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종횡비가 다른 은 나노와이어를 쉽게 합성하고 고성능의 유연한 투명 전극으로 사용

초록

은 나노와이어(Ag NW)는 유연한 투명 전극을 제조하는 유망한 재료로, 차세대 플렉서블 전자 장치에서 인듐 주석 산화물(ITO)을 대체하는 것을 목표로 합니다. 여기에서 다양한 종횡비를 갖는 Ag NW의 실현 가능한 폴리비닐피롤리돈(PVP) 매개 폴리올 합성이 입증되고 고온 열 소결 없이 고품질 Ag NW 투명 전극(NTE)이 제조됩니다. 캡핑제로 다른 평균 분자량을 갖는 PVP의 혼합물을 사용할 때 Ag NW의 직경은 맞춤화될 수 있고 다른 종횡비를 갖는 Ag NW는 ca. 30 ~ ca. 1000을 얻습니다. 이러한 합성된 Ag NW를 사용하여 균일한 Ag NW 필름이 반복된 스핀 코팅에 의해 제조됩니다. 종횡비가 500을 초과하면 Ag NW 필름의 광전자 성능이 현저하게 향상되어 ITO 필름과 일치합니다. 더욱이, 11.4Ω/sq의 낮은 시트 저항과 550nm에서 91.6%의 높은 병렬 투과율을 갖는 최적의 Ag NTE는 종횡비가 거의 1000에 도달할 때 달성됩니다. 또한 Ag NW 필름의 시트 저항은 크게 나타나지 않습니다. 400번의 굽힘 테스트 후 변형이 발생하여 뛰어난 유연성을 나타냅니다. 매우 유연하고 고성능인 Ag NTE를 제작하기 위해 제안된 접근 방식은 유연한 장치 개발에 유용할 것입니다.

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배경

플렉시블 투명 전극(FTE)은 차세대 플렉시블 전자 장치에서 중요한 역할을 합니다[1,2,3,4]. FTE는 터치 스크린[5, 6], 휴대용 태양 전지[7, 8], 유기 발광 다이오드(OLED)[9,10,11], 연료 전지 전극[9,10,11]과 같은 전도성 구성 요소로 많은 광전자 장치에 적용될 수 있습니다. 12,13,14,15,16,17], 센서 [18, 19], PM 필터 [20], 투명 히터 [21, 22] 및 웨어러블 전자 장치 [23, 24]. 현재 사용되는 지배적인 투명 전극(TE)은 낮은 시트 저항(<100Ω/sq)과 높은 투과율(>80%) 때문에 인듐 주석 산화물(ITO)입니다. 그러나 본질적인 취성은 유연한 전자 제품의 응용 분야를 제한합니다. 또한, 고온 증착 공정이 필요하고 인듐이 부족하다는 문제가 있습니다[25,26,27]. 따라서 금속 그리드[2, 28, 29], 탄소 나노튜브(CNT)[30,31,32,33], 그래핀[34,35,36], Ag와 같이 유연성과 광학적 투명도가 우수한 여러 새로운 전도성 필름 NW [5, 37,38,39,40,41], Cu NW [42, 43], 전도성 고분자 [44, 45] 및 이들의 하이브리드 [46,47,48]가 제조되어 대체하기 위해 노력하고 있습니다. 이토. 이러한 후보 중 Ag NW 필름은 우수한 전기 전도성과 높은 광학 투명도로 인해 과학 및 산업 기관에서 광범위하게 조사되었습니다. 또한 Ag NW는 뛰어난 유연성과 신축성을 나타내어 깨지기 쉬운 ITO보다 신축성 있는 투명 전도체를 제작할 수 있는 매력적인 장점 중 하나입니다[49,50,51]. 더욱이, 용액 처리된 Ag NW 필름은 ITO보다 비용 효율적입니다. 이러한 모든 특성으로 인해 Ag NW 필름은 유연한 전자 제품의 응용 분야에서 ITO에 대한 유망한 대안이 되었습니다.

