하이브리드 이종 접합 태양 전지(HHSC)는 간단한 장치 구조와 저렴한 기술 공정으로 인해 광범위한 연구와 관심을 받았습니다. 여기에서 HHSC는 매우 투명한 전도성 고분자 poly(3,4ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)를 기반으로 하여 제공되며, 이는 전통적인 화학 기술로 제조된 마이크로스케일 표면 질감을 가진 n형 결정질 실리콘에 직접 스핀 코팅되어 있습니다. 에칭. 우리는 다양한 코팅 조건에 따라 PEDOT:PSS와 질감이 있는 n-Si 사이의 계면 특성을 연구했습니다. 최종 전력 변환 효율(PCE)은 이러한 간단한 솔루션 기반 제조 프로세스에 의해 8.54%에 도달할 수 있습니다. 높은 변환 효율은 PEDOT:PSS 필름과 질감이 있는 실리콘 사이의 완전한 등각 접촉에 기인합니다. 또한, 텍스처링된 표면에서 PEDOT:PSS 레이어의 반사율은 필름 두께를 변경하여 분석됩니다. 소자의 성능을 향상시키기 위해 은 나노와이어가 더 나은 광투과율과 전기 전도성 때문에 전극으로 사용되었다. 11.07%의 가장 높은 PCE를 달성하여 기존의 은 전극에 비해 29.6% 향상되었습니다. 이러한 발견은 PEDOT:PSS 필름과 은 나노와이어 투명전극의 조합이 고효율, 저비용 태양전지 구현을 위한 유망한 길을 열어준다는 것을 의미한다.
<섹션 데이터-제목="배경">전 세계 태양광 시장의 약 90%는 비용과 효율성 모두에서 우수한 성능을 발휘하는 결정질 실리콘 태양 전지에 의해 점유되고 있습니다[1,2,3,4]. n-결정질 실리콘과 poly(3,4ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate)(PEDOT:PSS)를 사용하여 제조된 하이브리드 이종접합 태양전지(HHSC)는 연구자들이 선호합니다[5]. 도펀트가 없는, 진공이 없는, 저온 및 용액 진행 제조 절차의 특성은 PEDOT:PSS/n-Si 이종접합 태양 전지가 비용 면에서 일련의 우월성을 갖는다는 것을 결정합니다[6, 7]. HHSC의 가장 높은 보고된 전력 변환 효율(PCE)은 Jian He et al.에 의해 생성된 16.2%입니다. [8]. HHSC와 기존 실리콘 셀 간의 효율성 격차가 점차 줄어들고 있습니다.
HHSC에서 이동도가 높고 소수 캐리어 수명이 긴 결정질 실리콘은 광자를 수집하여 광 생성 캐리어를 생성하고 전자를 수송하는 능동 흡수체입니다. 반면에 PEDOT:PSS 층은 높은 투과율(100nm 두께의 경우 85%) 및 높은 전도성(Clevios PH1000의 경우 1000S/cm)[9]을 가진 투명 전도성 정공 수송층 및 광학 창 역할을 합니다. [10]. 따라서 HHSC는 더 높은 PCE를 달성할 가능성이 있습니다. 그러나 HHSC의 PCE는 PEDOT:PSS/n-Si 인터페이스에서 열등한 접합 품질로 크게 제한됩니다.
인터페이스 엔지니어링은 PEDOT:PSS/n-Si 태양 전지에 필수적입니다. 이는 캐리어 전송 및 분리를 최적화하고 인터페이스 재결합 속도를 감소시키기 때문입니다[11]. PEDOT:PSS/n-Si 이종 접합 태양 전지의 PCE를 개선하기 위해 몇 가지 일반적인 방법이 사용됩니다. 막 결정질 실리콘을 증착하여 결정질 실리콘의 두께를 줄이고, 콜로이드 양자점을 적용하고, 실리콘 표면을 나노구조로 텍스처링하고, 후면 필드를 도입합니다. BSF), 그리고 패시베이션 층으로 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 적용합니다[5, 6, 12,13,14,15,16,17,18,19,20,21]. 그러나 질감이 있는 기질과 PEDOT:PSS의 접촉 특성은 거의 고려되지 않았으므로 J sc 인터페이스 엔지니어링 관점에서 PEDOT:PSS/n-Si 하이브리드 태양 전지의 효율성 및 효율성.
