효율적인 전기 촉매 수소 진화를 위한 Mo2C 나노 입자와 강력하게 결합된 질소 도핑된 다공성 탄소 나노시트

초록

물 전기분해를 위한 지구에 풍부하고 귀금속이 없는 촉매를 탐색하는 것은 재생 가능한 수소 생산에서 중추적입니다. 여기서, Mo₂와 결합된 질소 도핑된 다공성 탄소 나노시트의 고활성 전극촉매 C 나노입자(Mo₂ C/NPC)는 1380m² 의 높은 BET 표면적을 갖는 새로운 방법으로 합성되었습니다. g⁻¹ KOH를 사용하여 탄소 복합 재료를 활성화합니다. KOH는 MoS₂를 식각하는 데 핵심적인 역할을 합니다. Mo 전구체를 생성하기 위해; 동시에 탄소를 부식시켜 다공성 구조를 형성하고 H₂와 같은 환원 가스를 생성합니다. 및 CO. 결과 Mo₂ C/NPC 하이브리드는 10 mA cm⁻² 전류 밀도에서 166 mV의 과전위와 함께 산성 용액에서 우수한 HER 활성을 나타냈습니다. , 93 mV의 발병 과전위, 68 mV의 Tafel 기울기 dec⁻¹ , 그리고 놀라운 장기 사이클링 안정성. 현재 전략은 에너지 변환 및 저장을 위한 다른 금속 탄화물/탄소 하이브리드를 제조하는 유망한 전략을 제공할 수 있습니다.

소개

오늘날 환경오염과 에너지 위기는 지속가능한 발전의 핵심 이슈가 되고 있다[1, 2]. 문제 해결의 핵심은 청정하고 재생 가능한 에너지원을 확보하는 것입니다. 촉매에 의해 물이 분해되어 생성되는 수소는 화석연료의 유망한 대안으로 여겨져 왔다[3, 4]. 백금 기반 촉매는 현재까지 가장 효율적인 수소 발생 반응(HER) 촉매이지만 희소성과 높은 비용으로 인해 대규모 응용 분야가 제한됩니다. 따라서 전이금속 황화물[5], 산화물[6], 질화물[7], 인화물[8, 9] 및 탄화물[10]과 같은 저렴하고 지구가 풍부한 전이금속 화합물이 귀금속의 대체물로 나타납니다. 금속 촉매. 이러한 전기촉매 중 Mo₂ C는 d-band 전자구조가 Pt와 유사하여 효율적인 HER 전기촉매로 큰 관심을 받고 있다[11]. 몰리브덴 카바이드의 촉매 특성은 주로 더 많은 활성 부위의 노출과 촉매의 전도도 개선에 의존합니다. 연구원들은 Mo₂의 구성과 구조를 개선하는 경향이 있습니다. C 하이브리드; 그러나 Mo₂의 현재 합성 C 하이브리드는 주로 고온을 필요로 하며, 이는 입자가 뭉쳐 활성 표면을 감소시키고 HER 촉매 성능을 감소시킵니다[12]. 몰리브덴 카바이드의 덩어리를 줄이기 위해 전도성 탄소 지지체 재료는 일반적으로 활성 표면과 전도성을 증가시키기 위해 적용됩니다. 2차원 구조의 흑연은 촉매의 우수한 지지 물질임이 입증되었다[13]. 그렇지 않으면 촉매의 높은 표면적이 노출된 활성 부위를 더 많이 제공하여 HER 성능을 향상시킵니다. 불행히도 최근 촉매의 비표면적을 개선하는 방법은 여전히 제한적이며 연구자들은 촉매의 크기를 줄이기 위해 노력하는 경향이 있으며 재료의 기공도를 높이는 데 거의 중점을 두지 않는다[14, 15]. 따라서 Mo₂의 비표면적 증가 C/C 합성은 제한됩니다. 비표면적이 높은 다공성 탄소의 제조(4196 m² g⁻¹ ) 수산화칼륨 활성화 폴리머 하이드로겔 [16]은 HER [17] 동안 반응물에 대해 열린 공간과 짧은 확산 채널을 제공하는 다공성 구조를 가진 지지하는 전도성 흑연 기질을 합성하는 새로운 아이디어를 제공합니다. 이전 보고서에서는 Mo₂ 간의 시너지 효과가 입증되었습니다. 탄소 재료의 C 및 N 도펀트는 높은 HER 전기촉매 성능으로 이어질 것입니다[18]. 지지 기판으로서 N-도핑된 다공성 탄소 나노시트의 제어된 합성은 높은 표면적, 우수한 전도성, 높은 내구성, 전자 전달을 향상시키는 N 도펀트 및 질량/전하 전달을 촉진하는 다공성 구조를 가질 것입니다. 또한 보고서에 따르면 β-Mo₂ 육각형 구조의 C는 Pt와 유사한 가전자대 모양을 가지므로 몰리브덴 카바이드의 4개 상 중 가장 활성이 높은 상입니다[19]. 따라서 β-Mo₂와 결합된 질소 도핑된 다공성 탄소 나노시트를 합성하는 것은 도전입니다. 고효율 촉매 수소 생산을 위한 C 나노 입자.