그러나 Ag NW 필름을 FTE로 상용화하려면 몇 가지 문제를 해결해야 합니다. 첫째, Ag NW 필름의 매혹적인 속성은 Ag NW의 치수에 크게 의존하고 잘 설계된 길이와 직경은 다양한 응용 분야에서 매우 중요하기 때문에 다양한 종횡비를 가진 Ag NW는 제어된 방식으로 쉽게 합성되어야 합니다[52, 53]. 일반적으로 폴리올 공정은 Ag NW를 제조하는 데 가장 널리 사용되는 방법입니다. Ran et al. [54] 평균 분자량 58,000과 1,300,000의 혼합 PVP를 캡핑제로 사용하여 종횡비가 1000보다 큰 얇은 Ag NW를 합성했습니다. 그러나 Ag NTE의 광전자 성능에 대한 종횡비의 영향은 연구에서 신중하게 조사되지 않았습니다. 비록 Ding et al. [55] 직경이 40~110nm인 Ag NW를 준비하고 투과율이 87%이고 시트 저항이 약 70Ω/sq인 Ag NTE를 제작했습니다. Ag의 직경을 제어하려면 많은 매개변수를 동시에 조정해야 합니다. NW 및 획득한 Ag NTE의 광전자 성능은 만족스럽지 않을 것입니다. Li et al. [56]은 브롬화물의 농도를 변경하여 직경 20nm의 얇은 Ag NW를 합성했습니다. 그리고 그들은 130.0Ω/sq에서 99.1%의 투과율을 가진 고품질 Ag NW 필름을 제작했습니다. Koet al. [57]은 수백 마이크로미터 이상의 매우 긴 Ag NW를 합성하는 다단계 성장 방법을 개발했으며 제작된 필름은 19Ω/sq의 시트 저항과 함께 90%의 우수한 투과율을 보여주었습니다. 이러한 Ag NW 필름의 광전자 성능은 ITO 필름과 비슷하거나 더 우수합니다. 그러나 시트 저항 및 투과율 측면에서 상업용 ITO에 필적하는 TE를 제작할 수 있는 Ag NW의 최소 종횡비는 여전히 불확실합니다. 따라서 다양한 종횡비의 Ag NW를 합성하고 이것이 Ag NW 필름의 광전자 성능에 미치는 영향에 대한 연구가 필요합니다.

게다가, Ag NWs 필름의 전자 전도성은 상대적으로 열악하여 높은 나노와이어 접합 저항으로 인해 발생합니다[58]. Ag NW의 폴리올 합성에서 계면활성제인 PVP는 Ag NW의 표면에 흡착되어 랜덤 네트워크에서 와이어 사이에 절연 접촉이 발생합니다[59, 60]. 결과적으로 열처리[38, 39, 61, 62], 기계적 프레스[63], 전도성 고분자를 사용한 나노솔더링[64], 플라즈몬 용접[65], 레이저 나노용접[66,67, 68] 및 다른 재료와의 통합 [60]은 접합 저항을 줄이기 위해 조사되었습니다. 이러한 후처리 중 거의 200°C에서 열 어닐링이 일반적으로 사용됩니다. 고온을 견딜 수 없는 유연한 플라스틱 기판과 호환되지 않으므로 유연한 광전자 장치에서 Ag NW 필름의 적용이 제한됩니다.

여기에서, ca에서 다양한 종횡비를 갖는 일련의 Ag NW. 30 ~ ca. 1000은 제어 가능하게 합성되고 높은 전도성 및 투명한 Ag NTE를 제조하는 데 사용됩니다. 첫째, Ag NW는 평균 분자량이 다른 PVP의 혼합물이 직경을 효율적으로 줄일 수 있는 손쉬운 PVP 매개 폴리올 공정으로 제조됩니다. 이어서, 상이한 종횡비를 갖는 합성된 Ag NW를 각각 고온 어닐링 없이 Ag NW 필름을 제조하는 데 사용한다. 그리고 해당 광전자 성능을 비교 조사합니다. 최고의 면저항 및 평행 투과율은 종횡비가 거의 1000에 도달할 때 11.4Ω/sq 및 91.6%를 달성할 수 있습니다. 또한, As-fabricated Ag NWs 필름의 면저항은 내부 굽힘 및 외부 굽힘 테스트 후에 거의 일정합니다.

방법

재료 및 화학 물질

질산은(AgNO3 , AR) 및 무수 에탄올(C2 H5 OH, AR)은 Sinopharm Chemical Reagent Co., Ltd.에서 구입했습니다. Copper(II) chloride dehydrate(CuCl2 ·2H2 O, AR) 및 PVP(MW≈58,000, PVP-58로 표시)는 Shanghai Aladdin Reagents Co., Ltd.에서 구입했습니다. 에틸렌 글리콜(EG, 98%) 및 PVP(MW≈10,000, 40,000 및 360,000, PVP로 표시) -10, PVP-40 및 PVP-360)은 Sigma-Aldrich에서 구입했습니다. 전체 실험에는 탈이온수(18.2MΩ)가 사용되었습니다.

