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고성능 슈퍼커패시터용 2차원 VO2 메조포러스 마이크로어레이

초록

2차원(2D) 메조포러스 VO2 마이크로어레이는 유기-무기 액체 계면을 사용하여 준비되었습니다. 마이크로어레이의 단위는 바늘 모양의 VO2로 구성됩니다. 기공 크기가 약 2nm이고 깊이가 20~100nm인 균열 모양의 기공이 입자 표면에 분포되어 있는 메조다공성 구조의 입자입니다. 액체 계면은 운동 관찰에서 확인된 바와 같이 2D 마이크로어레이 형성을 위한 템플릿 역할을 합니다. 2D VO2와 같은 마이크로어레이의 높은 전도성과 단위의 메조다공성 구조로 인해 마이크로어레이는 1A/g에서 265F/g의 높은 비정전용량과 우수한 속도 성능(10A/g에서 182F/g) 및 사이클링 안정성을 나타내어 전기화학적 성능을 개선하기 위한 고유한 미세구조의 효과를 시사합니다.

<섹션 데이터-제목="배경">

배경

슈퍼커패시터는 재충전 가능한 전기화학적 에너지 저장 장치로, 빠른 표면 전하 저장 과정을 통해 배터리보다 1차 더 높은 에너지 밀도와 훨씬 더 긴 사이클 수명을 제공할 수 있는 큰 잠재력을 가지고 있습니다[1,2,3]. 슈퍼커패시터는 메조포러스 탄소 기반 전기 이중층 커패시터(EDL)와 금속 산화물 및/또는 전도성 폴리머의 가역적 패러데이 반응(산화환원 반응) 기반 의사 커패시터의 두 가지 유형으로 나눌 수 있습니다[4]. EDL 효과보다 적어도 1차 더 높은 커패시턴스를 나타내는 의사 커패시턴스는 배터리와 유사한 에너지 밀도를 갖는 의사 커패시터 개발에 대한 관심이 높아지고 있다[5, 6]. 그러나 유사 커패시터는 패러데이 산화환원 반응이 종종 낮은 표면적과 낮은 전기 전도성으로 인해 제한되기 때문에 낮은 전력 성능과 사이클 수명으로 어려움을 겪습니다[7].

RuO2와 같은 전이 금속 산화물(TMO) [8, 9], MnO2 [10, 11], Fe2 O3 [12, 13], NiO [14, 15], SnO2 [16, 17]은 슈퍼커패시터의 전극재료로 광범위하게 연구되고 있다. 그 중 바나듐 산화물(예:V2 O5 , VO2 , 및 V6 O13 )은 고용량, 가변 산화 상태, 저렴한 비용 및 풍부한 저장 용량 때문에 슈퍼 커패시터 및 Li/Na 이온 배터리의 전극 재료로 조사되었습니다. ,27,28,29,30,31]. 음성2 V 3+/5+ 의 혼합 원자가에서 발생하는 더 높은 전자 전도성으로 인해 고성능을 얻을 수 있는 가능성이 있습니다. 및 좋은 구조적 안정성. 지금까지 VO2 /rGO [28, 29, 32], VO2 /CNTs [30] 및 수소 처리된 나노다공성 VO2 우수한 유사 정전용량 특성으로 보고되었습니다[33]. VO2로 구성된 슈퍼커패시터 /GO 나노벨트는 − 0.6 ~ 0.6V의 전위 범위에서 1A/g에서 426F/g의 정전용량 값을 가졌다[29]. 음성2 탄소 매트릭스에 증착된 나노플레이크 어레이는 2A/g에서 485F/g의 정전용량 값을 보여주었습니다[34]. 음성2 원자층 증착에 의해 합성된 /CNT 나노복합체는 최대 1550F/g의 정전용량을 나타냈다[30]. 순수한 VO2로 나노 결정의 경우 일반적으로 나노 규모에서 미세 구조의 불충분한 제어가 존재하여 불만족스러운 정전 용량 및 사이클 성능을 초래했습니다. 음성2 나노시트 기반 전극 재료는 1A/g에서 150F/g의 정전용량을 얻었습니다[34]. 순수 나노다공성 VO2 전극은 1A/g에서 76F/g의 커패시턴스 값만 나타냈습니다[33]. VO2의 마이크로어레이 나노와이어는 우수한 사이클 성능으로 1A/g에서 180F/g의 커패시턴스 값을 얻었습니다[35]. 이 결과는 VO2 우수한 전기 전도성과 설계된 다공성 구조는 고성능을 달성하는 데 중요합니다.