여기에서 우리는 높은 다공성을 가진 매우 활성적이고 안정적인 귀금속이 없는 전기 촉매를 달성하기 위한 자체 템플릿의 새로운 방법을 보고합니다. 상업용 MoS₂ Mo 소스 및 자체 템플릿으로 사용되었으며 도파민은 각각 C 및 N 소스로 적용되었습니다. 도파민은 Mo 공급원의 표면에서 쉽게 자가 중합하여 폴리도파민(PDA) 미소구체를 형성할 수 있기 때문에 공기에 노출된 보다 활성 표면을 가진 촉매를 합성하는 것이 필수적입니다[20]. 기자는 SiO₂와 같은 템플릿을 사용하는 경향이 있습니다. 응집을 피하고 비표면적이 높은 구조를 형성하기 위해 [21] 및 NaCl [22]. 그러나 실리카를 녹이기 위해서는 고위험 화학물질인 불산이 필요하고 염 주형을 제거하려면 더 많은 단계가 필요합니다. 우리는 상업용 MoS₂를 선택했습니다. MoS₂ 이후 Mo 소스 및 자체 템플릿으로 고온에서 KOH와 반응할 수 있습니다. 주형을 제거하고 다공성 탄소와 환원가스를 생성하는 KOH의 활성화로 최종 Mo₂ 합성 촉매 활성이 높은 C/NPC 하이브리드. 우리의 합성 방법은 귀금속이 없는 고성능 HER 촉매를 제조하기 위한 유망한 전략을 제안합니다.

방법

Mo₂ 준비 C/NPC 하이브리드 및 참조 NPC

일반적인 합성에서 500 mg의 상용 MoS₂ 초음파 처리를 통해 100 ml 탈이온수에 먼저 분산되었습니다. 그런 다음, 120 mg의 Trizma® 염기와 200 mg의 도파민 염산염을 현탁액에 첨가했습니다. 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하고, 생성물을 탈이온수로 세척한 후 필터로 수집하였다. 밤새 오븐에 넣은 후 생성된 MoS₂ @PDA는 600 °C에서 2 시간 동안 관로에서 탄화되어 MoS₂를 형성했습니다. @체크 안함. 탄화된 MoS₂ @NC를 4 ml의 7 M KOH에 담그고 MoS₂에 대한 KOH와 함께 @NC 질량 비율은 3:1입니다. 건조된 KOH/MoS₂ @NC 혼합물은 N₂에서 가열되었습니다. 800 °C에서 1 시간 동안. 냉각 후, 샘플을 여과하고 묽은 염산 용액 및 탈이온수로 세척하였다. 그런 다음 60 ℃에서 밤새 건조시켰다. 최종 제품은 Mo₂였습니다. C/NPC 및 N-도핑된 다공성 탄소(NPC)는 상업용 MoS₂가 없다는 점을 제외하고 유사한 절차에 따라 얻어졌습니다. 추가되었습니다.

특성화

Cu Kα 방사선(λ =1.54056 Å). 형태는 전계 방출 주사 전자 현미경(SEM, Hitachi SU8020)을 사용하여 특성화되었습니다. FEI Tecnai G2 F20 S-TWIN TMP를 사용하여 투과 전자 현미경(TEM) 이미지 및 해당 에너지 분산 X선(EDX) 원소 매핑 이미지를 수행했습니다. 라만 스펙트럼은 공초점 라만 분광계(HORIBA LabRAM HR Evolution)로 기록되었습니다. X선 광전자 스펙트럼(XPS)은 여기 소스로 Al Kα 방사선(1486.6 eV)을 사용하여 PHI Quantera-II 스캐닝 X선 마이크로프로브 분광계에서 수행되었습니다. TGA/DSC 곡선은 TGA/DSC1 Mettler-Toledo 열 분석기로 측정되었습니다. 샘플의 비표면적은 Micromeritices ASAP 2020 HD88로 측정되었습니다.