Ag NW의 합성

다른 종횡비를 가진 Ag NW는 손쉬운 원 포트 PVP 매개 폴리올 공정에 의해 준비됩니다. 일반적으로 AgNO3 0.170g 마그네틱 교반하에 EG 10mL에 녹입니다. 그런 다음 0.15M의 PVP-40 및 0.111mM의 CuCl2 ·2H2 이 액에 EG 10mL의 혼합용액을 적가한다. 그 후, 혼합물을 50mL 용량의 테프론 라이닝 스테인리스강 오토클레이브에 옮기고 160°C에서 3시간 동안 가열합니다. 자연적으로 실온으로 냉각한 후 2500rpm의 속도로 5분 동안 원심분리하여 순수한 Ag NW를 얻고 에탄올과 탈이온수로 3회 세척합니다. 마지막으로, 제품은 추가 특성화 및 적용을 위해 에탄올에 분산됩니다. 또한, PVP의 농도와 평균 분자량은 제품의 형태와 크기를 제어하는 ​​데 매우 중요합니다. 따라서 다양한 유형의 PVP 분자가 폴리올 공정에서 Ag NW의 직경을 조절하기 위해 동시에 사용됩니다. 자세한 실험 매개변수는 추가 파일 1:각각 S1–S13으로 지정된 표 S1에 나열되어 있습니다.

Ag NTE 제작

두께 150μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 20×20mm 크기의 조각으로 자릅니다. 간단히 말해서, 준비된 Ag NW는 에탄올(6mg/mL)에 분산되고 Ag NW 용액 50μL는 PET 기판에 30초 동안 2000rpm에서 스핀 코팅됩니다. 마지막으로 Ag NW 필름은 추가 후처리 처리 없이 15분 동안 140°C로 가열됩니다. 고품질 NTE를 제작하기 위해 Ag NW의 종횡비, 회전 속도, 농도 및 Ag NW 용액의 부피를 조사합니다. 반복된 스핀 코팅과 관련하여 Ag NWs 용액의 각 부피는 25μL로 변경되고 회전 속도는 2000rpm으로 설정됩니다. 에탄올을 휘발시키기 위해서는 각 스핀 코팅에 시간 간격이 필요합니다. 기타 매개변수는 앞서 설명한 과정과 동일합니다.

특성 및 성능 테스트

주사 전자 현미경(SEM) 이미지는 저온 전계 방출 SEM(Hitachi S-4800)을 사용하여 기록됩니다. 투과전자현미경(TEM) 및 고해상도 TEM(HRTEM) 이미지는 JEOL JEM-2100F를 사용하여 얻었다. Ag NW의 UV-vis 흡수 스펙트럼과 Ag NW 필름의 광 투과율 스펙트럼은 Shimadzu UV-3600 분광광도계에서 수행됩니다. 면저항은 4점 탐침저항계(FP-001)를 이용하여 상온에서 측정한다.

결과 및 토론

일반적으로 Ag NW는 1차원 Ag NW의 성장을 보장하기 위해 PVP를 캡핑제로 사용하는 폴리올 공정에 의해 합성됩니다[69, 70]. 합성하는 동안 반응 온도, 교반 속도, PVP 농도, PVP 사슬 길이, 첨가제 및 화학 물질의 비율과 같은 많은 매개 변수가 합성된 Ag NW의 수율 및 형태에 영향을 줄 수 있습니다. 예를 들어, 110°C 미만 또는 180°C 이상의 부적절한 반응 온도는 Ag NW보다 더 많은 Ag 원자가 Ag 나노입자(NP)를 형성하도록 합니다[70, 71]. 합성된 Ag NW의 길이는 교반 속도가 느려짐에 따라 증가합니다[72, 73]. 이 논문에서 우리는 주로 Ag NW의 형태와 크기의 영향에 대한 PVP의 농도와 평균 분자량을 조사합니다. Ag NW의 해당 형태 및 크기 분포는 그림 1 및 추가 파일 1:그림 S1에 나와 있습니다. 먼저 PVP의 농도가 0.05M(샘플 S1, 추가 파일 1:그림 S1a)에서 0.15M(샘플 S2, 그림 1a)로 증가합니다. 제품의 해당 형태는 구형에 가까운 Ag NP에서 평균 직경이 104.4nm이고 길이가 12.3μm인 순수한 Ag NW로 변경됩니다. Ag NW와 Ag NP의 혼합물은 PVP의 농도가 0.25M으로 증가할 때 관찰됩니다(샘플 S3, 추가 파일 1:그림 S1b). PVP의 농도를 0.55M으로 추가로 증가시키면(샘플 S4, 추가 파일 1:그림 S1c) 다양한 모양(근접구 및 삼각형 판 포함)을 가진 많은 수의 Ag NP가 형성됩니다. 결과는 더 낮거나 더 높은 농도의 PVP가 순수한 Ag NW를 생성하는 데 유익하지 않아 Ag NW의 부재를 추가로 초래함을 나타냅니다. PVP의 농도를 변경할 때 제품에서 Ag NPs의 형성은 MTP(multiply twinned nanoparticles)의 전체 표면에 대한 이방성 성장의 실패에 기인할 수 있습니다[69, 74].