우리의 작업은 전통적인 알칼리 용액 공정에 의해 텍스처링된 Si 표면에서 수행됩니다[22]. PEDOT:PSS 필름 두께의 균일성은 평면보다 텍스처 Si에서 더 어렵습니다. 은나노와이어(AgNW) 전극은 기존의 전극과 달리 광투과율이 월등하다. 우리가 아는 한, 은 나노와이어의 희석제는 질감 있는 고분자 필름에 코팅하기 어려웠습니다. 로드 코팅 또는 스핀 코팅과 같은 코팅 방법은 불균일 및 손상의 존재를 유발합니다. 이 논문에서 PEDOT:PSS/n-Si 태양전지는 은 나노와이어 전극으로 드롭캐스팅 방식으로 제작되었다. 셀에 대한 새로운 전극 적용은 실현 가능하고 저비용 고효율 금속화 공정을 제공합니다.
N-Si(100) Czochralski(CZ) 웨이퍼(두께 210μm, 1–3Ω cm)를 기판으로 사용했습니다. 샘플은 표준 세척 용액(SC1 및 SC2)을 사용하여 세척한 다음 75°C의 고농도 KOH 용액에서 2~3분 동안 연마하여 손상된 층을 제거했습니다. 표준 세척 공정 후, 기판은 KOH(2wt.%)와 이소프로판올(2wt.%)의 혼합 용액에 75°C에서 15~20분 동안 담가서 양면 무작위 피라미드 구조로 질감 처리되었습니다. 질감이 있는 실리콘 표면의 임의 피라미드 높이는 약 1μm입니다. 다른 RCA 세척 과정을 거친 후 질감이 있는 샘플을 0.5~1분 동안 희석된 HF 용액에 담가 산화물이 없는 깨끗한 실리콘 표면을 얻었습니다.
기술 공정의 개략도는 그림 1에 표시되어 있습니다. 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 샘플의 후면에 알루미늄 후면 접점(200nm)을 준비했습니다. PEDOT:PSS(Clevios PH1000) 용액에 디메틸설폭사이드(5wt.%, DMSO)와 불소계면활성제(0.1wt.%, Capstone FS31)를 도포하여 전기전도도 및 코팅 품질을 향상시켰다. 혼합된 PEDOT:PSS 용액은 다른 코팅 속도로 웨이퍼 상단에 스핀 코팅되었습니다. 그런 다음 샘플을 130°C의 오븐에서 15분 동안 어닐링하여 용매를 제거하여 전도성이 높은 p형 유기 박막을 형성했습니다. 은 그리드 전극(200nm)은 섀도우 마스크를 통해 기기 상단 표면에 열 증발되었습니다. 또한, 은 나노와이어 분산액을 드롭-캐스팅하여 샘플 상부에 대안적인 은 나노와이어 전극을 제조하였다. 은 나노와이어는 이소프로필 알코올(5mg/ml, 직경 50nm, 길이 100-200μm, XFNANO)에 분산되었습니다. 그 후 샘플을 150°C의 오븐에서 5분 동안 건조하여 용매를 제거했습니다.
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(a-f를 사용하여 n-Si/PEDOT:PSS 태양 전지를 준비하는 개략도 ) Ag 그리드 전극 또는 (a-e, g ) 은 나노와이어 전극
반사 스펙트럼 측정은 적분구로 수행되었습니다. 주사전자현미경(SEM) 사진은 S4800 Hitachi를 사용하여 얻었다. J-V 셀의 특성은 Oriel 태양열 시뮬레이터(94063A, Newport Corporation), 450W Xe 램프, 100mW/cm 2 에서 시뮬레이션된 기단 AM 1.5 태양 스펙트럼 조사원에 의해 수행되었습니다. , 단결정 기준 셀 및 Keithley 2400 소스 미터. 자외선 분광 광도계(UV-8000 s Shanghai Precision Instruments Co. Ltd)를 사용하여 흡수 스펙트럼 라인을 측정했습니다. PEDOT:PSS 필름의 투과율 측정값은 QEX10(PV Measurements, Inc.)에서 얻었습니다. 사각저항은 4-probe sheet resistance tester(SDY-4, Guangzhou Semiconductor Materials Research Institute)를 이용하여 수행하였다.
