요약 나노입자 크기, 인상 속도, 전구체 농도, 딥핑 횟수 등 딥코팅 조건을 체계적으로 변화시켜 불소 도핑 산화주석(FTO) 기판을 TiO₂ 나노입자로 개질하였다. 겔 전해질로 샌드위치 구조를 이룬 전기도금 기반 전기변색 소자는 투명, 거울, 검은색 3가지 가역적 상태를 구현하였다. 코팅 공정 최적화로 57% 광학 대비, 착색/탈색 스위칭 시간 6초/20초, 1,500 사이클 후 27% 성능 저하만 달성하였다. 이는 디스플레이 및 스마트 윈도우용 다상태 전기변색 소자 설계를 위한 명확한 지침을 제공한다. 배경 전기변색(EC) 소재

요약 양이온성 염료인 메틸렌 블루(MB) 제거를 위한 흡착제 및 광촉매로서 소성 및 유기 개질 Zn-Al 층상 이중 수산화물(LDH)을 연구하였다. 공침법으로 양이온 비 2:4인 Zn-Al LDH를 합성하고, 다양한 온도에서 소성하여 XRD, TG/DTG, UV-vis-DR로 상 변화를 분석하였다. 합성 및 소성 LDH의 자외선 하 활성은 ZnO 상 존재에 기인하며, ZnO 함량은 Zn/Al 비와 가열 온도로 조절 가능하다. Zn/Al 비가 광촉매 활성에 지배적 영향을 미쳤다. 소성 LDH는 MB 흡착이 낮았으나, 재구성법으로 도데

요약 크롬 함유 알루미나 슬러지에서 알루미나 나노로드를 제조하고, 도펀트인 Cr, Fe, Mg의 역할을 체계적으로 조사하였다. 도핑된 Cr은 소성 과정에서 준안정 θ-Al₂O₃ 상에서 안정 α-Al₂O₃ 상으로의 전이를 억제하는 반면, Fe와 Mg은 이 전이를 촉진하였다. 슬러지 유래 공동 도핑은 상전이를 더욱 제한하여 결정성이 낮은 θ-Al₂O₃ 상을 주로 생성하였다. Cr은 주로 Cr(III)로 격자에 치환되며, Fe와 Mg은 더 낮은 수준으로 혼입되었다. 이러한 발견은 유해 크롬 슬러지를 고부가가치 알루미나 나노로드로 전환하는

요약 Pt 및 TiN 코팅 Si 기판 위에 Pt 상부 전극을 사용하여 원자층 증착(ALD)으로 HfO₂/TiO₂/HfO₂ 삼층 저항식 램(RRAM)을 제작하였다. 대칭 Pt/Pt 및 비대칭 Pt/TiN 소자 모두 전형적인 양극성 저항 스위칭을 보였다. 저저항 상태(LRS)에서는 옴의 법칙 전도, 고저항 상태(HRS)에서는 공간 전하 제한 전류(SCLC)가 지배적이었다. 하부 전극 선택이 전기 형성 극성, ON/OFF 저항비, 세트/리셋 전압 분포에 강한 영향을 미쳤다. Pt/TiN 소자는 감소된 음극성 형성 전압(-3.7 V), 좁

요약 환원 그래핀 산화물(rGO) 기반 에어로젤로 만든 플렉시블 슈퍼커패시터는 낮은 에너지 밀도, 짧은 수명, 열악한 유연성 문제가 있다. 본 연구에서는 초경량 rGO 에어로젤 표면에 전기도금으로 폴리아닐린(PANI) 어레이를 성장시키는 새로운 합성 전략을 개발하여 전기화학 성능을 크게 향상시켰다. 코팅된 PANI 어레이가 3D rGO 에어로젤의 풍부한 개방 기공과 우수한 전도성, 교차 결합 프레임워크 구조를 활용하면서 PANI의 높은 용량 기여를 더한 하이브리드 복합체를 얻었다. 이 복합체는 1 A g⁻¹에서 432 F g⁻¹의