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, b 각각 PVP-40 및 PVP-360으로 합성된 Ag NW의 SEM 이미지. PVP의 농도는 모두 0.15M입니다. a ' ' 직경과 길이의 해당 통계 분포. (삽입 a에서 그리고 b 고배율과 모든 스케일 막대가 있는 해당 SEM 이미지입니다. 500nm)

또한 분자량이 다른 PVP가 Ag NW의 형태와 크기에 미치는 영향에 대해서도 설명합니다. PVP-10(샘플 S5, 추가 파일 1:그림 S1d)을 사용할 때 Ag NP와 응집된 나노로드만 생성됩니다. PVP-58(샘플 S6, 추가 파일 1:그림 S1e)과 PVP-360(샘플 S7, 그림 1b)을 별도로 사용할 때 제품의 해당 형태와 크기는 뭉툭한 Ag NW(평균 직경 235nm)에서 변경됩니다. 및 6.7μm의 길이)에서 높은 종횡비의 Ag NW(평균 직경 132.1nm 및 길이 69.9μm)에 이르기까지 다양합니다. 위에서 언급한 샘플 S2, S5, S6 및 S7의 결과에 따르면 PVP의 평균 분자량은 Ag NW의 형태 형성에 중요한 역할을 할 뿐만 아니라 Ag NW 제품의 직경과 길이에도 상당한 영향을 미칩니다. . Ag NW의 형태와 크기에 대한 평균 분자량이 다른 PVP의 영향은 세 가지 요인에 기인할 수 있습니다. 강한 화학적 흡착은 긴 Ag NW의 성장을 촉진합니다[75]. (ii) PVP 캡핑 층의 입체 ​​효과로 인해 인접한 PVP 분자 사이의 간격을 통해 은 원자가 측면에 증착되어 두꺼운 Ag NW가 형성됩니다[54]. (iii) EG 용액에서 평균 분자량이 높은 PVP의 높은 점도는 성장 속도를 늦추고 MTP를 형성하는 데 도움이 됩니다[76, 77]. 결과적으로 PVP-10과 같은 낮은 평균 분자량의 PVP는 (100) 결정면에 효율적으로 흡착되어 측면 성장을 제한하지 않습니다. 한편, 작은 입체 효과와 낮은 점도는 은 나노구조의 응집을 방지하지 못한다. PVP-360과 같이 고분자량의 PVP는 측면에 강한 화학적 흡착을 하여 긴 Ag NW를 생성합니다. 그러나 PVP-360의 큰 입체 효과는 직경의 증가로 이어질 것입니다.

Ag NW의 높은 종횡비를 얻으려면 PVP 매개 시스템에서 흡착 강도와 입체 효과가 균형 상태에 도달해야 합니다. 따라서 다른 몰비의 혼합 PVP 분자가 캡핑제로 사용되며 Ag NW의 해당 형태 및 크기 분포는 그림 2 및 추가 파일 1:그림 S2에 나와 있습니다. PVP-58과 PVP-40을 1:1의 몰비로 혼합하면 평균 직경이 47.5nm이고 길이가 16.1μm인 Ag NW가 얻어집니다. PVP-40과 PVP-58의 몰비가 1:2 또는 2:1로 조정되는 동안 Ag NW의 직경이 증가합니다. 또한, Ag NW의 종횡비는 PVP-40과 PVP-360을 혼합할 때 직경이 크게 감소하기 때문에 극적으로 확대됩니다. PVP-40과 PVP-360의 몰비가 1:1일 때 종횡비는 거의 1000에 이르고 직경은 그림 2e와 같이 보다 균일한 분포를 갖는다.