우리는 이전에 나노결정 합성을 위한 톨루엔-물 시스템을 개발했습니다. 금속 산화물 나노결정의 핵형성은 수상에서 발생하였고, 나노결정은 열수 조건에서 액체 계면에 계면활성제의 흡착을 통해 유기상으로 끌어당겨졌다. 나노결정의 형태 진화는 유기상에서 발생하였다. CeO2와 같이 좁은 크기 분포와 균일한 형태를 가진 고도로 분산된 나노결정 , Fe3 O4 , 및 Mn x , 합성되었다[36,37,38,39]. 비록 VO2 나노입자 및 박막은 열수법을 통해 제조되었으며, 결정도 및 미세구조의 합리적인 설계는 달성하기 어렵다[40,41,42].

이 연구에서는 VO2의 2D 마이크로어레이를 제작하기 위해 액체 계면에서 파생된 방법을 개발했습니다. . 2D 마이크로어레이는 두께가 약 1μm인 밀리미터 크기와 두 개의 서로 다른 표면이 유기-수성 계면에 형성되어 있습니다. 2D 마이크로어레이의 블록 단위는 VO2입니다. 기공 크기가 약 2nm인 균일한 메조다공성 구조를 갖는 침상 입자. 이러한 독특한 구조는 전해질 이온을 위한 짧은 확산 경로와 전해질 접근을 위한 수많은 채널을 제공합니다. 또한 VO2에서 낮은 저항을 구현합니다. 마이크로어레이. 이 독특한 구조를 기반으로 하는 2D 메조포러스 마이크로어레이는 높은 비정전용량, 우수한 속도 및 긴 수명 주기 안정성으로 우수한 정전용량 성능을 나타냅니다.

방법

자료

V2 O5 , H2 O2 (30%), 톨루엔, 올레산 및 tert -부틸아민은 Sigma Aldrich에서 구입했습니다. 이러한 화학 물질은 추가 정제 없이 받은 그대로 사용되었습니다. Millipore 시스템(Milli-Q)을 통한 탈이온수(DI)는 모든 실험에 사용되었습니다.

2D VO 준비2 마이크로어레이

일반적인 합성 과정에서 7.5ml H2 O2 (30%)를 150ml의 탈이온수에 첨가한 다음 0.534g V2 O5 용액에 추가됩니다. 현탁액을 짙은 황금색 용액이 얻어질 때까지 실온에서 교반하고 이 과정에서 수상으로 사용하였다. 톨루엔 30ml, 올레산 12ml, tert 1.5ml의 혼합 용액 -부틸아민을 유기상으로 사용하였다. 수성 및 유기 용액을 200ml 오토클레이브에 붓고 200°C에서 48시간 동안 가열했습니다. 2D VO2 마이크로어레이는 유기-수성 계면에서 성장하고 수성 상에 증착된다. 원심분리에서 합성 및 2D VO2 마이크로어레이는 수상에서 수집되었습니다. 마지막으로 수집된 2D VO2 마이크로어레이는 진공에서 200°C에서 2시간 동안 건조되었습니다.

재료 특성화

생성된 생성물의 XRD 패턴은 전압 40kV 및 전류 40mA에서 CuKα 방사선을 사용하여 X선 회절계(XRD, D5005HR)로 수집했습니다. 시료의 형태는 투과전자현미경(TEM, JEM-2100F)으로 조사하였다. 샘플의 미세한 특징은 X선 에너지 분산 분광계(EDS)가 장착된 전계 방출 주사 현미경(FESEM, SU-70)으로 수집되었습니다. 표면 조성은 X선 광전자 스펙트럼(XPS, ESCALAB 250)으로 조사하였다. Brunauer-Emmett-Teller(BET) 표면적 및 다공성은 77K에서 Micrometritics ASAP 2020 분석기를 사용하여 질소 흡착-탈착 등온선 측정에 의해 결정되었습니다.

