면내·면외 결합 플라즈모닉 메타표면으로 광학 활성 극대화

요약

플라즈모닉 메타표면은 편광 스위칭, 국소 전기장 증폭, 근완전 흡수, 센싱, 슬로우 라이트 소자, 나노안테나 등 다양한 응용 전망으로 주목받아 왔습니다. 하지만 전기광학 스위치의 기가헤르츠급 스위칭 속도, 플라즈모닉 공진의 낮은 품질 인자(Q), 센싱의 낮은 성능 지표(FOM) 등이 발전을 가로막고 있습니다. 또한 나노안테나로 작동할 때 국소 전기장 증폭 100배 이상과 99% 이상 근완전 흡수를 동시에 구현하는 것도 난제입니다. 본 연구에서는 유한요소법(FEM)과 유한차분시간영역법(FDTD)을 이용해 면내 근접장 결합과 면외 근접장 결합을 혼성화한 새로운 광학 튜닝 가능 플라즈모닉 메타표면을 제안합니다. 두 플라즈모닉 모드의 파괴적 간섭으로 전자기 유도 투명도(EIT) 현상을 구현하고, 1550 nm 부근에서 초고 Q-팩터(221.43)를 가진 초날카로운 근완전 흡수 피크를 달성해 센싱 응용에서 초고 FOM(214.29)을 실현했습니다. 특히 인듐 도핑 CdO를 사용해 근적외선 영역에서 펨토초 광학 반사 편광기로 최초 구현했으며, 초고 편광 소멸비를 보입니다. 동시에 나노안테나로 작동할 때 강한 국소 전기장 증폭(|E_loc|/|E_0| > 100)과 99.9% 이상 근완전 흡수를 최초로 동시 달성해 광촉매 물 분해, 표면증강 적외선 흡수 등 폭넓은 응용에 기여할 것입니다.

배경

플라즈모닉 메타표면은 메타물질의 2차원 버전으로, 편광 스위칭, 빔 회전자, 파노 공진, 나노안테나, 음의 굴절률, 근완전 흡수체, 투명 망토 등 다양한 현상과 응용이 연구되어 왔습니다. 특히 표면증강 라만 산란(SERS), 표면증강 적외선 흡수(SEIRA), 굴절률 센싱, 양자 정보 저장 등 잠재적 응용 덕분에 EIT 현상과 파노 공진 연구가 활발합니다. EIT와 파노 공진 개념은 양자계에서 처음 발견되었습니다. 고전계에서 EIT는 두 플라즈모닉 모드의 파괴적 간섭으로 얻습니다. 좁은 플라즈모닉 모드가 넓은 모드와 파괴적 간섭하면 파노 선형 스펙트럼이 나타납니다. Zhang 등은 한 평면 내 밝은 요소와 어두운 요소를 가진 플라즈모닉 나노구조에서 파노 공진과 EIT를 처음 구현했습니다. 하지만 면내 플라즈모닉 결합 기반 메타표면은 공진 요소 간 틈새 크기가 결합 강도를 결정하는데, 현재 나노제조 기술로는 10 nm 미만 정밀 간격 구현이 어려워 대면적 생산에 불리합니다.