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서로 다른 혼합 PVP 분자를 사용하여 합성된 Ag NW의 SEM 이미지. PVP-40:PVP-58 =2:1, b PVP-40:PVP-58 =1:1, c PVP-40:PVP-58 =1:2, d PVP-40:PVP-360 =2:1, e PVP-40:PVP-360 =1:1, f PVP-40:PVP-360 =1:2, 각각. PVP의 모든 총 농도는 0.15M이며, 서로 다른 PVP 분자가 몰비로 혼합됩니다. (삽입 a에서 –f 고배율의 해당 SEM 이미지와 모든 스케일 바 500nm)

Ag NW의 직경에 대한 사슬 길이가 다른 혼합 PVP의 영향은 반응식 1a에서 간략하게 해석될 수 있습니다. 장쇄 PVP 분자는 (100)면에 대한 강한 흡착으로 인해 Ag NW의 측면 성장을 지연시킬 수 있습니다. 긴 사슬로 인한 큰 입체 효과는 인접한 PVP 분자 사이에 비교적 큰 거리를 가져옵니다. Ag 원자는 인접한 PVP 분자 사이의 간격을 통한 확산에 의해 Ag NW의 표면에 여전히 침착될 수 있으며 두꺼운 Ag NW가 생성됩니다. 체인 길이가 다른 혼합 PVP를 사용할 경우, 숏체인 PVP가 롱체인 PVP 사이의 간격을 메울 수 있습니다. 따라서 (100) 패싯은 보다 효율적으로 부동태화될 수 있어 더 작은 Ag 시드와 더 얇은 Ag NW의 형성으로 이어진다[76]. 반응식 1b에서 볼 수 있듯이 일반적인 종횡비를 가진 Ag NW가 우리 작업에서 얻어집니다. 이 실험 경로를 통해 더 높은 종횡비의 Ag NW가 생성될 수 있다고 추측할 수 있습니다.

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사슬 길이가 다른 혼합 PVP를 사용한 Ag NW의 성장 메커니즘의 개략도. 다른 종횡비 Ag NW는 PVP 매개 폴리올 공정에 의해 얻어집니다.

Ag NW의 미세 구조와 형태는 TEM으로 특성화되며 그림 3a, b에 나와 있습니다. 단일 나노와이어는 ca. 두께의 얇은 PVP 층으로 코팅됩니다. 2nm 그림 3c는 좋은 결정 구조를 가진 Ag NW의 HRTEM 이미지를 보여줍니다. HRTEM 이미지는 면심입방(fcc) Ag의 (111) 및 (200) 평면에 대한 결정 평면 공간과 잘 일치하여 주기적 줄무늬 사이의 공간이 0.235 및 0.202nm임을 명확하게 보여줍니다. 한편, Ag NW는 흰색 화살표로 표시된 것처럼 [110] 방향을 따라 성장하며, 이는 이전 보고서[70, 76]의 결과와 유사합니다.

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TEM(a , b ) 및 HRTEM(c ) PVP-40과 PVP-360을 혼합하여 합성한 Ag NW의 이미지(1:1의 몰비)

도 4에 도시된 바와 같이, 준비된 Ag NW의 UV-가시광 흡수 스펙트럼은 준구형 Ag 나노입자의 스펙트럼과 다르다. Ag NW의 스펙트럼은 이중 특성 피크를 나타냅니다. 약 350nm에 위치한 숄더 피크는 벌크 은 필름의 플라즈몬 공명에 기인할 수 있습니다[70, 78]. 두 번째 피크는 Ag NW의 가로 플라즈몬 모드에 기인할 수 있으며 피크 위치는 은 나노구조의 치수와 관련이 있습니다[79]. 세로 플라즈몬 공명으로 인한 약 570nm의 피크는 준비된 Ag NW의 종횡비가 5보다 훨씬 크기 때문에 스펙트럼에 없습니다[70, 80]. 또한 녹색 점선으로 표시된 것처럼 두 번째 피크는 직경이 증가함에 따라 빨간색으로 이동합니다. 그러나 Ag NW의 직경이 커질 때 뚜렷한 피크가 없다는 점에 주목해야 합니다. 샘플 S6(평균 직경 235nm) 및 S10(평균 직경 222.8nm)의 Ag NW의 경우 흡수 강도 최대값은 각각 408.5 및 406.5nm의 파장에 있습니다. 그들은 샘플 S7(평균 직경 132.1nm, 피크 파장은 412nm)에서 직경이 작은 Ag NW의 피크 파장보다 작아서 직경이 더 큰 오른쪽 피크 파장의 적색 편이 경향이 분리되었음을 나타냅니다. <그림>

