용액 공정 C8-BTBT 박막 트랜지스터의 전기적 성능에 미치는 주변 기체의 영향

요약

용액 공정으로 제조한 2,7-디옥틸[1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜(C8-BTBT) 박막 트랜지스터(TFT)의 전기적 성능 특성에 미치는 환경 조건의 영향을 체계적으로 연구했습니다. 고진공(HV), 산소(O₂), 질소(N₂), 공기 등 4가지 환경 노출 조건을 고려했습니다. 2시간 동안 O₂와 N₂에 노출된 소자는 HV에서 보관된 소자와 유사한 성능을 보였습니다. 그러나 2시간 동안 공기에 노출된 소자는 다른 소자들에 비해 현저히 향상된 전기적 특성을 나타냈습니다. 공기 노출된 70개 C8-BTBT TFT의 평균 및 최고 캐리어 이동도는 각각 4.82, 8.07 cm²V^-1s^-1로, HV에서 보관된 70개 소자의 2.76, 4.70 cm²V^-1s^-1보다 높았습니다. 또한 소자의 공기 안정성도 조사했습니다. C8-BTBT TFT의 전기적 성능은 장기간 공기 노출 후 저하됩니다. 본 연구는 C8-BTBT 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 전하 수송 행동과 메커니즘에 대한 이해를 높이고, 소자 전기적 성능을 추가로 개선할 수 있는 아이디어를 제공합니다.

서론

저온 증착, 높은 기계적 유연성, 저비용, 대면적 생산 등의 장점으로 인해 유기 반도체 소재는 유기 발광 다이오드, 유기 광전 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 등 다양한 전자 소자 응용 분야에서 널리 연구되어 왔습니다[1-4]. 유기 반도체는 크게 공액 고분자와 저분자 유기 반도체로 나눌 수 있습니다[3]. 공액 고분자에 비해 저분자 유기 반도체는 높은 정렬도, 적층 밀도, 소재 순도를 제공하며, 이는 고성능 소자 제작을 용이하게 합니다[5-8]. C8-BTBT는 대표적인 저분자 유기 반도체 소재입니다[5]. 전하 수송 메커니즘[9], 저비용 제작 방법[10, 11], 다양한 기판에서의 성장 및 미세 구조 형성[12-14], 금속/반도체 접촉 특성[15, 16], 캐리어 이동도 향상 전략[11, 17-19] 등에 대한 광범위한 연구가 수행되었습니다. 그러나 지금까지 C8-BTBT 기반 소자의 전기적 성능에 미치는 주변 기체의 영향에 대한 체계적인 연구는 없었습니다. 한편, 이러한 유기 소자의 전기적 성능에 미치는 환경 유도 변화는 향후 상업적 응용을 위한 안정적인 작동을 제공하기 위해 해결해야 할 중요한 문제입니다. 다른 한편, 이러한 효과는 C8-BTBT 기반 소자를 가스 센서로 활용할 잠재력을 시사합니다.

본 연구에서는 C8-BTBT 유기 반도체 박막을 용액 공정으로 제작하고, 다양한 주변 기체에서 C8-BTBT 기반 OTFT의 전기적 특성을 조사했습니다. C8-BTBT OTFT는 공기에 2시간 노출 후 가장 높은 캐리어 이동도(~8 cm²V^-1s^-1)를 보였으며, 이는 공기 중 수분과 밀접한 관련이 있다고 가정됩니다. 또한 내부 분자 구조의 변화가 OTFT의 전기적 성능에 중요한 역할을 한다는 사실이 밝혀졌습니다. 본 연구는 C8-BTBT 박막의 전하 수송 메커니즘과 구조적 변화에 대한 이해를 심화시켰을 뿐만 아니라, 전기적 성능을 추가로 개선할 수 있는 새로운 아이디어를 제공합니다.

