초록 그래핀이 탑재된 메타물질 흡수체는 중적외선 영역에서 조사됩니다. 빛-그래핀 상호작용은 십자형 슬롯을 통한 결합 공진 덕분에 크게 향상됩니다. 흡수 피크는 페르미 준위가 증가함에 따라 상당한 청색 편이를 보여 흡수 장치에 대한 광범위한 조정 가능성을 가능하게 합니다. 간단한 회로 모델은 이러한 변조 동작을 잘 설명하고 예측합니다. 우리의 제안은 스위칭, 감지, 변조 및 생화학적 감지와 같은 다양한 영역에서 응용 프로그램을 찾을 수 있습니다. 배경 플라즈몬 메타물질(PM) 흡수체는 깊은 파장 이하 규모에서 금속 나노구조와

초록 이 논문에서는 PSRR(Power Supply Rejection Ratio)이 높은 나노와트 저항이 없는 하위 임계값 기준 전압을 제시합니다. 임계 전압 특성을 포함하는 양의 온도 계수(TC) 전류인 전체 전압 기준에 대한 바이어스 전류를 제공하기 위해 자체 바이어스 MOS 전압 분배기가 제안됩니다. 생성된 전류를 다른 문턱 전압을 갖는 트랜지스터에 주입함으로써 음의 TC가 크게 감소된 델타 문턱 전압을 구현함과 동시에 생성된 양의 TC 항목에 의해 온도 보상된다. 따라서 제안된 압축 방법에서 낮은 전력 소비와 높은 PSRR

초록 이 논문에서 우리는 가시 영역에서 분극 분할의 기능을 실현하기 위해 용융 실리카 기판 위에 놓인 서로 다른 크기의 십자형 실리콘 나노 블록의 주기적 배열로 구성된 전체 유전 구배 메타 표면을 제시합니다. 십자형 실리콘 블록 어레이는 x를 따라 두 개의 반대 전송 위상 기울기를 유도할 수 있습니다. -선형 x의 방향 -편극 및 y - 양극화. 적절하게 설계함으로써 메타표면은 선형 편광을 x로 분리할 수 있습니다. - 그리고 y - x에서 수직 입사각의 왼쪽과 오른쪽을 따라 같은 각도로 전파되는 편광 -z 비행기. 특히, 편광각

초록 배경 알츠하이머병은 세계 인구 중 알츠하이머병의 높은 발병률과 국가에 위생 및 사회적 측면에서 부담하는 비용을 고려할 때 질병의 조기 바이오마커를 검출할 수 있는 비침습적 진단 검사의 개발이 필요합니다. 조기 진단 방법 중 자기공명영상용 조영제의 개발이 특히 유용하다. 축적된 증거는 노인성 플라크를 둘러싼 콜레스테롤의 비정상적인 침착이 알츠하이머병 환자와 동물 형질전환 모델에서 기술되었기 때문에 콜레스테롤이 알츠하이머병의 발병기전에 역할을 할 수 있음을 시사합니다. 생체 내 실험은 또한 식이 유도성 고콜레스테롤혈증이 소교세

초록 변조된 연속파(CW) 레이저는 광열 효과를 일으켜 조사된 나노구조 주위에 빠른 광 흡수 및 열파 생성을 유발합니다. 이 연구에서 우리는 나노유체의 열확산성을 향상시키기 위해 입자 조각화 과정에 변조된 CW 레이저 조사의 영향을 조사했습니다. Al2의 덩어리 크기를 줄이기 위해 쉽고 비용 효율적인 다이오드 레이저를 적용했습니다. O3 탈이온수에 있는 나노 입자. 레이저 빔의 변조 주파수와 나노유체의 광학적, 열적 특성에 의해 결정되는 열파 발생에 대해서도 간략히 논의하고 요약한다. 레이저 조사 시간이 나노 입자 크기와 크기 분

초록 초저 특정 온저항(R on,sp ) 강화된 이중 게이트 및 부분 P 매장층이 있는 측면 이중 확산 금속 산화물 반도체 트랜지스터(LDMOS)가 이 논문에서 제안되고 조사되었습니다. 제안된 LDMOS에 대한 온-저항 분석 모델은 드리프트 영역 저항과 채널 영역 저항 사이의 관계에 대한 심층적인 통찰력을 제공하도록 구축되었습니다. N-매립층은 P-웰 아래에 도입되어 저저항 전도 경로를 제공하고 채널 영역의 저항을 크게 줄입니다. 향상된 이중 게이트 구조는 N-매립층에 의해 형성되는 동시에 오프 상태에서 수직 펀치-스루 파괴를 방