면내 결합과 달리 Liu 등은 메타물질 요소를 수직 적층해 플라즈모닉 EIT를 실험적으로 처음 시연했습니다. 이후 평면 또는 수직 설계의 플라즈모닉 나노구조로 EIT 유사 현상과 파노 공진을 구현한 메타물질/메타표면이 다수 제안되었습니다. Amin 등은 금 프레임과 그래핀 패치를 한 평면에 구성한 공진기에서 비대칭 파노 유사 선형과 좁은 EIT 창을 보였습니다. 하지만 금속 구조의 파노 공진 품질 인자는 금속의 광학 손실로 인한 공진 확장으로 매우 낮으며, 이는 금속 기반 플라즈모닉 나노구조의 공통적 문제입니다. 보고된 가시광·근적외선 영역 파노 공진 Q-팩터는 대부분 10 미만입니다. 최근 Dayal 등은 속삭임 갤러리 모드 기반 금속 메타표면으로 근적외선에서 Q=79 고품질 파노 공진을 보였으나, 특정 파장에서만 가능해 응용 확장에 제약이 있습니다. 파노 공진이나 EIT 창의 능동 제어는 많은 실용 응용에 필수적입니다. Xia 등은 평면 그래핀 층으로 구성된 튜닝 가능 PIT 시스템을 수치적으로 시연했습니다. 2017년 Yang 등은 중적외선 영역에서 고품질 인자 흡수 공진을 고도로 제어 가능한 편광 스위칭으로 최초 시연했고, 최대 전기장 증폭 41.8도 관측했습니다. 강한 국소 전기장 증폭(|E_loc|/|E_0| > 100)과 근완전 흡수(>99%)를 동시에 달성하는 플라즈모닉 나노안테나 구현은 여전히 과제로 남아 있으며, 이는 플라즈모닉 센서, 광촉매 물 분해, SERS, SEIRA 등에 유익합니다. 한편 Yang 등의 편광 스위칭을 제외하면 기존 편광 선택 소자(파장판, 전기광학 편광기 등)는 정적이거나 기가헤르츠급 스위칭 속도에 그칩니다. 요약하면 EIT, 파노 공진, 플라즈모닉 나노안테나 분야에서 (i) 금속의 큰 광학 손실로 인한 공진 확대, (ii) 조절 불가능한 EIT/파노 공진 파장, (iii) 강한 전기장 증폭과 근완전 흡수 동시 구현 난제, (iv) 기가헤르츠급 편광 스위칭 속도 등의 시급한 문제가 있습니다.

본 연구에서는 FDTD와 FEM을 이용해 면내 결합과 면외 결합을 혼성화한 광학 활성 플라즈모닉 메타표면을 제안하고 수치적으로 시연합니다. 이 시스템에서 구조 대칭성을 깨 EIT 유사 효과를 얻고, CdO 층의 굴절률을 펌프 광으로 조절해 EIT 창 파장을 튜닝할 수 있습니다. 이 EIT 유사 반사 스펙트럼에서 1550 nm 고품질 플라즈모닉 공진을 얻었으며, 이는 기존 연구보다 훨씬 높습니다. 특히 메타표면의 편광 독립성 덕분에 인듐 도핑 카드뮴을 사용해 1550 nm에서 TM 편광에 대한 펨토초 편광 스위칭이 가능합니다. 펌프 광으로 플라즈모닉 공진을 적색편이시키면 TM 편광 반사율이 0.003에서 60%로 크게 변조되면서 TE 편광은 근 1 반사율을 유지합니다. 이 변조 깊이는 기존 플라즈모닉 스위치 시스템보다 훨씬 큽니다. 펨토초 편광 스위칭이 면내·면외 결합 혼성화 메타표면 기반으로 수치적으로 최초 시연되었습니다. 동시에 이 메타표면은 99.9% 이상 근완전 흡수와 108 최대 전기장 증폭을 동시 달성하며, 강한 전기장 증폭은 지름 3 nm 원형 영역에 국한되어 단일 분자 검출에 매우 유리합니다. 또한 굴절률 변화 민감도와 초날카로운 플라즈모닉 공진 덕분에 초고 FOM 굴절률 센서로도 작동합니다.

방법

제안된 메타표면은 그림 1a에 개략적으로 보입니다. 그림 1b는 단위 셀 단면과 기하 파라미터로, 두 그룹의 금 나노막대와 폴리머 층으로 구성됩니다. 각 그룹은 나노슬릿으로 분리된 두 금 나노막대를 가지며, 한 그룹은 폴리머 층 위에, 다른 그룹은 폴리머 층 내에 매립되어 있습니다. 비대칭 금 나노막대 어레이가 두꺼운 금 기판 위에 주기 P=1395 nm로 주기적으로 배열되어 있습니다. 메타표면은 자기 성분이 입사광에 수직인 TM 편광으로 정상 입사됩니다. 시뮬레이션 신뢰도와 정확성을 위해 FDTD와 FEM으로 각각 광학 특성과 전자기장 분포를 계산했습니다. FEM 계산은 COMSOL MULTIPHYSICS 상용 소프트웨어로 수행했습니다. x 방향에 주기 경계 조건, y 방향 경계에 완벽 매칭 층(PML)을 적용했습니다. 메쉬 크기는 x, y 방향 모두 0.8 nm입니다. 금의 유전율은 드루드 모델로, 폴리머 굴절률은 1.5로 설정했습니다. 시뮬레이션 배경은 공기(n_air=1)입니다. 불투명한 금 기판(T=0)이므로 흡수율 A = 1 - R로 계산했습니다.