실험 방법

C8-BTBT 증착 및 OTFT 소자 제작

열산화된 50 nm SiO₂ 층을 가진 고도핑 p형 실리콘(100) 웨이퍼를 유기 박막 트랜지스터 제작용 기판으로 사용했습니다. Si 웨이퍼는 하부 게이트 전극으로, SiO₂ 층은 게이트 절연체로 사용되었습니다. 기판은 초음파 세척기를 사용하여 아세톤, 이소프로판올, 탈염수에서 각각 5분간 세척했습니다. 기판 표면이 깨끗하고 건조한 상태를 유지하기 위해 120°C에서 15분간 공기 중 핫플레이트에서 건조했습니다. 표면 소수성을 변경하기 위해 모든 샘플에 1분간 UV-오존 처리를 수행했습니다. 이 처리 시간은 이전 연구 결과를 기반으로 선택되었습니다[10]. 이전 연구에서 1분 UV 표면 처리를 받은 C8-BTBT OTFT가 다른 UV 처리 시간이나 비처리 소자보다 우수한 전기적 성능을 보였습니다. 유기 반도체 층은 고순도 C8-BTBT(≥99%, Sigma-Aldrich)와 PMMA(Aladdin)를 클로로벤젠에 용해하여 제조했습니다. 용액(0.5 wt% C8-BTBT, 0.5 wt% PMMA)을 50 nm SiO₂ 덮인 p++ 기판에 스핀 코팅했습니다(2000 rpm, 40초). 각 스핀 코팅 사이클로 45 nm 두께의 C8-BTBT 박막이 생성되었습니다. 공기 중 60°C에서 2시간 어닐링 후, 금속 마스크를 통해 열증착으로 MoO₃(5 nm)을 증착했습니다. 이 버퍼 층은 Au 전극과 C8-BTBT 반도체 사이의 접촉 장벽을 낮추고 전하 주입을 개선하기 위해 설계되었습니다. 마지막으로 동일한 MoO₃ 섀도 마스크를 사용하여 열증착으로 Au 소스 및 드레인 전극(40 nm)을 제작했습니다. 결과적인 트랜지스터 소자는 채널 길이가 50~350 μm 범위로 다양했지만 채널 폭은 모두 1200 μm로 동일했습니다.

소재 및 소자 특성 분석

Agilent B1500A 반도체 소자 분석기를 사용하여 소자 전기적 성능을 측정했습니다. 표면 형태와 거칠기는 탭핑 모드 원자력 현미경(Asylum Research)으로 관찰했습니다. 라만 분광 분석은 Renishaw in Via 라만 현미경을 사용하여 수행했습니다. C8-BTBT 층 두께는 엘립소미터로 측정했습니다.

전기적 성능 측정 전에 소자들을 특정 환경 조건(고진공, N₂, O₂, 공기)에서 2시간 보관하여 원하는 기체에 완전히 노출되도록 했습니다. 편의상 고진공(1.3 × 10^-5 Torr), N₂, O₂, 공기에 노출된 소자를 각각 HV, N₂, O₂, 공기 소자라고 부르겠습니다. 각 환경 조건 또는 주변 기체당 70개 소자를 측정하여 신뢰할 수 있고 통계적으로 의미 있는 전기적 성능 결과를 얻었습니다. 또한 한 샘플의 전기적 성능을 공기 노출 시간에 따라 모니터링하여 공기 중 안정성을 연구했습니다.

결과 및 논의

OTFT 소자의 단면 구조를 그림 1a에 개략적으로 나타냈습니다. 아래부터 위로는 고도핑 Si 기판, 50 nm 산화 실리콘, 45 nm C8-BTBT 박막, Au(40 nm)/MoO₃(5 nm) 전극으로 구성됩니다. Au/MoO₃ 소스/드레인 전극은 Au 전극과 C8-BTBT 사이의 접촉 장벽을 낮추어 전하 주입 효율을 높이고 고이동도 소자를 제작하는 데 도움을 줍니다[10]. 그림 1b는 실험에 사용된 C8-BTBT, 산화 몰리브덴, PMMA의 분자 구조를 보여줍니다. 본 연구에서는 PMMA를 C8-BTBT에 혼합하여 혼합 용액을 만들었습니다. 저분자 유기 반도체에 고분자를 혼합하는 것은 유기 반도체의 전기적 성능을 개선하는 일반적인 방법입니다. 이는 매끄럽고 연속적인 반도체 박막 형성을 돕고, 질량 차이로 인한 수직 상분리가 반도체 표면 트랩 수를 줄일 것으로 기대됩니다[19]. C8-BTBT 박막의 AFM 표면 형태 이미지를 그림 1c에 나타냈습니다. 큰 결정립 크기, 우수한 표면 연속성, 매끄러운 표면 형태(RMS 값 2.081 nm)를 나타냅니다. 그림 1d는 HV, 질소, 산소, 공기에 노출된 샘플에 사용된 테스트 절차의 개략도를 보여줍니다. 각 주변 기체당 70개 소자를 2시간 노출 후 측정했습니다.