전기화학적 특성

전기화학적 특성은 3구획 셀에서 전기화학적 분석기 시스템(CHI660D Shanghai Chenhua Apparatus, China)에 의해 조사되었다. 작동 전극은 활물질 80중량%, 아세틸렌 블랙(AB) 10중량%, 폴리비닐리덴 디플루오라이드(PVDF) 10중량%로 구성되었습니다. 아니 -메틸-2-피롤리돈(NMP)을 용매로 사용하였다. 혼합된 슬러리를 Ni 호일에 코팅한 다음 80°C에서 밤새 가열하여 유기 용매를 제거했습니다. 전해질은 1mol l −1 이었습니다. 나2 SO4 해결책. 순환 전압전류법(CV) 곡선은 스캔 속도가 다른 전기화학적 워크스테이션 PARSTAT 2273을 사용하여 기록되었습니다. 전기화학적 임피던스 측정은 10~0.01kHz의 주파수 범위에서 10mV ac 진동 진폭에서 수행되었습니다. 전기 전도도는 ST-2258A 디지털 4점 프로브 테스트 시스템에 의해 실온에서 측정되었습니다. 측정 전 시료 분말을 30MPa의 압력에서 오일 압력기로 두께 0.2mm, 직경 13mm의 웨이퍼로 압축하였다.

결과 및 토론

2D VO2 준비 과정 마이크로어레이는 반응식 1에 설명되어 있습니다. V2 O5 H2에서 처음 용해되었습니다. O2 수용액으로 만들어 수상으로 사용한다. 톨루엔 용액에는 올레산과 tert가 포함되어 있습니다. -부틸아민을 유기상으로 사용하였다. 수성 용액과 유기 용액은 서로 용해되지 않고 수성-유기 액체 계면을 형성합니다. 이 액체 인터페이스는 2D VO2 형성을 위한 템플릿으로 사용되었습니다. 마이크로어레이. 열수 조건에서 tert - 부틸아민이 수용액에 용해되어 pH 값을 향상시키므로 V 5+ 액체 계면에서 올레산에 의해 환원됩니다. Scheme 1, VO2와 같이 나노시트는 먼저 액체 계면에서 형성되었고, 그 다음 바늘 모양의 VO2 mesoporous 구조를 가진 단위는 액체 계면에서 수상의 nanosheets에서 성장했습니다. 바늘 같은 VO2의 성장을 통해 단위, 형성된 나노시트는 유기상에서 나노입자의 집합체로 변형되어 최종적으로 2D 마이크로어레이가 형성된다.

<그림>

2D VO2의 형성 과정의 그림 메조포러스 마이크로어레이

그림 1a는 2D VO2의 SEM 이미지를 보여줍니다. 마이크로어레이(VO2로 지정됨) -N 마이크로어레이), 마이크로어레이는 수 밀리미터 이상의 크기로 균일한 구조를 나타냅니다. 고배율(그림 1b,d 및 추가 파일 1:그림 S1)에서 액체 계면에서 수성 및 유기 상으로 두 개의 서로 다른 표면이 형성되었습니다. 그림 1b는 수상에서 형성된 표면을 보여줍니다. 2D 마이크로어레이는 에지 공유 바늘형 단위로 구성되었음을 알 수 있습니다. 마이크로어레이의 두께는 약 1μm였습니다. 바늘 같은 VO2에 관해서 단위, ca의 너비. 350nm 및 1μm의 길이를 얻었습니다(그림 1c 및 추가 파일 1:그림 S1c, d). 그림 1c는 VO2의 TEM 이미지를 보여줍니다. 바늘 같은 유닛. 입자의 크기는 약 1μm였으며 이는 SEM 관찰과 일치합니다. 입자의 전자 회절(ED) 패턴은 단결정 성질을 나타냅니다. 바늘 모양의 단위체는 균일한 다공성 구조를 가지고 있음을 확인할 수 있습니다. 바늘 모양의 입자에 2nm의 균일한 크기의 기공이 분포했습니다. 기공의 깊이는 20~100nm 범위이고 너비는 약 20nm입니다. 질소 흡탈착 분석에 의해 탐색된 Brunauer-Emmett-Teller(BET) 비표면적 및 다공성은 그림 2a에 나와 있습니다. 질소 흡탈착 등온선 곡선에서 추론하면 2D 마이크로어레이의 표면적은 80m 2 입니다. /g, H1 히스테리시스 루프가 있는 유형 IV 등온선에 기인합니다[43, 44]. 그림 2a에서 볼 수 있듯이 2D 마이크로어레이는 평균 기공 직경이 2.85nm이고 주로 1.9~3.8nm 범위의 좁은 기공 크기 분포를 나타냅니다. 해당 기공은 주로 그림 1c에 표시된 것처럼 바늘 모양 단위에 있는 것과 관련되어야 합니다. 이러한 결과는 2D 마이크로어레이가 전형적인 메조포러스 구조임을 시사했으며, 이는 슈퍼커패시터에서 고성능을 위한 균일한 짧고 빠른 이온 확산 경로를 제공할 수 있습니다. 그림 1d 및 추가 파일 1:그림 S1a, b는 2D VO2의 표면을 보여줍니다. 액체 계면에서 유기상으로 형성된 마이크로어레이. 이 표면은 ca 크기의 불규칙한 입자로 구성되었습니다. 200nm 그림 2b는 마이크로어레이의 XRD 패턴을 보여줍니다. 16°, 25°, 30° 및 49°에서의 회절 피크는 VO2의 (200), (110), (- 401) 및 (312) 결정면에 해당합니다. (B) 상(JCPDS no. 31-1438) [45], 각각 37°에서 회절 피크는 VO2의 (011) 결정면에 해당합니다. (R) 단계. 이 결과는 VO2 마이크로어레이는 VO2의 혼합물이었습니다. (B) 및 VO2 (R) 단계 및 주요 단계는 VO2였습니다. (B), 고성능 커패시턴스에 적합합니다.

