FET 테스팅 완벽 가이드: FET·JFET·MOSFET 테스트 방법과 MOSFET 테스터 지그 회로 제작

FET 테스트 방법

FET는 회로에서 매우 중요하지만, 불량 FET를 장착하면 바람직하지 않은 결과를 초래합니다. 이를 방지하려면 FET 테스트가 필수입니다.

FET는 낮은 출력 저항과 높은 입력 저항 덕분에 각종 회로에서 증폭기로 널리 쓰입니다. 장착 전 테스트로 불량 부품 사용을 예방하세요.

이 글에서는 FET, JFET, MOSFET 테스트법과 간단한 MOSFET 테스터 지그 회로 제작법을 다룹니다.

멀티미터로 FET 테스트하기

전원 공급이 지속되고 장시간 동작하는 파워 유닛과 회로의 FET는 열화돼 회로 고장을 일으킬 수 있습니다. 회로 수리의 첫걸음이 FET 테스트입니다.

멀티미터 테스트 절차

출처: Wikimedia Commons

1. 멀티미터 흑색 프로브를 드레인 핀(D)에, 적색 프로브를 소스 핀(S)에 연결. 다이오드 순방향 전압 강하 값(전환 값)이 표시됨. 이 값을 기억하세요.
2. 적색 프로브를 게이트 핀(G)으로 옮겨 FET를 부분적으로 개방. 다시 적색 프로브를 소스 핀(S)으로 이동. 약간 더 낮은 전환 값이 표시됨 (FET가 부분 개방됨).
3. FET를 닫기 위해 흑색 프로브를 드레인(D)에서 게이트(G)로 이동. 다시 드레인(D)으로 옮기면 최초 전환 값과 동일하게 나옴. FET가 완전히 닫힘.
4. 활성 FET 게이트(G)의 저항은 무한대(∞)여야 합니다.

참고: 위 절차는 N채널 필드 기준입니다. P채널 테스트 시 프로브 극성을 반대로 하세요. N채널에서 흑색 프로브가 양극, 적색이 음극입니다.

FET에 연결된 소형 회로로도 테스트 가능합니다. 빠르고 정확하지만 멀티미터가 있으면 굳이 필요 없습니다. 회로 실험을 원하시면 시도해 보세요.

디지털 멀티미터

JFET 테스트 방법

JFET 트랜지스터 테스트에 쓸 수 있는 두 가지 방법을 다룹니다: 컴포넌트 테스터 사용법, 멀티미터 사용법.

컴포넌트 테스터로 JFET 테스트

컴포넌트 테스터

멀티미터보다 간단하고 결과가 빠르고 정확합니다. JFET을 회로에서 디솔더링해 컴포넌트 테스터에 꽂고 레버로 고정한 뒤 버튼을 누르면 끝입니다.

정상 JFET이면 테스터에 표시되고 핀 정보 등 추가 정보도 나옵니다.

JFET 테스트 결과

멀티미터로 JFET 테스트

멀티미터만으로는 정확한 결과를 얻기 어렵습니다. 소형 회로를 구성해 소자를 온/오프 스위칭하며 온/오프 모드 모두 측정해야 합니다.

게이트, 드레인, 소스 핀(다리)을 정확히 알아야 합니다.

JFET 핀아웃

JFET은 회로 미연결 상태에서도 켜진 상태를 유지할 수 있습니다. 테스트 전 반드시 오프 모드인지 확인하세요.

오프 상태 확인 후 멀티미터로 저항 측정. 저옴 레인지로 설정해 정확한 판독값을 얻으세요. 정상 범위는 100~130Ω 정도(실제 소자마다 다름).

판독값이 높거나 JFET이 도통하지 않으면 불량 소자입니다.

참고: JFET을 브레드보드에 꽂고 리드를 연결하면 작업이 더 편합니다.

멀티미터 JFET 테스트

MOSFET 테스트 방법

MOSFET은 회로 장착 전 반드시 테스트해야 합니다. 불량 파워 MOSFET 장착은 회로에 치명적입니다. MOSFET 테스트 상세 내용은 여기에서 확인하세요.

N채널 MOSFET

간단한 MOSFET 테스터 지그 회로

학생과 기술자들이 트랜지스터, 솔리드스테이트 다이오드, MOSFET 측정에 널리 쓰는 회로입니다. 소자 정상/불량 판별은 가능하나 전기적 파라미터 측정은 불가능합니다.

필요 부품

• NE555 타이머 IC (1개)
• BC547 트랜지스터 (1개)
• 10µF 커패시터 (1개)
• 9V DC 배터리 (1개)
• 33kΩ, 220Ω 저항 (총 5개)
• 배터리 클립 (1개)
• 1N4007 다이오드 (1개)
• 암 헤더 핀 (3개)
• 45~65W 납땜기 및 와이어 (1개)
• 5mm, 3.5V LED (2개)
• 베로보드 (1개)
• 점퍼 와이어

점퍼 와이어

제작 단계

1. 베로보드에 NE555 타이머 납땜. 핀 2-3 사이 33kΩ 저항 연결, 헤더 핀을 베로보드에 납땜.
2. 핀 3-8 사이 220Ω 저항 연결. 1N4007 다이오드 두 개를 음극-양극으로 연결. 암 헤더 핀(컬렉터)을 첫 번째 접점에 납땜, 다른 쪽을 220Ω 저항에 연결.
3. LED도 같은 방식으로 음극-양극 연결해 다른 암 헤더 핀(이미터)에 납땜, 다른 쪽을 다이오드 쌍의 양극-음극 접점에 연결.
4. 다이오드 접점(양극-음극)과 베이스 암 헤더 핀 사이에 220Ω 저항 연결. 10µF 커패시터 양극을 핀 2, 6에, 음극을 회로 GND에 연결. 이미터 암 헤더, 베이스 암 헤더, 핀 3 사이에 220Ω 저항 연결.
5. 배터리 클립을 핀 4, 8에 연결. 9V 배터리로 회로 전원 켜기.

마무리

FET, JFET, MOSFET을 회로 사용 전 테스트하는 것의 중요성을 강조했습니다. 불량 트랜지스터 장착은 회로에 큰 손상을 줍니다.

파워 트랜지스터

FET 테스트 시 유의할 팁:

• 멀티미터의 다양한 저항 레인지를 확인해 별도 회로 필요 여부 판단.
• JFET 게이트-소스 간 멀티미터 양 프로브 모두 저저항 표시 시 부정확함.
• MOSFET 드레인-소스 간 저항이 무한대(∞)여야 정상. 저저항이면 불량 MOSFET.

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