(컬러 온라인) (a) 소자 구조의 개략도. (b) 실험에 사용된 C8-BTBT, 산화 몰리브덴, PMMA의 분자 구조. (c) RMS 값 2.08 nm로 작은 C8-BTBT 박막의 AFM 표면 형태 이미지. (d) 각 소자 유형(고진공, 질소 분위기, 산소 분위기, 공기 분위기) 70개 단위의 전기적 성능 특성을 측정하는 데 사용된 테스트 절차

다른 주변 기체가 소자 전기적 성능에 미치는 영향을 명확히 하기 위해 4가지 소자 유형의 전달 특성을 비교했습니다. 그림 2a와 2b는 각각 짧은 채널(L = 50 μm)과 긴 채널(L = 350 μm) 소자의 전형적인 드레인 전류-게이트 전압(I_D-V_G) 곡선을 보여줍니다. 모든 소자는 동일한 채널 폭 1200 μm를 가지며 동일한 -40 V 드레인 전압으로 측정되었습니다. 기체 노출이나 채널 길이와 관계없이 유의미한 히스테리시스 루프는 관찰되지 않았습니다. 공기에 노출된 소자에서 오프 상태 드레인 전류(I_off)의 명백한 감소와 온 상태 드레인 전류(I_on)의 증가가 관찰되었습니다. 그 온/오프 드레인 전류비는 10⁷로 높은 반면, HV 소자, O₂ 소자, N₂ 소자는 10⁶입니다. 또한 공기 소자는 다른 소자들에 비해 거의 2배 높은 캐리어 이동도와 5~8 V 낮은 V_TH를 보입니다. 그림 2a와 2b의 결과는 2시간 공기 노출된 소자가 다른 주변 기체에 노출된 소자들보다 우수한 전기적 특성을 보임을 보여줍니다. 채널 길이 350 μm인 공기 소자의 전형적인 전달(V_D = -40 V) 및 출력 특성을 그림 2c와 2d에 각각 나타냈습니다. 이 그림들은 용액 공정 C8-BTBT 트랜지스터의 뛰어난 전기적 성능 특성을 보여줍니다. 잘 포화된 I_D-V_G 곡선, 큰 I_on/I_off 비 10⁷, 높은 캐리어 이동도 8.07 cm²V^-1s^-1가 관찰됩니다. 그림 2c의 작은 히스테리시스 루프는 C8-BTBT와 SiO₂ 사이에 불완전한 계면이 존재함을 나타냅니다. 그림 2d의 낮은 드레인 전압에서 비선형 I_D-V_D 곡선은 MoO₃ 층을 사용하여 S/D 전극과 반도체 사이의 계면 장벽을 낮췄음에도 불구하고, 접촉 계면의 전위 장벽이 옴적 전도에 충분히 낮지 않음을 나타냅니다. 공기 소자의 전기적 성능은 향후 계면 최적화를 통해 추가로 개선될 수 있습니다.

(컬러 온라인) 다양한 환경 조건에 노출된 후 트랜지스터의 전형적인 전달 특성: 50 μm(a) 및 350 μm(b) 채널 길이. 이동도 8.07 cm²(V s)^-1, I_on/I_off 비 10⁷, 350-μm 길이 채널을 가진 소자의 전형적인 전달 특성(c) 및 출력 특성(d)

신뢰할 수 있고 통계적인 데이터를 얻기 위해 총 280개 소자(각 환경 조건당 70개)를 측정했습니다. 캐리어 이동도와 문턱 전압 실험 결과를 그림 3a와 3b에 히스토그램으로 요약하여 나타냈습니다. 또한 다양한 주변 기체에 노출된 소자들의 평균 캐리어 이동도, 최고 캐리어 이동도, 평균 문턱 전압을 표 1에 나타냈습니다. 공기에 노출된 소자에서 가장 높은 평균 캐리어 이동도(4.82 cm²V^-1s^-1)와 가장 낮은 문턱 전압(-20.16 V)이 관찰되었습니다. 따라서 공기 노출 소자가 테스트된 소자 유형 중 최고의 전기적 성능을 보입니다. HV 소자, N₂ 소자, O₂ 소자 히스토그램은 평균 캐리어 이동도, 최고 캐리어 이동도, 문턱 전압에서 미미한 차이만 보입니다. 공기는 질소(78%), 산소(21%), 수분 등으로 구성됩니다. HV, N₂, O₂ 소자가 유사한 전기적 특성을 보인다는 것은 N₂와 O₂ 노출이 HV 소자 대비 유의미한 성능 차이를 만들지 않음을 나타냅니다. 공기 중 수분이 공기 소자의 전기적 성능 향상에 핵심적인 역할을 한다고 가정할 수 있습니다. 실험 중 상대 습도 범위는 40-59%였습니다. 따라서 공기 중 H₂O가 소자 성능에 영향을 미칠 가능성이 높습니다.