전기화학 측정

모든 전기화학적 테스트는 CHI660E 전위차계(CH Instruments, China)에서 표준 3전극 시스템으로 수행되며, 이 문서의 모든 전위는 E(RHE) =E(Ag/AgCl ) + 0.059 pH + 0.197 V. 흑연 막대를 상대 전극으로 사용하고 Ag/AgCl(포화 KCl 충전)을 기준 전극으로 사용했습니다. 15 μL 촉매 잉크로 덮인 직경 5 mm의 유리질 탄소 전극을 작업 전극으로 사용했습니다. 일반적으로 작업 전극을 준비하기 위해 4 mg의 Mo₂ C/NPC 및 20 μL의 Nafion 용액을 1 시간 동안 초음파 처리하여 1 mL의 3:1 v/v 물/에탄올에 분산시켜 균질한 잉크를 형성합니다. 전기화학적 테스트 전에 새 작업 전극을 50회 순환하여 전류를 안정화하고 0.5 M H₂에서 선형 스위프 전압전류법(LSV)을 테스트합니다. SO₄ 5 mV s⁻¹ 의 스캔 속도로 IR 보상 없이. 또한 순환 전압전류도(CV)는 0 ~ 0.2 V(RHE 대비 0.5 M H₂)에서 얻습니다. SO₄ ) 20, 40, 60, 80, 100, 120 및 140 mV s⁻¹ 의 스위프 속도 , 각각.

결과 및 토론

Mo₂ 합성 절차 C/NPC 하이브리드는 그림 1에 나와 있습니다. 우리는 탄소와 질소 공급원으로 도파민을 선택했습니다. 상업용 대량 MoS₂ 크기가 ~ 2 μm인 Mo 소스 및 자체 템플릿으로 선택되었습니다(추가 파일 1:그림 S1a). 첫째, 도파민은 벌크 MoS₂ 표면에서 자가 중합 MoS₂를 형성하기 위해 @PDA 코어-쉘 구조(추가 파일 1:그림 S1b). 그런 다음 코어-쉘 구조 MoS₂ @PDA는 탄화되어 MoS₂ 표면에 싸여 있는 N-도핑된 탄소 필름을 형성합니다. , MoS₂로 서명됨 @NC(추가 파일 1:그림 S1c) [23, 24]. 마지막으로 준비된 MoS₂의 혼합물 @NC와 KOH를 관로에 넣고 반응시켜 최종 생성물을 얻었다:Mo₂와 결합된 질소 도핑된 다공성 탄소 나노시트 C 나노 입자(Mo₂로 기부됨 C/NPC)(추가 파일 1:그림 S1d). MoS₂일 때 Mo 소스로 절단되면 도파민이 MoS₂ 표면에 PDA 막을 형성 , MoS₂ 마이크로스피어를 형성하는 도파민을 피하기 위한 자체 템플릿 역할을 하고 PDA 필름이 생성되었습니다. 이는 PDA에서 N-도핑된 C로의 전환이 계속해서 형태를 유지하기 때문입니다[15]. MoS₂일 때 KOH와 반응하면 약 2 μm 길이의 탄소 나노 시트를 얻을 수 있습니다. MoS₂의 탄소 @NC는 또한 다공성 C 나노시트를 얻기 위해 KOH에 의해 활성화될 수 있습니다. Mo₂의 형성 일련의 반응을 기반으로 C/NPC를 제안할 수 있습니다. KOH가 삽입되어 탄소와 반응하는 과정은 KOH 활성화 반응으로 요약될 수 있으며, 화학 반응식은 6KOH + 2C ↔ 2K + 3H₂로 설명됩니다. + 2K₂ CO₃ 및 K₂ CO₃ K₂로 더 분해될 수 있습니다. 오, CO₂ 및 CO [25]. KOH 활성화 반응의 과정은 탄소 단위를 부식시켜 탄소의 다공성 구조를 생성할 뿐만 아니라 흑연 탄소의 형성을 촉진할 수 있습니다. 한편, KOH는 MoS₂를 에칭할 수 있습니다. Mo₂를 생성하기 위한 템플릿 유황 증기의 확산과 K₂의 형성을 가진 C 나노 입자 S. 따라서 반응은 Mo₂의 형성으로 이어집니다. C/NPC 하이브리드.