초록 이 연구는 Si-나노와이어 어레이의 상단에 있는 서브파장 Au 격자와 와이어 옆에 동일한 격자에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공진기를 가진 전체 Si 광검출기를 개발했습니다. 쇼트키 장벽이 있는 Au/Si 인터페이스는 캐비티의 표면 플라즈몬에 의해 생성된 뜨거운 전자의 내부 방출을 기반으로 근적외선 파장의 광전자 검출을 허용합니다. 한편, Si 나노와이어 어레이의 Au 하위 파장 격자는 편광 검출을 위한 편광판 역할을 합니다. 유한 차분 시간 영역 방법은 새로운 장치의 설계에 적용되었으며 전자빔 리소그래피를 기반으로 하는 최신

초록 수직 GaN 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)는 Ge가 도핑된 독립형 GaN 기판에 제작되었습니다. SBD의 결정 품질은 음극 발광 측정에 의해 특성화되었으며 전위 밀도는 ~ 1.3 × 106인 것으로 결정되었습니다. cm− 2 . 전기적 성능 측정을 수행한 SBD는 낮은 턴온 전압 V을 나타냅니다. 켜기 (0.70~0.78 V) 및 고전류 I 켜기 /나 꺼짐 비율(9.9 × 107 ~1.3 × 1010 ). 역회복 특성을 조사하였다. 역 회복 시간은 100-, 200-, 300-, 400-, 500-μm 직경의 SBD에 대해

초록 이 작업에서 복합 In0.15으로 덮인 InAs 양자점(QD)의 광학적 특성을 조사합니다. Al0.85 As/GaAs0.85 Sb0.15 77 K에서 고해상도 X선 회절(HRXRD) 및 광발광(PL) 분광법을 통한 변형 감소층(SRL) Thin In0.15 Al0.85 두께가 t인 레이어로 =20 Å, 40 Å 및 60 Å은 QD와 60Å 두께의 GaAs0.85 사이에 삽입되었습니다. Sb0.15 층. GaAs에 대해 관찰된 유형 II 방출0.85 Sb0.15 -capped InAs QD는 In0.15 삽입으로 억제되었습니다

초록 이 논문에서는 소스와 드레인 접점 사이의 극도의 통합 거리를 위한 새로운 고성능 직사각형 게이트 U 채널 FET(RGUC FET)를 제안합니다. RGUC FET는 소스/드레인(S/D) 접점 사이의 거리가 2 nm로 줄어들 때까지 거의 이상적인 하위 임계값 특성을 나타냅니다. 다른 리세스형 또는 U자형 채널 기반 FET와 달리 게이트 콘택은 리세스된 영역에 형성될 필요가 없고 U 채널의 양쪽에 있는 두 수직 부분 사이의 절연을 위한 스페이서 층에만 형성될 필요가 있습니다. 그것의 구조적 장점은 소스와 드레인 접점 사이의 극도의

초록 기하학적 위상은 광범위한 과학 및 기술에 잠재적으로 적용할 수 있는 진동의 파동 함수의 추가 위상 진화입니다. 탄소나노튜브 기반 나노와이어 공진기의 압착 상태에서 기하학적 위상의 특성은 불변 연산자 방법을 통해 조사되었습니다. 복잡한 시간 종속 해밀턴 시스템을 처리하는 데 유용한 선형 불변 연산자의 도입으로 기하학적 위상의 분석 공식을 도출할 수 있었습니다. 이를 활용하여 관련 일러스트레이션을 기반으로 기하학적 위상의 시간 거동을 분석했습니다. 기하학적 위상의 진화에 대한 압착 매개변수의 영향이 조사되었습니다. 일반적으로 기

초록 이 작업에서 우리는 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅된 용융 실리카 기판에서 GaN 나노와이어의 직접 성장을 시연했습니다. 나노와이어는 플라즈마 보조 분자빔 에피택시(PA-MBE)를 사용하여 촉매 없이 성장되었습니다. 나노와이어의 형태와 품질에 대한 성장 조건의 영향을 체계적으로 조사하였다. 구조적 특성은 나노와이어가 기판 평면에 수직인 ITO 층 바로 위에서 (0001) 방향으로 성장함을 나타냅니다. 나노와이어의 광학적 특성은 낮은 수의 결함으로 인해 나노와이어의 광발광 반응에 노란색 발광이 없다는 것을 보여줍니다. n-도핑

초록 천공된 금속막과 유전체로 분리된 접지 금속면으로 구성된 Fabry-Perot(FP)와 유사한 시스템에서 VP(void plasmon) 효과를 사용하여 광각 및 고효율 흡수체를 제안하고 조사합니다. 스페이서. 하이브리드 FP/VP 공진 모드는 높은 흡수 효율에 기여합니다. 증가된 흡수 외에도 핫스팟(~ 2284배)에서 크게 향상된 국소 전기장 강도를 얻을 수 있습니다. 또한, 천공된 금속층의 두께와 환경굴절률을 변화시켜 공명 피크의 위치를 ​​쉽게 제어할 수 있다. 제안된 흡수체는 이론상 최대 성능지수(FOM)가 3.16을 달