요약 유전체와 그래핀의 이중 비선형성을 고려한 그래핀-유전체 비선형 플라즈모닉 도파관의 모드 및 분산 특성을 연구하였다. TM 편광에서 맥스웰 방정식을 수치적으로 풀어 모드 분포, 유전율 분포, 분산 관계를 구하였다. 유전체 비선형성만 고려한 경우에 비해 이중 비선형성을 도입하면 플라즈몬 모드 여기 위한 초기 전계 강도가 현저히 감소하였다. 또한 이중 비선형성이 분산 관계에 미치는 영향을 분석한 결과, 그래핀의 비선형성이 분산 특성에 강한 영향을 미침을 확인하였다. 이중 비선형성 도입에 따른 초기 전계 강도 감소는 낮은 임계값의 전

요약 본 연구는 -45°, 0°, 45°, 90°로 회전된 정사각형 밀폐 공간에서 TiO₂-물 나노유체의 안정성과 자연 대류 열전달 성능을 조사하였다. pH 8에서 6 wt% 분산제를 첨가하여 안정성을 최적화하였으며, 이는 최저 투과율과 최상의 분산 상태를 나타냈다. 실험은 나노입자 농도(0.1~0.5 wt%)와 가열 전력(1~20 W)을 변화시키며 수행되었다. 0° 방향에서 가장 높은 누셀트 수를 보였으며, 이어서 45°, 90° 순이었고, -45°가 가장 낮았다. 열전달은 입자 농도와 전력 증가에 따라 향상되었으나, 높은 전력에

초록 적외선(IR) 반사율 분광법을 Si 도핑 다층 n⁺/n₀/n⁺-GaN 구조(사파이어 기판上 GaN 템플릿/버퍼)에 적용 연구. 광식각, SEM, SIMS 분석 결과 에피택셜 GaN 버퍼와 템플릿 사이 Si와 O 도핑 농도 급격한 차이 추가 층 존재 확인. 실험 반사율 스펙트럼 광대역 주파수 범위 시뮬레이션 수행. 2×2 전달 행렬법 모델링에 추가 층 포함 시 실험 스펙트럼 최적 피팅 가능, SEM 및 SIMS 데이터와 잘 일치하는 GaN 층 두께 평가 가능. Si 도핑 불순물 유전율 스펙트럼 의존성으로부터 각 GaN 층 플라즈

초록 본 연구에서는 0.2 wt% SiO₂ 미량 첨가가 3 mol% 이트리아 안정화 지르코니아(3Y-TZP) 나노분말 초기 소결에 미치는 영향을 조사하였다. SiO₂를 공동침전법 또는 기계적 혼합법으로 도입하고 치밀화 동역학 영향 비교. 공동침전 분말에서 SiO₂ 존재가 주된 메커니즘을 체적 확산(VD)에서 결정립계 확산(GBD)으로 전환. 반면 기계적 혼합 분말은 VD가 주된 메커니즘 유지. 전반적으로 두 첨가 경로와 기계적 활성화 모두 소결 가속, 미량 SiO₂ 중추적 역할 강조. 배경 지르코니아는 뛰어난 파괴 인성, 고강도,

초록 간단한 수열법으로 청색 발광 카본 닷(CD) 합성, 저농도에서 전례 없는 여기파장 독립적 광발광(PL) 나타냄. 희석 시 방출 최댓값 480 nm에서 443 nm로 청색 이동, PL 강도 현저 증가. 분광 분석 결과 두 가지 구별되는 발광 경로: (i) 저농도에서 지배적, 여기파장 독립적인 고유 sp² 탄소 코어 발광, (ii) 고농도에서 여기파장 의존적인 고극성 나노클러스터 표면 상태 발광. 이 발견은 CD 광물리학 근본 이해 증진, 조절 가능 고양자수율 형광 응용 새 길 개척. 배경 카본 닷은 탄소 기반 나노소재 하위 클