(컬러 온라인) 다양한 테스트 기체에 노출된 소자에서 관찰된 캐리어 이동도(a) 및 문턱 전압(b)의 통계적 히스토그램. c R_total W의 선형 피팅을 가진 전송 선로 모델 플롯과 환경 조건이 접촉 저항(d), 평균 이동도(e), 평균 문턱 전압(f)에 미치는 영향

이들 C8-BTBT 기반 트랜지스터의 기체 노출 기반 전기적 특성 변화를 이해하기 위해 채널 길이 50~350 μm인 소자들의 I_D-V_G 곡선을 측정했습니다. 모든 4가지 소자 유형에 대해 금속/반도체 접촉 저항(R_C)을 조사했습니다. 다음 선형 영역 방정식 (1)을 기반으로 하는 전송 선로 방법을 사용하여 R_C를 추출했습니다[20].

$$ {\mathrm{R}}_{\mathrm{total}}={R}_{\mathrm{channel}}+{R}_{\mathrm{contact}}=\frac{L}{WC_i\left({V}_g-{V}_{\mathrm{th}}\right){\mu}_{\mathrm{channel}}}+{R}_{\mathrm{contact}} $$ (1)

그림 3c는 채널 길이 함수로서 다양한 환경 조건에 노출된 소자들의 총 저항(R_total)을 보여줍니다. R_C 값은 피팅 선의 y절편에서 추출하여 노출 기체별로 플롯했습니다. R_C 값은 그림 3c의 결과를 바탕으로 그림 3d에서 비교했습니다. HV, N₂, O₂ 소자 사이에는 미미한 차이만 관찰됩니다. 그러나 공기 소자는 R_C의 유의미한 감소를 보입니다. 평균 캐리어 이동도와 평균 문턱 전압은 각각 그림 3e와 3f에 요약되어 있습니다. 공기 소자는 다른 소자들에 비해 훨씬 높은 캐리어 이동도와 낮은 문턱 전압을 보입니다. 4가지 소자 유형의 R_C 값, 평균 및 최고 캐리어 이동도, 문턱 전압을 표 1에 요약했습니다. 그림 3d-f와 표 1의 결과를 바탕으로, 공기 소자가 보이는 향상된 전기적 특성은 C8-BTBT 반도체와 소스/드레인 전극 사이의 감소된 접촉 저항과 밀접한 관련이 있다고 결론지을 수 있습니다. 또한 N₂와 O₂ 소자의 전기적 특성은 서로나 HV 소자와 유의미하게 벗어나지 않습니다. 이는 캐리어 이동도 증가와 문턱 전압 감소를 유도하는 감소된 R_C 값이 N₂나 O₂ 농도가 아닌 공기 중 H₂O에 의해 발생함을 나타냅니다. 이 상호작용의 메커니즘은 명확하지 않지만, 물에서 온 히드로늄과 하이드록실 음이온이 C8-BTBT 반도체의 트랩과 결함을 패시베이션할 것으로 가정합니다. 본 연구 결과는 접촉 저항 감소와 전반적인 전기적 성능 향상에서 공기의 역할에 대한 추가적인 통찰을 제공합니다.