직경이 다른 준비된 Ag NW의 UV 가시 흡수 스펙트럼

고품질의 Ag NW 필름을 제조하기 위해서는 스핀 코팅 공정을 최적화하는 것이 필요합니다. 도 5a에서 보는 바와 같이 회전속도가 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것을 볼 수 있는데, 이는 PET 표면에 달라붙는 Ag NW의 수가 감소하여 전도도가 감소하기 때문이다. 또한 8mg/mL의 Ag NWs 용액을 사용할 때 시트 저항이 19.6Ω/sq로 크게 감소한다는 점에 주목해야 합니다. 그리고 6mg/mL를 사용하는 것과 비교하여 거의 5배 감소합니다. 이는 Ag NW 네트워크에서 보다 효율적인 전도성 침투 경로의 형성에 기인할 수 있는 반면, Ag NW의 일부 거시적 응집체는 농도가 8mg/mL로 증가함에 따라 나타납니다. ML. 그 후, 스핀 코팅 공정을 반복한다. Fig. 5b에서 보는 바와 같이, 스핀 코팅 시간이 증가할수록 투과율과 면저항이 모두 감소한다. 더 중요한 것은 Ag NWs 용액의 부피가 50에서 75μL로 추가될 때 시트 저항이 98.46에서 11.87Ω/sq로 급격히 감소한다는 것입니다. 부피가 100μL로 추가 증가함에 따라 면저항은 10.42Ω/sq로 감소하고 투과율은 80.95%입니다. 이는 나노구조의 투명 전도성 네트워크에서 나노와이어의 밀도가 부피가 75μL에 추가될 때 침투 거동에서 벌크 거동으로의 전환이 일어나는 티핑 포인트에 도달할 수 있음을 나타냅니다[81]. 또한 NTE의 성능을 평가하기 위해 투과율과 면저항을 연관시키는 성능 지수(FOM)를 계산합니다. 일반적으로 투과율(T λ ) 및 시트 저항(R s )은 다음 식을 만족한다. (1):

$$ {T}_{\lambda }={\left(1+\frac{188.5}{R_{\mathrm{S}}}\frac{\sigma_{\mathrm{op}}\left(\lambda \ right)}{\sigma_{DC}}\right)}^{-2} $$ (1)

Ag NW 필름의 시트 저항 대 Ag NW의 다양한 농도에서의 스핀 코팅 속도. 다양한 양의 Ag NW 솔루션으로 제작된 Ag NTE의 광전자 성능 비교. Ag NWs 용액의 농도는 6mg/mL이고 각 스핀 코팅의 부피는 25μL입니다. 삽입 Ag NWs 필름의 FOM 값 대 Ag NWs 용액의 부피입니다. f 다양한 양의 Ag NW 솔루션으로 제작된 Ag NW 필름의 SEM 이미지, c 25μL, d 50μL, e 75μL, f 각각 100μL입니다. 모든 스케일 바 5μm

σ 작업 (λ) 는 광학 전도도 및 σ DC 는 필름의 직류 전도도입니다[37]. σ의 값 DC/ σ 작업 (λ) FOM으로 채용됩니다. FOM 값이 높을수록 광전자 성능이 향상됩니다. 그림 5b의 삽입은 다른 부피의 Ag NW 솔루션으로 제조된 NTE의 FOM 값을 보여줍니다. 부피가 75μL에 추가되면 Ag NW의 FOM 값이 가장 높아 23.3에서 162.6으로 급격히 증가합니다. 3번의 스핀코팅을 했을 때 낮은 면저항과 높은 투과율 사이의 균형이 이루어졌음을 의미한다. 또한, 그림 5c–f는 각각 25, 50, 75 및 100μl에 대한 Ag NW 용액의 부피에 해당하는 밀도가 다른 PET의 Ag NW 필름의 SEM 이미지를 보여줍니다. 이미지에서 Ag NWs 솔루션의 부피가 증가함에 따라 Ag NWs 네트워크가 점점 더 조밀해지고 Ag NWs의 분포가 더 균일해지는 것이 분명합니다. 따라서 반복적인 스핀 코팅 공정은 다양한 응용 분야에 대해 다양한 투과율과 면저항을 갖는 균일한 Ag 나노와이어 필름을 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