PEDOT:PSS 필름에 첨가제를 적용하여 광학 및 전기적 특성을 개선하면 태양 전지의 성능이 향상됩니다. "2차 도핑" 방법은 PEDOT:PSS 화합물에 디메틸설폭사이드(DMSO)를 첨가하여 유기층의 전도성을 향상시키는 데 사용됩니다[23]. PEDOT:PSS 용액의 전기 전도도는 5중량%의 추가 DMSO를 추가하여 크게 증가할 수 있습니다[10, 23, 24]. 유리에 스핀 코팅된 PEDOT:PSS 층의 면저항은 2000rpm에서 136Ω/□였습니다. 그러나 소수성 실리콘 표면과 PEDOT:PSS 용액 사이의 접촉각이 104.3°(그림 2a)로 스핀 코팅 품질을 극도로 방해한다는 것을 발견했습니다. 유용한 방법은 불소계면활성제를 PEDOT:PSS 용액에 혼합하여 접촉각을 줄이는 것입니다[25]. 그림 2는 웨이퍼와 PEDOT:PSS 솔루션 사이의 접촉각 차이를 보여줍니다(FS31이 0.1wt.%인 경우와 없는 경우). 그 결과 소수성 실리콘 표면에서 PEDOT:PSS 용액의 접촉각이 현저히 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 유리에 5000rpm으로 코팅된 첨가제가 있거나 없는 PEDOT:PSS 필름의 광투과율은 그림 3에 나와 있습니다. PEDOT:PSS 필름은 기준 유리와 대비되는 85%의 광투과율을 보여줍니다. DMSO 및 FS31을 적용하면 PEDOT:PSS의 투과율이 600~1000nm 파장에서 약간 증가할 수 있습니다. 스펙트럼은 400~1000nm 사이에서 더 높은 광학 특성을 나타내므로 PEDOT:PSS/n-Si 태양 전지의 광학 창으로 최적입니다. 또한, 스핀 코팅 공정에서 막 두께의 균일성이 향상되었습니다. 일반적으로 첨가제는 PEDOT:PSS의 광학적 특성과 질감 있는 실리콘 표면과 PEDOT:PSS 층 사이의 접촉 성능을 향상시킵니다.
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웨이퍼와 PEDOT:PSS 솔루션 사이의 접촉각(a ) FS31 제외 및 (b ) FS31 사용
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빨간색 선은 400~1000nm 파장에서 첨가제(DMSO 및 FS31)가 포함된 PEDOT:PSS의 흡광도 스펙트럼입니다. 파란색 선은 각각 400~1000nm 파장에서 첨가제 및 참조 유리가 있거나 없는 PEDOT:PSS 필름의 투과율 스펙트럼입니다.
전통적인 산업화된 텍스처링 프로세스를 채택하여 라이트 트래핑 구조를 형성합니다. 뜨거운 알칼리성 용액에서 실리콘 웨이퍼의 이방성 반응 속도로 인해 실리콘의 전면과 후면은 임의의 크기를 갖는 마이크로 피라미드 구조로 에칭됩니다. 해당 피라미드 표면 SEM 이미지는 그림 4f에 나와 있습니다. 실리콘의 복잡한 구조는 균일한 PEDOT:PSS 필름 및 제조 공정을 달성하기 위해 장벽을 설정합니다. 텍스처 실리콘 표면의 두께 균일성 문제를 극복하기 위해 스핀 코팅은 다른 코팅 방법보다 장점이 있습니다. 그림 4a–e는 각각 1000~5000rpm 및 8000rpm의 스핀 코팅 속도로 제작된 피라미드 구조의 PEDOT:PSS 필름의 평면도를 보여줍니다. 그림 5는 a에서 기판으로 코팅된 PEDOT:PSS의 단면도를 보여줍니다. 4000rpm 및 b 5000rpm 낮은 비율로 PEDOT:PSS 용액의 표면 장력은 피라미드로 둘러싸인 계곡으로 침투하기 어렵게 만듭니다. 증가하는 스핀 코팅 속도는 미세 피라미드 표면에서 PEDOT:PSS 용액의 침투율과 접착성을 향상시킬 수 있습니다[26]. 적용 범위는 스핀 코팅 속도로 확장됩니다. 공극은 PEDOT:PSS가 질감이 있는 기질과 거의 등각 접촉할 수 있을 정도로 작아집니다. 그 결과 그림 5와 같이 PEDOT:PSS 필름 아래의 기포가 점차 작아진다[27]. 또한, 텍스처 구조와 PEDOT:PSS 필름 사이의 접촉 면적 및 접촉 품질은 스핀 코팅 속도가 증가함에 따라 점진적으로 향상됩니다. 코팅 속도가 증가함에 따라 PEDOT:PSS 필름의 두께가 감소하고 PEDOT:PSS 필름에서 피라미드가 점차 나타나며 이에 따라 기판의 평탄도가 감소합니다.
