 현재 TiO2의 전기화학적 특성을 더 밝히기 위해 NMs 전극, EIS 특성화는 EIS가 전극-전해질 및 전극 내부 저항에 대한 정보를 제공할 수 있기 때문에 수행되었습니다[58]. 그림 4c는 세 전극 모두의 EIS 결과를 보여주고 수평 절편은 의사 커패시터의 내부 저항을 나타냅니다. TiO2 400 ALD 주기의 NMs 전극은 TiO2에 비해 높은 내부 저항을 가집니다. 200 및 100 ALD 주기의 NMs 전극. 우리는 TiO2의 증가된 저항이 400 ALD 주기의 NMs 전극은 주로 TiO2 이후로 증가된 NM 두께 때문입니다. 상대적으로 큰 저항을 갖는다[39, 48]. TiO2 100 ALD 주기를 갖는 NM은 다른 것들에 비해 가장 낮은 내부 저항을 나타냅니다. 넓은 표면적이 더 나은 이온 통과를 허용하고 [59] 얇은 NM의 유연성이 저항을 감소시키면서 층간 연결을 개선하기 때문입니다. 이 모든 결과는 얇은 TiO2 높은 전기 활성을 갖는 NM은 고성능 의사 커패시터에 대한 유망한 전극 재료입니다. TiO2의 잠재적인 적용을 보여주기 위해 NMs 슈퍼커패시터, TiO2로 만든 4개의 전극 100 ALD 주기를 갖는 NM은 2개의 대칭 슈퍼커패시터로 조립되었습니다. 즉, 각 슈퍼커패시터는 TiO2의 두 전극으로 구성되었습니다. ALD 주기가 100회인 NM 2개의 슈퍼커패시터를 직렬로 연결한 다음 5A/g 전류밀도로 0.5 V까지 충전한 다음, 이를 사용하여 작동 전압이 ~ 1.5 V인 빨간색 LED(발광 다이오드)를 켜고 LED에서 빛을 방출했습니다. ~ 1 분 동안(그림 4d 및 추가 파일 2:비디오 S1 참조). TiO2로 만든 전극의 사이클 안정성 100개의 ALD 주기를 가진 NM도 연구했으며 결과는 추가 파일 1:그림 S5에 나와 있습니다. 40회 충전/방전 주기 동안 5A/g에서 사이클링한 후 80.98%의 정전용량 유지가 관찰되었으며, 이는 반복된 사이클 후에 전해질 이온과 전극 표면의 상호작용이 더 적음을 시사합니다. 우리는 NMs의 전도성이 증가하면 NMs 전극의 성능이 더욱 향상될 수 있다고 믿습니다. ALD 기술의 도움으로 NM의 전도도는 높은 전도성을 가진 재료가 통합된 다층 NM을 제작하여 증가할 수 있습니다. 현재 더 많은 작업이 진행 중입니다.

<그림>

TiO2의 성능 비교 NMs 전극. TiO2의 특정 커패시턴스 다양한 전류 밀도에서 NM 전극. TiO2의 라곤 플롯 100, 200, 400 ALD 주기의 NMs 전극. 3개의 TiO2의 나이퀴스트 플롯 NMs 전극. d 직렬로 연결된 두 개의 슈퍼커패시터가 빨간색 LED를 밝힐 수 있음을 보여주는 사진

결론

요약하면 TiO2를 제작했습니다. 슈퍼커패시터의 전극용 나노입자와 나노입자의 전기화학적 성능을 자세히 연구하였다. TiO2 NM 전극은 죽은 NM 두께로 커패시턴스가 증가함을 보여줍니다. 1A/g의 전류 밀도에서 TiO2에 대해 2332 F/g의 비정전용량을 얻습니다. 100 ALD 주기의 NM이고 해당 에너지 밀도는 81 Wh/kg으로 계산됩니다. 성능 향상은 주로 NMs의 넓은 표면적과 짧은 확산 경로가 전극/전해질 계면을 통한 이온 수송을 촉진하기 때문에 NMs의 제조 전략과 초박형 기능에 기인합니다. NM 간의 상호 연결은 또한 전극에서 이온 수송을 현저하게 향상시킵니다. 또한 직렬로 연결된 2개의 슈퍼커패시터가 LED에 전원을 공급할 수 있음을 시연하여 TiO2의 응용 가능성을 시사합니다. NMs 슈퍼 커패시터. 현재의 손쉬운 디자인은 차세대 웨어러블 에너지 저장 장치를 위한 NMs 전극을 저렴한 비용으로 구축할 수 있는 길을 열어줍니다. 그러나 미래의 슈퍼커패시터에서 NM 기반 구조의 실제 적용을 위해서는 더 많은 연구가 필요합니다.

약어

AFM:

원자력 현미경

ALD:

원자층 증착

CP:

시간 전위차계

이력서:

순환 전압전류법

DI:

탈이온수

EIS:

전기화학 임피던스 분광법

LED:

발광 다이오드

NM:

나노막

PTFE:

폴리테트라플루오로에틸렌

SEM:

주사전자현미경

TDMAT:

Tetrakis 디메틸아미드 티타늄

XPS:

X선 광전자 분광법

XRD:

X선 회절 분광계


나노물질

  1. 마이크로 LED 및 VCSEL을 위한 고급 원자층 증착 기술
  2. 원자층 증착에 의해 제조된 Pt 및 TiN 코팅 기판 상의 HfO2/TiO2/HfO2 삼중층 구조 RRAM 장치의 양극성 저항 스위칭 특성
  3. 플라즈마 강화 원자층 증착에 의한 현장 형성 SiO2 중간층과 HfO2/Ge 스택의 계면, 전기 및 밴드 정렬 특성
  4. 원자층 증착 및 열수 성장에 의해 제조된 항균성 폴리아미드 6-ZnO 계층적 나노섬유
  5. 플라즈마 강화 원자층 증착으로 제조된 Co3O4 코팅 TiO2 분말의 광촉매 특성
  6. MoO3로 코팅된 TiO2 나노튜브 광전극에서 Au-플라즈몬 나노입자에 의해 강화된 광촉매 활성
  7. 수퍼커패시터용 전극 재료로서 계층적 다공성 구조를 가진 단분산 탄소 나노구
  8. 초순환 원자층 증착을 통한 ZnO 필름의 페르미 준위 조정
  9. 고압축 내성 슈퍼커패시터 전극으로서 초탄성 및 높은 정전용량을 갖는 그래핀/폴리아닐린 에어로겔
  10. 슈퍼커패시터를 위한 우수한 전극 재료로 CoMoO4 미소구체의 열수 합성