NTE에 적용하기 위해 나노와이어 접합은 무작위 Ag NW 네트워크의 전도도에 상당한 영향을 미칩니다[58]. 폴리올 공정에서 합성된 Ag NW는 잔류 절연 PVP 층을 유지하여 접합부에서 높은 저항을 발생시키고 전도성을 저하시킵니다. Lee et al. [59]는 반복되는 용매 세척이 PVP 층을 ca에서 감소시킬 수 있다고 보고했습니다. 4nm ~ 0.5nm이며 겹치는 Ag NW의 실온 용접이 가능합니다. 마찬가지로 합성된 Ag NW를 에틸 알코올로 3회 세척하여 PVP 층을 최대한 제거하는 것을 반복했습니다. 위에서 언급한 그림 3a의 결과와 같이 두께가 2nm인 얇은 PVP 층이 남습니다. 접합 저항을 효율적으로 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 용매에서 Ag NW의 우수한 분산을 보장할 수 있습니다. 반면, 2차원에서 폭이 없는 막대기의 경우 임계 수 밀도(N ) 침투 네트워크를 생성하기 위한 스틱의 수는 Eq. (2):

$$ {N}_c\times {L}^2=5.71 $$ (2)

는 나노와이어의 길이이다[52]. 이 방정식은 침투 네트워크에 필요한 Ag NW의 수 밀도가 길이의 제곱에 반비례함을 의미합니다. 따라서 긴 나노와이어는 낮은 수 밀도로 희박하고 효과적인 침투 네트워크를 구축하는 경향이 있습니다. 그것은 광 투과율을 증가시킬 뿐만 아니라 더 적은 나노와이어 접합으로 긴 침투 경로를 구축함으로써 전도성을 향상시킬 수 있습니다.

그림 6a는 종횡비가 다른 Ag NW로 제작된 NTE의 광전자 성능 비교를 보여줍니다. 샘플 S2 및 S9의 경우 평행 투과율의 확대는 직경이 더 작은 나노와이어가 더 적은 빛을 산란시켜 헤이즈를 더욱 감소시킬 수 있기 때문에 104.4nm에서 47.5nm로 감소한 더 작은 직경에 기인할 수 있습니다. 종횡비가 500을 초과하면(샘플 S7), 평행 투과율이 81.8%(87.2%)이고 시트 저항이 7.4Ω/sq(58.4Ω/sq)인 Ag NW 필름이 얻어집니다. 광전자 성능은 상용 ITO 필름(85%, 55Ω/sq)과 비슷합니다[5]. 또한 종횡비가 거의 1000에 도달하면(샘플 S12) Ag NW 필름은 ITO 필름보다 우수한 투과율(91.6–95.0%)과 전자 전도도(11.4–51.1Ω/sq)를 나타냅니다. 그들은 태양 전지 또는 터치 스크린 응용 분야에서 TE의 성능 요구 사항을 충분히 충족합니다. 또한, 그림 6b에서 볼 수 있듯이 가장 큰 FOM 값은 387을 달성하여 다양한 TE[62, 73]에서 보고된 다른 많은 값보다 높습니다. 우수한 성능은 길고 얇은 Ag NW에 기인할 수 있습니다. 또한, 종횡비가 339(샘플 S9)에서 529(샘플 S7)로 확대될 때 FOM 값이 89에서 224로 급격히 증가하는 것을 주목할 만하다. 주된 이유는 아마도 샘플 S7에서 더 긴 Ag NW가 더 적은 수의 나노와이어로 더 효과적인 침투 네트워크를 형성하여 Ag NW 네트워크를 통해 훨씬 더 많은 광 투과를 유도하기 때문일 것입니다. 이는 직경이 20nm 미만인 얇은 Ag NW가 성공적으로 합성되지 않을 때 긴 Ag NW 전략이 유망한 광전자 성능을 가진 NTE를 얻는 쉽고 효과적인 방법임을 나타냅니다[52, 67]. 그림 6c는 샘플 S12에서 제작된 Ag NW 필름의 광 투과율 스펙트럼을 보여줍니다. 스펙트럼은 가시광선에서 근적외선 파장까지 넓고 평평한 영역을 보여 빛의 활용 범위를 향상시킬 수 있으며 디스플레이 및 태양 전지 응용 분야에 유리하며 ITO 필름의 투과율은 가시광선 영역에서 극적인 변동을 나타냅니다[7 ].

<그림>

다양한 종횡비(AR)를 가진 Ag NW로 제작된 NTE의 광전자 성능 비교. Ag NW 필름의 최상의 FOM 값 대 Ag NW의 AR. 샘플 S12에서 제작된 Ag NW 필름의 광 투과율 스펙트럼. d Percolative 성능 지수(П ), 전도도 지수(n ). 실선 주어진 투과율 조합(T ) 및 시트 저항(R s ), eq. (삼). 그래핀, SWNT, Cu NW, Ag NW의 플롯 데이터는 최근 발표된 보고서에서 가져온 것입니다[37, 67, 81]. 별표 이 작업의 샘플 S12를 사용하여 제작된 Ag NW 필름의 결과를 나타냅니다.