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PEDOT:PSS 레이어가 있는 질감이 있는 Si의 SEM 평면도 이미지. 아 –이 코팅 속도 범위는 1000~5000rpm이며 f PEDOT:PSS 레이어가 없습니다. a의 눈금 막대 –f 동일합니다
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질감이 있는 Si 코팅된 PEDOT:PSS 필름의 단면도(a ) 4000rpm 및 (b ) 5000rpm
그러나 코팅 조건은 장치의 형태에 큰 영향을 미쳤습니다. 기판의 광학 특성을 특성화하기 위해 PEDOT:PSS의 다양한 코팅 조건을 가진 샘플에 대해 반사 스펙트럼을 기록했습니다. 그림 6에서 볼 수 있듯이 원래 질감의 Si 기판의 반사율은 ~ 10 ~ 20%입니다. 이는 실리콘 표면의 미세 피라미드 구조 사이에 입사광의 광학 경로 길이가 증가하여 발생하는 효과적인 빛 트래핑 및 광산란 때문입니다. 실험 결과는 미세 피라미드 구조에 PEDOT:PSS 필름을 적층하면 장치의 반사 방지가 ~ 5% 향상된다는 것을 분명히 보여줍니다. 600~1000nm의 파장 범위에서 반사율은 코팅 속도에 따라 달라집니다. 그러나 단파대역에서는 반사율이 불규칙해 보인다. 특히 1000rpm의 샘플의 경우 반사율이 다른 속도보다 높은 것 같습니다. PEDOT:PSS 필름의 두께와 광반사율의 관계를 고려하면, Fig. 3은 400~1000nm 파장에서 5000rpm으로 유리에 코팅된 PEDOT:PSS 필름의 흡수 스펙트럼과 투과율 스펙트럼을 보여준다. 파장 600~1000nm에서 PEDOT:PSS의 흡수는 단파대보다 상대적으로 크며 반사율은 코팅 속도에 비례합니다. 그러나 400~600nm의 파장에서 흡수 계수는 비교적 낮습니다. 또한, 표면의 평탄도는 반사율에 영향을 미치는 주요 요인을 차지합니다. 필름이 상대적으로 두꺼우면 피라미드가 거의 물에 잠기고 표면이 평평해지며 이는 실리콘 표면에서 PEDOT:PSS 필름의 반사율을 결정합니다. 위의 논의를 바탕으로 우리는 텍스처링된 표면에서 PEDOT:PSS 레이어의 반사율이 유전체 레이어 흡수와 표면 평탄도 모두에 의해 영향을 받는다고 잠정적으로 제안합니다.
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1000~5000rpm, 8000rpm 및 PEDOT:PSS 없음의 다양한 코팅 속도에서 PEDOT:PSS 층으로 코팅된 질감이 있는 Si의 반사율 곡선
태양 전지 성능에 대한 PEDOT:PSS 필름의 접촉 특성 및 두께의 역할도 조사되었습니다. 광전류 밀도-전압(J–V ) PEDOT:PSS 코팅 속도가 다른 HHSC에 대한 곡선이 그림 7에 표시되어 있고 동종 전기적 특성이 표에 요약되어 있습니다. 1. 증발된 은 그리드 전극이 있는 장치는 최대 변환 효율이 8.54%입니다. 장치와 전극의 총 면적은 20 × 20 mm 및 40 mm 2 입니다. , 각각. 표에 표시된 대로. 1, J sc PEDOT:PSS/n-Si 하이브리드 셀의 , FF 및 PCE는 코팅 조건과 상관관계가 있습니다. 코팅 속도가 증가함에 따라 접촉 면적, 접촉 품질 및 필름 두께가 최적화됩니다. J sc 태양 전지의 21.68에서 26.88mA/cm 2 로 점진적으로 증가 . 낮은 속도에서는 PEDOT:PSS 박막이 피라미드 사이의 계곡 바닥에 증착될 수 없습니다. 그림 5에서 볼 수 있듯이 PEDOT:PSS 필름과 피라미드 상단 사이의 접촉 접합 영역이 너무 작아 PEDOT:PSS 필름이 충분한 전하를 수집하지 못하여 이종 접합이 불량합니다[26, 27]. 또한 PEDOT:PSS의 넓은 밴드갭으로 인해 PEDOT:PSS 필름은 계면 재결합 속도를 감소시키고 소자 전면에서 전자가 재결합하는 것을 차단할 수 있습니다.