소자 전기적 성능 차이를 유도하는 메커니즘을 더 이해하기 위해 다양한 환경 조건에 노출된 C8-BTBT 박막의 라만 스펙트라 측정을 수행했습니다. 그림 4a는 HV와 공기에 노출된 C8-BTBT 박막의 라만 스펙트라를 비교합니다. 이 피크들이 일반적으로 C8-BTBT 분자와 관련되고 모든 전하 민감 대역이 이 영역에 있기 때문에 1300 cm^-1-1600 cm^-1 스펙트럴 범위만 보여줍니다. 일반적으로 C8-BTBT 분자는 장축(c-축) 방향을 따라 SiO₂/Si 기판에 배향합니다. BTBT 코어 부분의 청어 뼈 배열이 평면 내 방향에 나타납니다[14]. 티오펜 피크는 1314 cm^-1과 1465 cm^-1에 위치하며, C-H 평면 내 피크는 1547 cm^-1에 나타납니다[6, 21]. HV, O₂, N₂에 노출된 C8-BTBT 샘플의 라만 스펙트라는 유의미한 차이를 보이지 않습니다. 샘플이 일정 기간 공기에 노출되면, 물에서 온 하이드록실 음이온과 C-H 그룹의 수소 간 상호작용으로 인해 1547 cm^-1에서 다비도프 분열(Davydov splitting)이 나타납니다[22]. C8-BTBT 분자 적층에서 온 C-H 결합은 일반적으로 표면에 매달려 있습니다[14]. 따라서 공기 중 수분과 쉽게 상호작용하여 향상된 π-π 및 반데르발스 상호작용을 통해 캐리어 이동도를 증가시킬 수 있습니다[5, 9]. 이 결과는 하이드록실 음이온이 C8-BTBT 박막의 트랩을 패시베이션한다는 이전 가정을 추가로 뒷받침합니다.

(컬러 온라인) (a) HV 및 공기 조건에서 C8-BTBT 박막의 라만 스펙트라(λ_exc = 633 nm). 인셋은 1542-1554 cm^-1 영역의 확대. (b) HV 및 공기 소자에서 MoO_x의 일함수 변화 개략도, S/D 전극에서 C8-BTBT로의 전하 주입과 관련된 장벽 높이 감소 결과

Irfan 등이 보고한 바와 같이[23], 열증착된 5.5 nm MoO_x의 일함수(W_F)는 6.82 eV입니다. 그러나 공기 노출 1시간 후 1.18 감소하여 5.64 eV가 됩니다. 공기 노출 시 일함수 감소는 박막 표면에 수분 흡착 때문일 수 있습니다. Irfan 등의 결과를 바탕으로, 공기 노출이 C8-BTBT 접촉 저항과 전기적 성능에 미치는 영향을 설명하는 모델을 제안했습니다(그림 4b)[9, 19, 23]. 금속과 반도체 사이의 접촉 장벽 높이가 낮아지면 캐리어 주입 효율이 향상되고 접촉 저항이 감소하며 캐리어 이동도가 증가한다고 가정합니다. R_C 감소의 또 다른 가능한 메커니즘은 C8-BTBT와 Au/MoO₃ 전극 사이의 계면 트랩 패시베이션입니다. Wang 등에 따르면 금속/반도체 계면 트랩 밀도가 계면 접촉 저항에 유의미하게 영향을 미칩니다[24]. 본 연구에서 물에서 온 히드로늄이 계면 트랩을 패시베이션하여 R_C 감소를 유도합니다.

마지막으로 C8-BTBT OTFT의 공기 안정성을 조사했습니다. 최대 9120분(~1주일) 공기에 노출된 C8-BTBT 소자의 전기적 특성을 측정했습니다. 그림 5a는 공기 노출 시간 0분, 2시간, 9120분인 소자들의 I_D-V_G 특성을 비교합니다. 캐리어 이동도를 공기 노출 시간 함수로 나타낸 것을 그림 5b에 나타냈습니다. 비공기 노출 소자의 캐리어 이동도는 1.97 cm²V^-1s^-1입니다. 이동도는 공기 노출 시간이 4시간에 도달할 때까지 노출 시간과 함께 증가합니다. 최고 캐리어 이동도(3.08 cm²V^-1s^-1)는 공기 노출 시간 2~4시간 후에 달성됩니다. 추가 모니터링 결과 캐리어 이동도는 추가 공기 노출과 함께 점차 감소합니다. 9120분(약 1주일) 공기 노출 후 캐리어 이동도는 1.61 cm²V^-1s^-1로 감소합니다. 이 캐리어 이동도 저하는 아래 식 (2)에 표시된 것처럼 채널이 수분에 의해 쉽게 산화되기 때문에 발생할 수 있습니다[25]. 이 식에서 OSC와 OSC⁺는 각각 유기 반도체와 분자 양이온을 나타냅니다.