Ag NWs 네트워크의 광전자 성능을 추가로 평가하기 위해 투과형 FOM, П , 식에서 제안되었다. (3) De et al. [81]:

$$ T={\left[1+\frac{1}{\varPi }{\left(\frac{Z_0}{R_{\mathrm{S}}}\right)}^{\frac{1}{ n+1}}\right]}^{-2} $$ (3)

Z 0 여유 공간의 임피던스(377Ω)입니다. R s Ag NWs 필름의 투과율과 시트 저항을 각각 나타냅니다. П의 높은 값 낮은 시트 저항과 높은 투과율을 의미합니다. 침투식 FOM(П ) 및 전도도 지수(n )는 Eq.를 사용하여 89.8과 1.50으로 계산됩니다. (3), 각각. 침투 FOM 값은 다양한 TE의 다른 보고 값보다 높습니다(그림 6d 참조). 두 가지 이유 때문일 수 있습니다. 얇은 PVP 층(약 2nm)은 나노와이어 접합 저항을 효과적으로 줄일 수 있습니다. 반면에 긴 Ag NW(약 71.0μm)는 침투 네트워크에서 긴 전도성 경로를 형성하여 접합 수를 감소시킵니다. 흥미롭게도 n의 값은 는 나노와이어 접합 저항 분포의 존재와 관련된 비보편 지수입니다[82,83,84]. Lee et al. [67]은 나노와이어 접합 저항을 줄이기 위해 레이저 나노 용접 공정을 사용했으며 n의 값 1.57로 계산됩니다. 그 가치는 우리의 일에 가깝습니다. 또한 얇은 PVP 층과 긴 Ag NW가 Ag NW 네트워크의 저온 용접을 허용하는 데 효율적임을 시사합니다.

그림 7a는 PET에서 균일한 Ag NW 필름의 광학 사진을 보여줍니다. 필름을 통해 배경의 학교 배지가 선명하게 보이므로 필름은 매우 투명합니다. 그림 7b, 추가 파일 1:그림 S3 및 추가 파일 2:비디오 S1은 PET의 Ag NW 필름이 저전압을 적용할 때 LED 전구를 켜는 것을 보여줍니다. Ag NWs 막의 전체 표면이 높은 전도성을 나타냅니다. In addition, The Ag NW film is very flexible as shown in Fig. 7c.

Optical image of as-fabricated Ag NWs films on PET. Ag NWs film is connected in an electric circuit in which an LED is lit. Optical image of the flexible Ag NWs film

The video of Ag NWs flexible transparent electrodes. (AVI 9706 kb)

The mechanical stability of the fabricated Ag NTEs on PET substrate is evaluated by a bending test. As shown in Fig. 8, the bending test consists of 100 cycles of inner bending and 300 cycles of outer bending with a bending radio of 1.5 cm. No visible defects, such as cracking or tearing of the surface, are observed even after more than 400 cycles of bending test. And Ag NTEs exhibit a stable electronic performance with little change of sheet resistance. Its property to tolerate hundreds of mechanical bending test could be attributed to the flexibility of long Ag NWs and the benign adhesion to the substrate.

The bending test, including inner bending and outer bending. Both the bending radios are 1.5 cm. 삽입 shows the bent Ag NTEs is still conductive over the whole surface. (R and R 0 represent the sheet resistance of films before and after bending test, respectively)

결론

In summary, Ag NWs with different aspect ratios varying from ca. 30 to ca. 1000 are prepared via a facile PVP-mediated polyol process and are applied to the fabrication of high-performance Ag NTEs with low-temperature sintering. In the polyol process, the diameters of Ag NWs are strikingly reduced and the aspect ratios reach almost 1000 when employing mixed PVP as the capping agent. Additionally, when the aspect ratios exceed 500, the optoelectronic performance of Ag NWs films show good transmittance (81.8–87.2%) and electronic conductivity (7.4–58.4 Ω/sq), comparable to those of commercial ITO films (85%, 45 Ω/sq). Furthermore, high-performance Ag NTEs with a transmittance of 91.6% and a sheet resistance of 11.4 Ω/sq are obtained, as the aspect ratios exceed 1000. The long nanowires and thin PVP layer lead to less number of nanowire junctions and reduced junction resistance, respectively. It allows low-temperature sintering of Ag NWs network, which is advantageous for the applications in the flexible plastic substrates. Moreover, Ag NTEs show excellent flexibility against the bending test. We believe that the ability to synthesize Ag NWs with different aspect ratios and fabricate high-performance NTEs with low-temperature welding are very valuable to the development of flexible electronic devices.


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