결과 및 논의

그림 2a는 1550 nm 부근에서 TM 편광 정상 입사 시 제안된 메타표면의 반사 및 흡수 스펙트럼입니다. 흡수 스펙트럼에서 1550 nm와 1588 nm에 99.9% 이상 근완전 흡수 피크가 두 개 나타납니다. 그림 2b 반사 스펙트럼에서 이 파장 대역의 EIT 유사 스펙트럼 응답을 관찰할 수 있으며, FDTD와 FEM 결과가 일치합니다. TE 편광(전기 성분이 입사면에 수직) 반사 스펙트럼(검은 선)은 1에 가까워 이 메타표면에서 TE 편광 흡수는 발생하지 않습니다. 이러한 편광 의존성은 비대칭 설계로 쉽게 설명됩니다. 따라서 이 메타표면은 TM 편광에 효율적으로 결합하고 TE 편광에는 어두운 상태를 유지합니다.

제안된 메타표면의 EIT 유사 현상을 쉽게 설명하기 위해 나노슬릿이 없는 상대적으로 단순한 메타표면(그림 2c)을 먼저 고려했습니다. 이는 금 기판에서 다른 거리에 있는 두 금 나노막대로 구성됩니다. 이 메타표면의 반사 스펙트럼(그림 2d)에서는 비대칭 선형을 가진 EIT 유사 스펙트럼 응답이 나타나며, 두 금 막대 간 결합 효과 때문일 수 있습니다. 구조의 대칭성 깨기 과정(그림 3a-c)을 조사해 EIT 유사 창 형성 과정을 규명했습니다. Δd 변화에 따른 반사 스펙트럼 변화를 계산해 그림 3d에 나타냈습니다. Δd=0일 때는 작업 대역에서 1653 nm 부근에 반사 딥 하나만 있습니다(그림 3e). Δd가 증가하면 두 반사 딥(ω_Left, ω_Right)을 가진 EIT 유사 스펙트럼 응답이 나타납니다. Δd를 더 늘리면 ω_Left 모드가 더 강화되며, 이 모드가 금 나노막대 A와 밀접함을 시사합니다. 동시에 ω_Left 모드 공진 파장은 약간 적색편이하는 반면 ω_Right 모드는 1653 nm 부근에서 거의 변하지 않습니다. 위 분석으로 EIT 유사 현상 생성이 나노구조 비대칭성에 기인함을 알 수 있습니다. 또한 그림 3d, g의 반사 스펙트럼에서 1395 nm 플라즈모닉 공진을 해석하기 위해 설계된 메타표면과 금속 격자 구조(그림 3g 삽입)의 반사 스펙트럼을 비교했습니다. 금속 격자 구조에서도 1395 nm 공진 딥이 있으며, 이는 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP) 여기 때문으로 알려져 있습니다. 따라서 이 메타표면의 1395 nm 플라즈모닉 공진은 SPP 여기로 인한 것입니다.

금 나노막대 A만 또는 B만 가진 필름 결합 나노막대 시스템의 반사 스펙트럼을 각각 조사했습니다(그림 4a, b). TM 입사광으로 여기 시 금 나노막대 A만 있는 메타표면에서는 더 좁은 플라즈모닉 모드(ω_A)가, 금 나노막대 B만 있는 메타표면에서는 더 넓은 플라즈모닉 모드(ω_B)가 관측됩니다. 두 플라즈모닉 모드 뒤의 물리적 메커니즘을 더 명확히 하기 위해 두 반사 딥에서의 자기장 분포를 계산했습니다(그림 4c, d). 빨간 화살표는 전류, 컬러맵은 자기장 크기입니다. 그림 4a의 ω_A 모드에서 자기장이 금 나노막대 A와 금 기판 사이 간극에 국한되고, 상하 내부 금속 계면에서 반평행 전류가 관측됩니다. 따라서 이 플라즈모닉 모드는 순환 전류에 의한 자기 공진과 관련되며, 입사광 에너지는 금속 옴 손실로 소산되어 ω_A 모드에서 반사 딥을 만듭니다. 그림 4b의 ω_B 모드에서는 순환 전류 방향이 ω_A 모드와 반대인데, 이 또한 자기 공진을 여기할 수 있습니다. 금 나노막대 A와 B를 모두 가진 필름 결합 시스템에서는 그림 5a 현상을 두 반사 딥(ω_Left, ω_Right)을 가진 이중 파노 공진으로도 볼 수 있습니다. 이 비대칭 파노 유사 선형과 EIT 유사 창은 그림 4a의 좁은 플라즈모닉 모드(ω_A)와 그림 4b의 넓은 플라즈모닉 모드(ω_B) 간 파괴적 간섭으로 얻습니다. 동일 형상 공진기의 비대칭 위치 배열로 파노 공진이 처음 관측되었습니다.