<사진>

VO2의 SEM 이미지 2D 마이크로어레이(a ) 및 수성(b ) 및 유기적(d ) 단계. 메조포러스 VO2의 TEM 이미지 단위(c )

<그림>

N2 상응하는 기공 크기 분포를 갖는 흡착-탈착 등온선(a ) 및 2D VO2의 XRD 패턴 마이크로어레이(b )

2D VO2 마이크로어레이는 이 연구에서 수성 및 유기상에서 형성된 독특한 다중 구조를 보여주었다. 이 독특한 구조는 무기-유기 액체 계면에 기인할 수 있습니다. 추가 파일 1:그림 S2는 2D 마이크로어레이 형성의 동역학을 보여줍니다. 1시간 동안 합성하면 두께가 약 1mm인 밀리미터 크기의 시트가 있습니다. 100nm가 얻어졌습니다(추가 파일 1:그림 S2a). TEM(추가 파일 1:그림 S2b, c)에서 시트는 단결정 성질을 가지며 표면에 5nm 크기의 상당한 나노결정이 관찰되었습니다. 수상에서 시트 표면에 형성된 나노결정은 바늘 모양의 VO2의 성장을 촉진하기 위한 씨앗이 되었습니다. 단위. 추가 파일 1:그림 S2d, e는 8시간 동안 합성된 SEM 이미지를 표시합니다. 시트에서 성장하는 불규칙한 형태를 갖는 입자가 수상에서 관찰되었습니다. 16시간 동안 합성했을 때 일부 입자는 VO2와 유사한 형태를 보였습니다. 바늘 모양 단위(추가 파일 1:그림 S2f). 이러한 관찰은 VO2 수용액에서 처음 형성된 시트에 침상 단위가 성장한 다음 시트가 유기상의 불규칙한 입자의 집합체로 변형되었습니다(그림 1c 및 추가 파일 1:그림 S1).

2D 마이크로어레이의 형태는 용매, 환원제 및 계면활성제를 변경하여 제어할 수 있습니다. 추가 파일 1:그림 S3은 VO2를 보여줍니다. 초순수를 수상으로 사용하여 합성된 마이크로어레이(VO2로 지정됨) -에스). 초순수의 낮은 유전 상수는 VO2의 핵 생성 및 성장을 지연시킵니다. 입자. 합성 후 유기상으로 형성된 시트는 사라지지 않았고, 수용액에서 형성된 표면에서 나노시트로 구성된 꽃이 관찰되었다. 나노시트의 크기는 30μm 이상, 두께는 100nm이며 바늘 모양의 입자는 관찰되지 않았다. 추가 파일 1:그림 S4는 VO2를 보여줍니다. 마이크로어레이(VO2로 지정됨) -F 마이크로어레이) 수용액에 첨가된 히드라진을 환원제로 사용. 히드라진을 환원제로 사용하여 합성한 샘플에 대해서도 2D 마이크로어레이를 얻었고, 반면에 VO2 단위가 방추형과 같은 형태로 변경되었습니다. 추가 파일 1에 표시된 대로 방추형 단위가 막대형 집합체로 자체 조립됨:그림 S4b, c. 추가 파일 1:그림 S3e 및 S4d와 같이 히드라진과 초순수를 사용하여 합성된 방추형 및 나노시트 단위에 대해 다공성 구조가 확인되지 않았다는 점은 주목할 가치가 있습니다. 부틸아민 대신 올레일아민을 사용한 경우 톨루엔 용액에 분산된 200nm 크기의 나노 큐브가 얻어졌으며 추가 파일 1:그림 S5와 같이 액체 계면에서 마이크로어레이가 관찰되지 않았습니다.