$$ 6{\mathrm{H}}_2\mathrm{O}+4{\mathrm{O}\mathrm{SC}}^{+}\rightleftharpoons 4\mathrm{OSC}+{\mathrm{O}}_2+4{\mathrm{H}}_3{\mathrm{O}}^{+} $$ (2)

(컬러 온라인) (a) HV 소자, 2시간 공기 소자, 9120분 공기 소자의 전형적인 I_d-V_g 특성; (b) 공기 노출 시간에 따른 캐리어 이동도

일정 기간 공기 노출 후 수분 흡착은 HOMO 위에 비점유 상태를 유도하고 깊은 정공 트랩을 생성하여 채널 내 캐리어 수송을 크게 저하시키고 접촉 저항을 증가시킵니다[24]. Gomes 등과 Peter 등은 p형 OTFT에서 SiO₂ 표면의 물이 중요한 역할을 함을 입증했습니다. Si-O-H ↔ Si-O^- + H⁺ 반응으로 인해 흡착된 물 층에 상당한 양의 히드로늄이 존재합니다[26]. 또한 반도체의 이동 전하가 SiO₂ 표면의 고정 전하로 서서히 대체되며, 이는 가역적으로 벌크 SiO₂로 이동할 수 있습니다. 따라서 장기간 공기 노출, 수분의 지속적인 흡수와 상호작용은 트랜지스터 불안정성을 증가시키고[27] 캐리어 이동도를 감소시킵니다.

다양한 기체 환경에 노출된 소자들의 비교 연구를 통해 공기 중 수분이 C8-BTBT-OTFT 소자의 전기적 성능 특성에 유의미한 영향을 미침을 입증했습니다. 또한 적절한 공기 노출 시간은 소자 전기적 성능을 개선하지만 긴 노출 시간은 이를 저하시킴을 발견했습니다. 유기 소자를 공기에 노출시키는 것이 전기적 특성에 해롭다는 것이 일반적인 통념입니다. 본 연구는 수분이 C8-BTBT 반도체 트랩을 패시베이션하고 R_C 값을 낮추는 긍정적인 역할을 함도 보여줍니다. 또한 C8-BTBT OTFT 소자 성능을 개선하고 공기 안정성에 대한 지식을 향상시킬 수 있는 유용한 통찰을 제공합니다.

결론

요약하자면, 용액 공정 C8-BTBT OTFT의 전기적 특성에 미치는 주변 기체의 영향을 조사했습니다. 다양한 주변 기체(HV, O₂, N₂, 공기)에 노출된 소자들의 전기적 특성을 비교했습니다. O₂ 소자와 N₂ 소자의 전기적 특성이 HV 소자 대비 거의 변하지 않음을 관찰했습니다. 그러나 공기 소자에서 전기적 특성의 유의미한 향상이 관찰되었습니다. 2시간 공기 노출된 70개 소자의 평균 및 최고 캐리어 이동도는 각각 4.82, 8.07 cm²V^-1s^-1였습니다. 이는 HV 소자의 2.76, 4.70 cm²V^-1s^-1와 비교됩니다. 가장 낮은 문턱 전압도 공기 소자에서 관찰되었습니다. 공기 소자의 향상된 전기적 성능은 공기 노출 후 감소된 접촉 저항과 MoO₃ 일함수 감소 때문으로 생각됩니다. 또한 C8-BTBT OTFT 공기 안정성을 조사했습니다. 4시간 이상 공기 노출 시 전기적 성능이 저하되었습니다. 본 연구는 용액 공정 C8-BTBT OTFT의 전기적 성능 특성에 미치는 환경 조건의 영향에 대한 체계적인 이해를 제공합니다. 이는 고성능, 공기 안정성, 인쇄 가능한 OTFT 소자 개발에 도움이 됩니다.

약어

AFM:

원자력 현미경

Au:

금

C8-BTBT:

2,7-디옥틸[1]벤조티에노[3,2-b][1]벤조티오펜

HOMO:

최고 점유 분자 오비탈

HV:

고진공

I_D:

드레인 전류

L:

채널 길이

MoO₃:

산화 몰리브덴

OTFTs/OTFT:

유기 박막 트랜지스터

PMMA:

폴리메틸 메타크릴레이트

R_C:

접촉 저항

RMS:

제곱 평균 제곱근

R_total:

총 저항

TFTs:

박막 트랜지스터

V_G:

게이트 전압

W:

채널 폭