그림 4c의 두 플라즈모닉 공진(ω_Left, ω_Right) 뒤의 물리적 메커니즘을 더 탐구하기 위해 이 두 공진 파장에서 자기장 H와 전기장 |E_loc|/|E_0| 분포를 계산했습니다(그림 5). 한편 그림 5b, c에 따르면 자기장은 금 나노막대와 금 기판 사이 유전체 층에 주로 국한되어 있는데, 이는 금 막대와 Au 기판 간 면외 결합의 핵심 특징입니다. 두 흡수 피크에서 여기된 두 공진에 대해 분명히 다른 장 분포가 관측됩니다. ω_Left 모드에서는 자기장이 금 나노막대 A와 금 기판 사이 간극에 국한되어 ω_Left 모드가 금 나노막대 A와 금 기판 간 면외 결합과 밀접함을 나타냅니다(ω_A 모드의 자기장과 유사하지만 ω_A와 ω_B 모드 결합으로 인해 완전히 같지는 않음). ω_Right 모드에서는 자기장이 금 나노막대 B와 기판 사이 나노간극에 국한되어 금 나노막대 B와 금 기판 간 면외 결합에 주로 기인합니다. 다른 한편 전기장은 금 막대 가장자리의 초미세 영역에서 강하게 증폭되고 국한됩니다. EIT 물리 현상 외에도 이 메타표면은 플라즈모닉 나노안테나(PNs)로 취급될 수 있으며, 자유공간 입사광을 국소장 증폭과 함께 서브파장 영역으로 가두는 것은 나노포토닉 시스템의 중요 기초 연구입니다. 여기서는 |E_loc|/|E_0| 인자로 PN의 국소 전기장 증폭 성능을 평가합니다. 그림 5d, e에서 메타표면의 국소 전기장 증폭이 최대 75에 달함을 볼 수 있습니다. 하지만 필름 결합 나노막대 시스템으로 국소 전기장 증폭을 달성했음에도 그림 4c에서 보듯 근완전 흡수 구현에는 여전히 상당한 과제가 남아 있어 변조 깊이가 작습니다. 선행 연구[8]에 따르면 큰 국소 전기장 증폭과 근완전 흡수 동시 달성은 플라즈모닉 센서, 광촉매 물 분해, SERS, SEIRA 등 폭넓은 응용에 유익합니다. 또한 이 메타표면 구조는 상대적으로 넓은 선폭을 보입니다. 플라즈모닉 공진 Q-팩터는 Q = λ/FWHM(반치전폭)으로 정의되므로 넓은 공진은 낮은 Q를 초래합니다. 따라서 넓은 FWHM과 작은 변조 깊이는 굴절률 센싱, 편광 스위칭, 슬로우 라이트 등 날카로운 스펙트럼 응답이 필요한 응용을 방해할 수 있습니다.