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Mo₂ 준비 절차 개략도 C/NPC 하이브리드

생성물의 결정상 조성을 X선 회절로 조사하였다(도 2a). 26° 부근의 넓은 피크와 46.3°에서의 피크는 흑연 탄소의 (003) 및 (012) 평면에 기인할 수 있습니다. 34.3, 37.9, 39.39, 52.1, 61.5, 69.5,74.6 및 75.5°의 다른 X선 회절 피크는 (100), (002), (101), (102), (110) ), (103), (112), (201) 육각형 β-Mo₂의 면 C(JCPDS 35-0708), 각각. 또한, 금속 몰리브덴, 산화물, 황화물 또는 기타 탄화물과 같은 식별 가능한 불순물이 없으므로 상용 MoS₂의 완전한 전환을 나타냅니다. 월₂까지 C. 도 2b의 라만 분광기 결과는 제조된 촉매가 몰리브덴 카바이드와 흑연의 혼합물임을 추가로 확인시켜 주었다. D 밴드에 대한 G 밴드의 강도 비율, I _G /나 _D> 1은 탄소가 기본적으로 흑연임을 시사합니다[26]. Mo₂의 양 최종 제품의 C는 공기 중 열중량 분석(TGA)에 기초하여 ~ 44 wt%인 것으로 밝혀졌습니다(추가 파일 1:그림 S2). BET(Brunauer-Emmett-Teller) 비표면적을 평가하기 위해 질소 흡탈착 등온선을 77 K에서 측정했습니다. 도 2c에 도시된 바와 같이, Mo₂의 질소 흡탈착 등온선 C/NPC는 H4형 히스테리시스 루프를 나타내어 micro-meso-pore가 있는 재료에 적합합니다. 또한, BJH 탈착 평균 기공 크기는 3.23 nm로 계산되고 비 BET 표면적은 1380m² 입니다. g⁻¹ , 다공성 구조의 성공적인 합성을 보여주었다. 이러한 초고표면적의 탄소기질의 미세다공성 구조는 반응물에 대한 열린 공간과 짧은 확산 채널을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 H+의 흡수를 촉진할 수 있는 이상적인 전극 물질로 여겨진다. /sup> 및 H₂의 탈착 , 따라서 좋은 질량/전하 전달 능력으로 이어집니다.

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Mo₂의 물리적 특성 C/NPC. 아 XRD 패턴, b 라만 스펙트럼, c N₂ 흡착-탈착 등온선, d SEM 이미지

그런 다음 계층적 Mo₂의 형태와 구조 C/NPC 하이브리드는 SEM 및 TEM으로 조사했습니다. 그림 2d에서 볼 수 있듯이 저배율 SEM 이미지는 MoS₂ 템플릿의 크기와 일치하는 평균 크기가 2 μm인 다수의 잘 분산된 나노시트 유사 구조를 나타냅니다. . 도 3a 및 c의 TEM 이미지는 β-Mo₂ 다양한 수 나노미터에서 50 nm 크기의 C 나노입자가 질소 도핑된 탄소 나노시트에 고정되었습니다. 탄소 나노시트의 다공성 특성은 그림 3b의 TEM 이미지에서 볼 수 있습니다[27]. 또한, 그림 3d의 고해상도 TEM 이미지는 β-Mo₂의 (101) 및 (002) 평면에 해당하는 0.23 nm 및 0.24 nm의 d-간격을 갖는 격자 무늬를 보여줍니다. C. 지지 탄소의 다공성 구조와 Mo₂의 결합 N-도핑된 다공성 C 나노시트를 갖는 C 나노입자는 몰리브덴 카바이드에서 탄소로의 전자 이동을 촉진하여 촉매의 효율을 증가시킵니다. 도 3e에 예시된 바와 같이, 에너지 분산 분광법(EDS) 분석은 나노시트가 Mo, C 및 N 원소로 구성되어 있음을 입증하여 Mo₂의 성공적인 합성을 확인시켜주었다. C/NPC 하이브리드.