초록 헤민은 강력한 철분 보충제입니다. 헤민의 적용 가능성의 주요 제한 사항은 매우 낮은 수용해도와 생체 이용률입니다. 이 연구의 목적은 용해도가 향상된 헤민 나노 입자를 제조하는 것입니다. 전달 전자 현미경 이미지는 초기 농도가 다른 헤민 나노 입자를 보여줍니다. hemin의 (0.1 및 0.5 mg/mL)는 각각 올챙이 모양(약 200 nm의 머리와 100 nm의 꼬리)과 구 모양(50–100 nm)이었습니다. 더욱이, 헤민 나노입자는 유리 헤민보다 더 높은 용해도를 나타내었다. 구형 나노입자의 용해도는 25 °C에서 순수한

초록 광 흡수체는 생물 의학 감지, 태양 전지, 광자 감지 및 표면 강화 라만 분광법에서 광범위한 응용 분야로 인해 상당한 관심을 받았습니다. 그러나 대부분의 광흡수체는 고가의 정교한 나노가공 기술로 제작되어 실제 적용에 한계가 있습니다. 여기서는 간단한 증착 기술을 사용하여 광 흡수체를 제조하는 비용 효율적인 방법을 소개합니다. 흡수체는 산화 규소 층으로 분리된 은(Ag) 거울 위의 증발된 나노 입자로 구성됩니다. 실험 결과는 상단에 분리된 Ag 나노 입자가 있는 흡수체에 대해 470 ~ 1000 nm의 파장 범위에서 77% 이

초록 오늘날 새로운 방법으로 높은 감도와 선택성을 가진 철 이온을 측정하는 것은 건강한 신체와 환경을 모니터링하는 데 시급한 문제가 되었습니다. 이 논문에서는 처음으로 고성능 TiO2 세트를 제시합니다. 철 이온에 매우 민감한 나노튜브 어레이. 첫째, 양극 산화 방법을 채택하여 정렬된 TiO2를 준비했습니다. 나노튜브 어레이, 철 이온 감지의 향상 능력과 함께 기능화된 Ag 나노입자 증착이 뒤따랐다. 게다가 TiO2의 스펙트럼은 Ag 나노입자가 있거나 없는 나노튜브를 X선 광전자 분광계로 분석한 결과, Ag 나노입자가 전자와 정공

초록 중공 및 이종 구조 구조는 광촉매 성능을 향상시키는 효과적인 접근 방식으로 인식됩니다. 이 작품에서 삼원 TiO2 중공 구조의 /CdTe/BiOI는 단계별 방법을 통해 구성되었습니다. 또한 TiO2의 효과 TiO2를 사용한 BiOI 및 CdTe 양자점(CdTe QD)의 구조적 조절 및 에너지 밴드 정렬 TiO2에서 광촉매 염료 제거에 대한 /CdTe/BiOI도 연구되었습니다. 결과는 TiO2 속이 빈 기질을 가진 /CdTe/BiOI 헤테로구조는 순수한 TiO2보다 훨씬 더 높은 광촉매 활성을 나타냅니다. , P25, TiO2

초록 무어의 법칙이 물리적 한계에 가까워지면서 전통적인 폰 노이만 아키텍처는 도전에 직면해 있습니다. 컴퓨팅 인메모리 아키텍처 기반 RRAM(Resistive Random Access Memory)은 기존 컴퓨터의 von Neumann 병목 현상 문제를 극복할 수 있는 잠재적인 후보가 될 것으로 예상됩니다[Backus, J, Can programming be liberated from von Neumann style?, 1977]. 본 연구에서는 CMOS 기술과 호환되는 HfAlOx 기반 RRAM을 ALD(Atomic Layer

초록 이 연구의 목적은 Pd1의 촉매 활성을 합성, 특성화 및 관찰하는 것이었습니다. 금1 화학적 환원법을 통해 제조된 기상성장 탄소나노섬유(VGCNF) 양극 촉매에 의해 지지된다. 단일상 화합물의 형성은 X선 회절(XRD) 및 Rietveld 리파인먼트 분석에 의해 확인되었으며, 이는 입방정 구조의 (111) 평면에 상응하는 단일 피크를 나타냈다. 추가 분석은 전계 방출 주사 방출 현미경(FESEM), 에너지 분산 X선 분석(EDX), 질소 흡착/탈착 측정 및 X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 수행되었습니다. 전기화학적 성능은

초록 RF, DRAM 및 아날로그/혼성 신호 집적 회로 분야에 적용되는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터의 경우 장치 기능 크기의 축소와 함께 높은 정전 용량 밀도가 필수적입니다. 이 연구에서는 Al2의 유전 특성을 향상시키기 위해 마이크로파 어닐링 기술을 조사했습니다. O3 /ZrO2 /알2 O3 기반 MIM 커패시터. 결과는 ZrO2의 유전율이 5 분 동안 1400 W에서 마이크로웨이브 어닐링으로 41.9(~ 40% 향상됨)로 증가합니다. 기판 온도는 400 °C보다 낮으며, 이는 라인 공정의 백 엔드와