그림 3은 2D VO2의 XPS 스펙트럼을 보여줍니다. -N 마이크로어레이. 조사지역에서는 탄소, 바나듐, 산소가 검출되었다(Fig. 3a). O 원자와 V 원자의 비율은 약 2였으며, 이는 VO2의 화학량론적 비율과 잘 일치합니다. . 그림 3b는 V(2p) 피크에 대한 코어 수준 결합 에너지를 보여줍니다. V 2p3/2에 대한 결합 에너지 및 2p1/2 516.7 및 524.6 eV에서 관찰된 V 4+ 와 잘 일치함 이온이고 다른 피크는 V 5+ 에 속하지 않습니다. 감지되었습니다[46].

<사진>

XPS 스펙트럼:조사 스캔. V 2p 및 b 2D VO2의 O 마이크로어레이

VO2의 슈퍼커패시터 성능을 특성화하기 위해 CV(Cyclic voltammograms)를 측정했습니다. -N 마이크로어레이(그림 4a). CV 곡선은 높은 스위프 속도에서도 유사한 직사각형 모양을 유지했습니다. 다양한 스캔 속도에서 CV 곡선에서 관찰된 대칭 모양은 산화 환원 반응이 가역성이 높고 향상된 정전 용량 성능을 담당한다는 것을 나타냅니다. EIS(Electrochemical Impedance Spectrum) 테스트를 사용하여 전하 캐리어 수송의 역학을 조사했습니다(그림 4b). Warburg 임피던스에서 추론된 저주파의 직선. VO2 -N 마이크로어레이는 90°에 가까워지는 급격하게 증가된 기울기를 나타내어 전극에서 전해질 이온의 이상적인 정전용량 거동과 짧은 확산 저항을 의미합니다. 고주파 영역에서 반원은 커패시턴스와 병렬로 저항에서 나왔습니다. 패러데이 반응의 전하 이동 과정에서 유래한 세 가지 유형의 2D 마이크로어레이 모두에 대해 반원이 식별되었습니다. VO2 -N 마이크로어레이는 1.07Ω의 최저 감소 등가 직렬 저항(ESR)을 나타냈습니다. 상당히 함몰된 반원과 낮은 내부 저항은 VO2 내에서 빠른 이온 이동을 나타냅니다. -N 마이크로어레이 전극.

<사진>

5~50mV/s의 스캔 속도에서 CV 곡선(a ) 및 2D VO2의 EIS 스펙트럼 마이크로어레이(b )

그림 5a는 VO2의 정전류 충방전 곡선을 보여줍니다. -N 마이크로어레이 전극은 전류 밀도가 0.5 ~ 10A/g 범위이며 해당 비정전용량은 그림 5b에 나와 있습니다. 전체 전류 밀도 범위 내에서 VO2 -N 마이크로어레이 전극은 높은 비정전용량을 산출했습니다. 0.5A/g에서 275F/g의 정전용량을 얻었고 1A/g에서 265F/g의 정전용량을 0.5A/g에서와 비교하여 96%의 정전용량 유지율을 얻었습니다. 10A/g에서 정전용량은 66%의 정전용량 유지율을 유지하는 182F/g였습니다. 용량성 성능의 장기 사이클링 거동은 2A/g의 전류 밀도에서 최대 3000사이클까지 조사되었습니다(그림 5c). VO2에 대한 사이클링 동안 커패시턴스 페이딩이 관찰되지 않았습니다. -N 마이크로어레이 전극, 239F/g의 커패시턴스는 3000사이클 후에도 변함없이 유지되었습니다. 한편, 메조포러스 구조가 없는 다른 유형의 마이크로어레이에서 비정전용량은 VO2의 경우 96 및 64F/g(1A/g)에 불과했습니다. -S 및 VO2 -F 2D 마이크로어레이, 각각(추가 파일 1:그림 S6c). 따라서 커패시턴스는 VO2의 경우 1A/g에서 300사이클 후에만 73F/g로 급격히 감소했습니다. - 추가 파일 1에 표시된 S 마이크로어레이:그림 S6.