큰 국소 전기장 증폭, 근완전 흡수, 고 Q-팩터 공진을 동시에 실현하기 위해 본 연구에서는 면외 플라즈몬 결합과 면내 플라즈몬 결합의 혼성화 개념을 도입했습니다. 그림 1의 제안된 메타표면이 면외 결합 기반 필름 결합 나노막대 메타표면보다 우수한 흡수 특성을 가짐을 그림 2에서 확인할 수 있습니다. 특히 1550 nm 플라즈모닉 공진의 FWHM이 7 nm로 Q-팩터(Q = λ/FWHM = 1550/7)가 221.43에 달해 기존 연구[36-42]보다 훨씬 높습니다. 고 Q 파노 공진과 제안된 메타표면(그림 1)의 근완전 흡수 물리적 통찰을 얻기 위해 1550 nm(ω_1)와 1588 nm(ω_2) 공진 파장에서 시뮬레이션 자기장과 전기장 분포를 그림 6에 나타냈습니다. 자기장은 금 막대와 금 기판 사이 간극에 주로 위치하고 일부는 두 금 나노막대 사이 나노슬릿으로 전파됩니다. 그림 5d, e에서 면외 결합만으로 생기는 전기장과 달리, 이 제안된 메타표면의 전기장도 그림 6c, d처럼 두 금 나노막대 사이 초미세 영역에 강하게 국한되어 두 금 나노막대 간 강한 국소 표면 플라즈몬(LSP) 결합을 의미합니다. 그림 6c에서 공진 파장 최대 전기장 증폭이 108에 달해 그림 5d의 필름 결합 메타표면보다 약 1.4배 높으며, 기존 나노안테나[21, 60-65]보다 훨씬 높습니다. 특히 강한 전기장 증폭을 특징으로 하는 초미세 '핫스팟'이 지름 3 nm 원형 영역 내에 국한됨을 명확히 관찰할 수 있습니다. 따라서 이러한 혼성화 메타표면 시스템은 우수한 흡수, 큰 국소 전기장 증폭, 작은 측면 분해능을 동시에 가지며, LSP와 면외 결합을 모두 지원하므로 많은 표면증강 분광법에서 단일 분자 정확한 특성 탐지에 매우 유용합니다.

그림 2b 분석 결과에서 메타표면이 비대칭 설계 덕분에 TM 편광에 효율적으로 결합하고 TE 편광에는 어두운 상태를 유지함을 알 수 있어 편광 스위치 잠재적 응용이 있습니다. PVA(폴리비닐알코올) 굴절률이 펌프 파워에 따라 변할 수 있으므로[36, 56, 57], 유전체 층 굴절률을 변화시켜 플라즈모닉 공진 파장을 일반적으로 조절할 수 있습니다. 그림 7a, b는 제안된 메타표면이 반사 편광기로 작동할 수 있음을 보여줍니다. 이는 TM 편광에 대한 튜닝 가능한 공진을 가진 반사 편광기로, PVA 굴절률 변화로 구현됩니다. 그림 7b에서 외부 자극 없이 TM 편광이 1550 nm에서 완전 흡수('off' 상태)되고, 1565 nm에서 완전 반사('on' 상태)됩니다. 외부 자극이 있으면 TM 편광 파노 공진이 1565 nm로 이동('off' 상태)하고, 1550 nm에서 TM 편광에 대해 완전 반사('on' 상태)가 됩니다. 그림 7b에서 이 메타표면은 1550 nm에서 반사율 0.009에서 98%로 변화시킬 수 있으며, 이러한 큰 변조 깊이는 기존 플라즈모닉 스위치 시스템보다 훨씬 큽니다. 반면 그림 7b에서 TE 편광 입사광 반사율은 외부 자극 유무와 관계없이 1에 가까워('on' 상태) 유지됩니다. 따라서 이 메타표면은 1550 nm에서 소멸비 11,000(R_TE/R_TM = 0.99/0.00009 = 11,000)의 TM 편광 편광 스위치를 반사 편광기 기반으로 구현할 수 있습니다. 편광 각도 φ가 반사 스펙트럼에 미치는 영향 계산 결과도 그림 7c에 보입니다. φ가 증가할수록 공진 파장에서 흡수 성능이 점차 저하되며, 이는 입사 전기장 E가 TE와 TM 편광으로 분해되고 TE 편광이 반사되기 때문으로 설명됩니다. 그림 7c 계산 결과를 바탕으로 1550 nm와 1588 nm에서 펌프 유무에 따른 메타표면의 투영 출력 편광을 그림 7d에 나타냈습니다.