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Mo₂의 형태 C/NPC. 아 –d 다른 배율 및 e의 TEM 및 HRTEM 이미지 Mo₂의 해당 EDS 요소 매핑 C/NPC(스케일 바 500 nm)

합성된 Mo₂의 표면 조성 C/NPC 나노시트는 XPS에 의해 추가로 설명되었습니다. 그림 4a에 표시된 조사 스펙트럼에서 Mo, C, N 및 O의 원소를 명확하게 식별할 수 있습니다. C 1s XPS 피크는 284.6, 285.6 및 288.8 eV를 중심으로 하는 3개의 피크에 맞출 수 있으며(그림 4b), 이는 각각 CC/C=C, CN 및 C=O 종에 기인할 수 있습니다[28, 29 ]. Mo 3d XPS 피크는 두 개의 이중선으로 분해될 수 있습니다(그림 4c). 하나는 228.6/231.6 eV의 결합 에너지에 집중되어 있고 다른 하나는 232.9/235.9 eV이며 Mo₂에 기인할 수 있습니다. C 및 표면 산화 MoO₃ , 각각 [14, 26, 29]. 상당한 양의 산화 몰리브덴의 불가피한 풍부함은 공기에 노출될 때 몰리브덴 카바이드 표면의 느린 산화로 인해 발생합니다[30]. 또한, 탄화물의 표면에 형성된 산화물이 탄화물의 활성을 유지할 수 있다고 보고되었다. 398.4, 400.2 및 401.4 eV의 결합 에너지에서 N 1s 피크(그림 4d)는 각각 pyridine, pyrrolic 및 4차 N 원자에 기인할 수 있습니다[24, 29]. 이전 보고서는 탄소의 N 도펀트가 전자 전달 과정(Mo₂ C→C→N), Mo₂ 간의 시너지 강화 탄소의 C 및 N 도펀트 [18].

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XPS 조사 스펙트럼(a ) 및 C1의 고해상도 XPS 스캔(b ), Mo3d(c ) 및 N1 (d) )/월₂ C/NPC

Mo₂의 전기촉매 HER 활성 C/NPC는 0.5 M H₂에서 처음 평가되었습니다. SO₄ . 비교를 위해 원래 상용 MoS₂ (c-MoS₂ ), N-도핑된 다공성 C(NPC) 및 20 wt% Pt/C도 동일한 로딩량을 사용하여 테스트했습니다. 그림 5a는 해당 편광 곡선을 비교합니다. 예상대로 NPC와 상업용 MoS₂ Mo₂는 각각 354 mV 및 289 mV의 발병 과전위와 함께 매우 제한된 HER 활성을 나타냈습니다. C/NPC의 발병 과전위는 93 mV로 NPC 및 c-MoS₂보다 훨씬 낮습니다. . Mo₂의 과전위 10 mA cm⁻² 의 전류 밀도에서 C/NPC NPC 및 원래 c-MoS₂보다 훨씬 낮은 166 mV입니다. Mo₂와 유사합니다. 다른 작업의 C/C 하이브리드 [20, 31]. 촉매의 HER 역학을 탐색하기 위해 Tafel 플롯을 Tafel 방정식(η =아 + ㄴ 로그(j )), 여기서 b Tafel 슬로프입니다. 그림 5b와 같이 Mo₂의 Tafel 기울기는 C/NPC는 68 mV dec⁻¹ 로 계산되었습니다. , c-MoS₂보다 훨씬 낮음 (184 mV dec⁻¹ ) 및 NPC(296 mV dec⁻¹ ), 탈착 단계가 Mo₂ 표면에서 효율적임을 시사 C/NPC 촉매. Mo₂의 Tafel 경사 C/NPC 하이브리드는 40–120 mV dec⁻¹ 범위에 속합니다. , HER가 Mo₂에 발생했음을 암시합니다. C/NPC 표면은 Volmer-Heyrovsky 메커니즘을 따릅니다[32]. Tafel 분석에 따르면 교환 전류 밀도(j ₀ )/월₂ C/NPC는 37.4 μA cm⁻² 로 계산되었습니다. , 문헌에 보고된 많은 비귀중한 HER 전기촉매를 능가합니다(추가 파일 1:표 S1 참조)[33,34,35]. Mo₂의 전기화학적 활성 표면적(ECSA) 추정 작업 조건에서 C/NPC, 우리는 이중층 커패시턴스를 계산했습니다(C _dl ) 그림 5c의 다양한 스캔 속도에서 순환 전압 전류법(CV) 곡선에서. 그림 5c의 삽입도에서 볼 수 있듯이 스캔 속도에 대한 0.1 V에서의 전류 밀도의 선형 상관 관계는 C _dl 월₂ C/NPC는 102.4mF cm⁻² 입니다. . 60 μF/cm² 의 표준 값을 가정하면 , Mo₂의 ECSA C/NPC는 ~ 558 m² 로 추정됩니다. /g(계산은 추가 파일 1:그림 S3에 표시됨). 이러한 높은 ECSA는 Mo₂ C 및 탄소 지지체. 탄소가 훨씬 가볍기 때문에 N-도핑된 다공성 C가 가장 많은 ECSA를 설명하는 것으로 추정되고 [26] 이는 특정 BET 표면적과 일치하므로 대부분의 활성 Mo₂ C 표면은 전기화학적으로 접근 가능합니다.