<그림>

0.5~10A/g, b 전류 밀도에서의 충방전 곡선 해당하는 특정 커패시턴스 및 c 2D VO2의 사이클링 성능 1A/g

의 마이크로어레이

VO2 -N 마이크로어레이는 우수한 정전 용량 성능을 얻었습니다. 지금까지 순수 VO2의 가장 높은 커패시턴스 1A/g의 전류 밀도에서 180F/g이었다[35]. VO2의 커패시턴스 -N 마이크로어레이는 1A/g에서 265F/g에 도달했으며 정전용량 유지율은 고전류 밀도(10A/g에서 182F/g)에서 높았습니다. 또한, 마이크로어레이의 사이클 성능이 우수하였다. 일반적으로 순수 VO2의 사이클 성능은 낮은 전기 전도성으로 인해 매우 열악했습니다. 정전 용량 유지는 500 사이클 후에 약 60%로 감소했습니다[28,29,30,31,32,33,34,35]. 반면에 VO2에 대한 사이클링 동안 커패시턴스 페이딩이 관찰되지 않았습니다. -N 마이크로어레이 전극은 높은 전류 밀도(2A/g)에서 3000회 사이클 후입니다. 패러데이 효과 기반 의사 정전 용량의 경우 이온 삽입 및 반응이 표면 근처에서 지배적인 현상이었으며 입자 내부에서 정전 용량에 거의 기여하지 않았습니다. 큰 비표면적은 이중층 커패시턴스 효과의 추가 기여와 함께 비 커패시턴스를 크게 최대화합니다. 이 작업에서 VO2의 균일한 메조다공성 구조 VO2의 단위 -N 2D 마이크로어레이는 큰 비정전용량을 실현하기 위해 높은 표면적과 짧은 이온 확산 경로를 제공했습니다. 그러나 다른 유형의 마이크로어레이에서는 메조포러스 구조가 관찰되지 않았으며(추가 파일 1:그림 S3 및 S4) BET 표면적은 21 및 13m 2 에 불과했습니다. /g VO2 -S 및 VO2 -F 2D 마이크로어레이, 각각. 또한 VO2 -N 2D microarray는 VO2에 비해 더 높은 전도도를 얻었습니다. -S 및 VO2 -F 2D 마이크로어레이, VO2의 우수한 사이클 성능 생성 -N 2D 마이크로어레이.

결론

요약하면 2D VO2를 제작하는 손쉬운 방법을 보고합니다. 마이크로어레이. 유기-무기 액체 계면은 마이크로어레이 형성을 위한 부드러운 주형으로 작용했습니다. 단위의 형태는 용매와 환원제를 변경하여 제어할 수 있습니다. 바늘형 나노시트와 방추형 단위체를 얻었다. 슈퍼커패시터 전극으로서 2D VO2 바늘 모양 단위의 마이크로어레이는 높은 비정전용량, 놀라운 속도 성능 및 우수한 사이클 성능을 나타냅니다. 바늘 모양 유닛의 메조포러스 구조와 마이크로어레이의 높은 전도성은 우수한 정전 용량 성능에 기여했습니다.

약어

2D:

2차원

AB:

아세틸렌 블랙

베팅:

브루나우어-에밋-텔러

CNT:

탄소나노튜브

이력서:

순환 전압전류법

ED:

전자 회절

EDL:

전기 이중층 커패시터

EIS:

전기화학적 임피던스 스펙트럼

ESR:

등가 직렬 저항

NMP:

아니 -메틸-2-피롤리돈

PVDF:

폴리비닐리덴디플루오라이드

rGO:

환원그래핀옥사이드

TMO:

전이 금속 산화물

XRD:

X선 회절


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