인듐 도핑 CdO는 광학적으로 튜닝 가능한 플라즈모닉 물질 중 하나이며, 광여기 CdO 박막 기반 펨토초 편광 스위칭이 2.8 μm에서 최근 실험적으로 시연되었습니다[1]. 우리 EIT 구조의 튜닝 능력을 더 향상시키기 위해 CdO를 사용한 제안된 메타표면의 광학 특성을 조사했습니다. 기하 파라미터를 가진 CdO 기반 메타표면 개략도는 그림 8a에 있습니다. MgO와 CdO 굴절률은 문헌[1, 66]에서 얻었습니다. 그림 8b에 따르면 1568 nm 부근에서 펌프 유무에 따른 반사 스펙트럼을 보입니다. 정적 'on' 상태에서 제안된 메타표면은 1568 nm에서 TE 편광을 반사하고 TM 편광을 완전 흡수하는 편광기입니다. 정적 'off' 상태에서는 1568 nm에서 TM과 TE 편광 모두 반사되며, 외부 자극으로 인듐 도핑 CdO 굴절률이 변해 TM 편광 공진이 1581 nm로 이동합니다. 특히 이 반사 편광기는 그림 8b의 극히 낮은 R_min 덕분에 1568 nm에서 TM 편광에 대한 엄청난 소멸비를 달성합니다. CdO 기반 메타표면의 엄청난 소멸비는 능동 편광 제어의 좋은 플랫폼이 됩니다. CdO 굴절률은 펌프 파워 변화로 튜닝 가능하므로 EIT 유사 효과의 동작 파장도 능동 제어할 수 있습니다. 또한 펌프 광이 금, MgO 등 다른 물질에는 영향을 주지 않음이 문헌[1, 36, 56, 57] 실험으로 입증되었습니다.

위 분석에서 굴절률 민감도를 고려할 때 제안된 메타표면은 주변 환경 굴절률 변화 검출에도 적용 가능합니다. 기존 굴절률 센싱 연구에서는 특정 동작 파장에서 주변 굴절률이 변할 때 반사/투과파 광강도를 측정합니다. 이 메타표면의 센싱 특성을 보이기 위해 그림 9는 주변 굴절률 증가에 따라 이중 플라즈모닉 공진이 적색편이함을 보여줍니다. 주변 굴절률 변화에 따라 감도(S)는 1500 nm/RIU에 달합니다. ω_1과 ω_2에서 반사 딥 FWHM은 각각 7 nm와 7.5 nm로, 이 메타표면이 근적외선 영역에서 초고 FOM(S/FWHM_1 = 214.29) 굴절률 센서로 작동할 수 있음을 나타냅니다. FOM = 214.29는 기존 플라즈모닉 굴절률 센서[58, 67-70]보다 훨씬 높습니다.

결론

본 연구에서는 1550 nm 부근에서 EIT 유사 현상을 생성하는 새로운 광학 튜닝 가능 혼성화 메타표면을 제안하고 활용했습니다. 이 메타표면은 금 나노막대 간 면내 근접장 결합과 금 나노막대와 기판 간 면외 근접장을 혼성화합니다. 기존 EIT 유사 메타물질 설계에서는 평면 또는 수직 배열의 서로 다른 형상 공진기가 밝은 모드와 어두운 모드로 작동해 밝은-어두운 모드 결합으로 EIT 효과를 유도합니다. 하지만 이 구조에서는 거의 같은 형상의 두 공진기가 다른 위치에 있어 두 개의 개별 밝은 모드가 생기며, 이는 평면 구조도 수직 구조도 아닙니다. 혼성화 시스템의 두 기본 플라즈모닉 모드도 상세히 조사했습니다. 인듐 도핑 CdO 도입으로 EIT 유사 현상의 동작 파장을 광학적으로 튜닝할 수 있습니다. 동시에 이 메타표면은 1550 nm에서 TM 편광에 대한 펨토초 편광 스위치로 최초 시연되었으며, 기존 편광 스위치보다 훨씬 높은 소멸비(R_TE/R_TM)를 실현했습니다. 또한 플라즈모닉 나노안테나로 작동할 때 강한 국소 전기장 증폭(|E_loc|/|E_0| > 100)과 근완전 흡수(>99%)를 동시에 달성했습니다. 이러한 장점들로 이 제안된 메타표면은 펨토초 편광 스위칭, 플라즈모닉 나노안테나, 고 FOM 굴절률 센서로 유망한 후보입니다.

약어

EIT:

전자기 유도 투명도

FDTD:

유한차분시간영역법

FE:

전계 증폭

FEM:

유한요소법

FOM:

성능 지표

FWHM:

반치전폭

PML:

완벽 매칭 층

SEIRA:

표면증강 적외선 흡수

SERS:

표면증강 라만 산란