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J-V AM1.5에서 1000~5000rpm 및 8000rpm의 서로 다른 PEDOT:PSS 코팅 속도를 가진 HHSC의 곡선
질감이 있는 기판에 실제 적용할 때 PEDOT:PSS 필름 두께는 접촉 특성을 고려하지 않고 조정할 수 없습니다. 스핀 코팅 공정은 필름 두께와 접촉 품질을 동시에 제한합니다[7]. 효율 향상을 위해서는 비교적 높은 코팅율이 매우 필요한 것으로 알려져 있다. 향상된 이종 접합 영역은 정공과 전자의 분리 및 J 증가에 기여합니다. sc . 고품질 인터페이스 접촉은 인터페이스 재결합 속도의 저하와 상당한 전류 부스트를 초래합니다[11, 18]. 그러한 사실은 Fig. 도 4 및 5에서 볼 수 있듯이 5000rpm에서 계곡 위에 쌓이는 대규모 전도성 유기 물질이 없습니다. PEDOT:PSS 필름 두께를 줄이기 위해 질감 있는 실리콘 표면이 더 많은 빛을 가둡니다[26]. 더 얇은 PEDOT:PSS 층의 감소된 기생 흡수 손실은 실리콘 표면의 광자 흡수를 향상시켜 광전류 및 전지 효율을 향상시킵니다. 그러나 스핀 코팅 속도가 8000rpm에 도달하면 PEDOT:PSS 필름이 너무 얇아 전체 Si 표면을 덮을 수 없고 이종 접합이 짧아질 수 있기 때문에 개방 회로 전압이 0.49V로 감소합니다. 더 얇은 필름은 금속 전극과 피라미드 상단 사이에 직접 연결을 유발할 수 있습니다. 한편, 감소된 막 두께로 인해 P-N 접합의 감소된 길이는 소자 성능에 영향을 미친다[23]. 또한 8000rpm에서 필름 두께의 불균일성은 기기 효율성에 영향을 미치는 데 특히 중요할 수 있습니다. 따라서 PEDOT:PSS/n-Si 태양전지의 최고 성능은 5000rpm에서 발생합니다.
위의 샘플은 은 그리드 전극으로 제작되었습니다. 매우 투명하고 전도성이 있는 은 나노와이어 전극을 사용하기 위해 평면 기판의 유사한 AgNW 필름이 HHSC에서 보고되었습니다[28, 29]. 우리는 또한 총 면적이 20 × 20 mm인 AgNWs 전극을 사용하여 장치를 제작했습니다. PEDOT:PSS의 코팅 속도가 4000rpm에 도달했을 때 은 나노와이어 전극이 있는 태양 전지는 드롭 캐스팅 방법을 사용하여 11.07%의 가장 높은 PCE를 달성할 수 있습니다. 측정값은 그림 8에 나와 있습니다. 질감이 있는 기판의 은 나노와이어 전극의 SEM 이미지는 그림 9에 나와 있습니다. 은 나노와이어는 피라미드와 접촉할 수 있습니다. 그리고 AgNW와 PEDOT:PSS 사이의 전극 접촉 면적은 은 전극이 있는 장치의 전극 접촉 면적보다 큽니다. PEDOT:PSS/n-Si 태양 전지의 직렬 저항은 0.84에서 0.38Ω/cm 2 으로 감소합니다. 주로 AgNWs 필름 전극이 ~ 10Ω/□의 낮은 제곱 저항을 갖기 때문입니다. 채우기 비율 및 V oc 장치의 직렬 저항 감소로 인해 각각 62.13에서 72.15% 및 0.51에서 0.56V로 크게 증가할 수 있습니다. 