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Mo₂의 전기화학적 측정 0.5 M H₂에서 HER 전기촉매를 위한 C/NPC 하이브리드 SO₄ . 아 편광 곡선 및 b Mo₂의 Tafel 플롯 Pt/C 벤치마크와 비교한 C/NPC, c-MoS₂ , NPC. ㄷ Mo₂의 CV 곡선 20~140 mV/s의 다양한 스캔 속도에서 C/NPC. 삽입된 그림은 스캔 속도에 대한 0.1 V의 용량성 전류 플롯을 보여줍니다. d Mo₂의 편광 곡선 3000 잠재적 주기 전후의 C/NPC

HER 활성 외에도 안정성은 촉매를 평가하는 또 다른 결정적인 요소입니다. Mo₂의 안정성을 측정하기 위해 장기 순환 전압전류법을 수행했습니다. 0.5 M H₂의 C/NPC SO₄ . Mo₂에 대한 그림 5d의 HER 편광 곡선 C/NPC는 3000 주기 후 2 mV 손실만 보여 촉매의 안정성을 무시할 수 있음을 나타냅니다. Mo₂의 크로노 전류 측정 응답 곡선 - 0.166 V 대 RHE의 과전위에서 C/NPC는 추가 파일 1:그림 S4에 설명되어 있습니다. 위의 전기화학적 연구를 바탕으로 Mo₂의 놀라운 전기촉매 성능 C/NPC 나노시트는 다음 요인에 기인할 수 있습니다. (1) 촉매의 높은 비표면적은 H⁺ 에 대한 더 많은 활성 부위로 이어질 것입니다. 흡수 및 지지 기판의 우수한 전도성은 전자 전달을 향상시킬 것입니다. (2) β-Mo₂의 커플링 C 나노입자와 N-도핑된 다공성 C 나노시트는 촉매와 전해질의 접촉을 확대하여 전하와 물질 전달을 촉진합니다. (3) 도핑된 N 원자는 H⁺ 와 더 잘 상호작용할 수 있을 뿐만 아니라 C 원자보다 크지만 인접한 Mo 및 C 원자의 전자 구조를 수정하여 Mo₂를 만듭니다. C/NPC 고효율 촉매입니다.

결론

요약하자면, 계층적 Mo₂를 준비하기 위한 새로운 전략 C/NPC 하이브리드는 KOH 활성화 방법을 통해 개발되었습니다. 상업용 MoS₂ 도파민이 C 및 N 소스로 사용되는 동안 Mo 소스 및 자체 템플릿으로 사용되었습니다. 모스₂ KOH로 식각하여 Mo 전구체를 생성하고 탄화된 PDA를 KOH에 부식시켜 다공성 흑연 기판을 형성하였다. Mo₂의 우수한 HER 활성 10 mA cm⁻² 에서 166 mV의 과전위를 갖는 C/NPC 하이브리드 , 93 mV의 발병 과전위, 68 mV의 Tafel 기울기 dec⁻¹ , 그리고 뛰어난 장기 사이클링 안정성은 질소 도핑 함량, 다공성 전도성 기판, 풍부한 활성 부위 및 Mo₂ 사이의 강한 상호 작용에 기인합니다. C 및 흑연 탄소. 이 효과적인 방법은 다양한 전기 촉매 응용 분야를 위한 높은 비표면적을 갖는 다른 탄화물 화합물의 설계 및 제조에 적용될 수 있습니다.