더욱이, AgNW의 플라즈몬 효과는 빛 수확 촉진에 중요한 역할을 합니다[30,31,32,33]. Malika Chalh는 AgNW(10μm 이상)가 표면 플라즈몬 모드의 여기를 유발할 수 있으며, 이는 400~700nm 사이의 파장 범위에 대한 흡수를 향상시킬 수 있다고 말했습니다[34]. Si 기판의 표면은 전하를 수집하기 위한 그리드를 형성하는 많은 은 나노와이어로 덮여 있습니다. 각 와이어 간의 결합을 통해 활성층 내부의 흡수 향상을 높일 수 있습니다. 그러나 AgNW는 금속 및 활성층에서 강한 기생 흡수 손실을 초래할 것입니다. 여기서, 활성층의 두께가 두꺼울수록 활성층에서 더 많은 흡수를 유도하면서 AgNWs 층의 흡수를 감소시킬 수 있습니다[35]. 따라서 이 장치는 빛의 효율적인 산란과 플라즈몬 결합을 통해 플라즈몬 AgNW를 사용하여 광대역 빛 흡수를 크게 향상시키는 것으로 나타났습니다[36]. AgNW 전극을 대체하면 기기의 단락 전류 밀도가 26.55에서 27.08mA/cm 2 로 증가합니다. . 은 나노와이어 전극이 PEDOT:PSS/n-Si 태양 전지에서 더 높은 PCE를 달성할 수 있다는 것이 밝혀졌습니다.
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제 –V 은 나노와이어 전극이 있는 PEDOT:PSS/n-Si 하이브리드 태양 전지의 곡선
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아 AgNWs 전극이 있는 PEDOT:PSS/n-Si 태양전지의 단면도. ㄴ 빨간색 사각형의 상세 이미지
요약하면, DMSO와 FS31의 혼합 PEDOT:PSS 솔루션은 질감 있는 소수성 표면에서 더 높은 전도성과 더 작은 접촉각을 달성합니다. 텍스처 표면의 PEDOT:PSS 층의 단파장 반사율은 기판 표면의 흡수 계수와 평탄도의 결합 효과에 의해 영향을 받습니다. 더 나은 접촉 품질, 적절한 필름 두께 및 최적화된 코팅 속도에서 더 큰 접촉 접합 영역으로 HHSC의 성능이 향상됩니다. 은 나노와이어 전극의 적용은 더 높은 PCE를 얻기 위한 간단하고 유망한 제조 공정을 보여주었습니다.
나노물질
초록 페로브스카이트 태양 전지는 밴드 갭 조정이 가능하고 흡수 계수가 높으며 준비 비용이 낮기 때문에 실리콘 기반 탠덤 태양 전지에 사용됩니다. 그러나 상부 페로브스카이트 흡수층의 광학 굴절률과 비교하여 하부 실리콘의 상대적으로 큰 광학 굴절률은 2단자 장치에서 상당한 반사 손실을 초래합니다. 따라서 Si 바닥 셀에서 광전류 흡수를 향상시키기 위해서는 광 관리가 중요합니다. 이 논문에서 TiO2로 채워진 나노홀 어레이 하단 셀 설계에 도입되었습니다. 유한 차분 시간 영역 방법을 통해 300~1100nm 범위의 흡수 효율과 광전류
초록 이 연구에서는 무기 주석 도핑된 페로브스카이트 양자점(PQD)을 탄소 기반 페로브스카이트 태양 전지(PSC)에 통합하여 광전지 성능을 향상시킵니다. 한편, Sn2+의 콘텐츠를 제어함으로써 도핑을 통해 주석 도핑된 PQD의 에너지 수준을 조정하여 최적화된 밴드 정렬과 광 생성된 전자-정공 쌍의 향상된 분리를 실현할 수 있습니다. 반면에 self-p-type doping 효과로 인해 상대적으로 높은 수용체 농도를 제공하는 tin-doped PQDs의 혼입은 페로브스카이트 후면 부근의 공핍 영역의 폭을 감소시킬 수 있어 구멍 추출