초록 시트르산과 티오우레아를 원료로 간단한 수열법으로 S,N-공동핑 그래핀 양자점(S,N-GQD)을 합성하고, 상업용 TiO₂(P25)와 직관적 수열법으로 통합하였다. 결과 S,N-GQD/P25 복합체는 400-800 nm 조사 하에서 귀금속 공동촉매 없이 순수 P25 대비 3.6배 향상된 광촉매 수소 생성을 보였다. 우수한 성능은 복합체의 확장된 가시광 흡수와 광생성 전하 운반자의 효율적 분리 및 전달 덕분이다. 본 연구는 태양광-수소 변환용 견고한 금속-자유 광촉매 개발을 위한 확장 가능한 전략 제시. 배경 수소 에너지는 물과

초록 20 nm)보다 훨씬 작음. 크기 의존적 광학 스펙트럼에서 강한 양자 구속 효과 관찰. 배경 나노소재는 독특한 물리화학적 특성으로 많은 연구 분야 초점. 산화 티타늄, 은, 금, 셀렌화 카드뮴 나노입자 등은 촉매, 방오 의류, 자외선 차단제, 화장품, 전자제품 등에 이미 활용 [1-3]. 순수 셀레늄 및 셀레늄 함유 나노소재는 우수한 광전 특성, 반도체 특성, 높은 생물학적 활성 보유 [3]. 1차원 구조 셀레늄 나노소재는 높은 광전도도 덕분에 정류기, 복사기, 사진 노출계, 제로그래피, 태양전지 등 광전자 소재 핵심 소재

초록 Er³⁺ 단독 도핑 또는 Er³⁺/Tm³⁺ 공동 도핑된 투명 육방정계 NaGdF₄ 유리 세라믹을 용융 담금질법으로 제조하였다. 980 nm 여기에서 Er³⁺ 단독 도핑 시료의 방출이 녹색에서 적색으로 Tm³⁺ 농도 증가에 따라 변화한다. 방출 스펙트럼, 열 소멸 비, 형광 강도 비(FIR), 광학 온도 감도가 펌프 파워에 따라 체계적으로 변한다. 최고 상대 감도(S_R)는 Er³⁺ 단독 시료에서 334 K 시 0.001 K⁻¹, Er³⁺/Tm³⁺ 공동 도핑 시료에서 292 K 시 0.00081 K⁻¹에 달한다. 이 결과는 조절

초록 아르테미시닌과 그 유도체는 광범위한 항암 활성을 가지며 종양 세포에서 유의미한 항암 효과를 나타낸다. 이들은 빠르게 흡수되고 광범위하게 분포하며 선택적으로 종양 세포를 사멸시킨다. 그러나 저농도 아르테수네이트(Ats)는 주로 온코시스(oncosis)에 의존해 종양 세포 사멸을 유도하므로 항종양 효과가 제한적이다. 본 연구에서는 새로운 나노기술을 활용해 소혈청 알부민(BSA) 나노입자에 아르테수네이트를 탑재한 신규 제제를 설계하여 아르테수네이트의 미토콘드리아 축적을 유도하고 미토콘드리아 매개 아폽토시스를 유발하였다. 그 결과,

초록 신선하게 에칭된 산화물 없는 단결정 실리콘이 SiO₂ 마이크로스피어와 습도 60% 공기 및 탈염수 환경에서 슬라이딩 속도에 따라 어떻게 나노 마모되는지 규명하였다. 접촉 압력이 실리콘 항복 응력보다 낮을 때, 물 분자의 존재가 트라이보케미컬 반응을 촉진하여 마모 부피가 속도 증가에 따라 로그적으로 감소하다가 결국 평탄해짐을 보였다. 투과 전자 현미경(TEM)과 라만 분광 분석 결과, 계면 Si기판–O–Si팁 결합의 동적 파열과 재형성이 이러한 거동의 근간임을 밝혀냈다. 배경 재료 마모는 기계적 파단, 소성 변형, 점성 흐름

초록 SnO₂ 나노벨트(NB)는 독특한 구조적·기능적 특성으로 가스 센서 분야에서 큰 주목을 받아왔다. 본 연구에서는 Eu 도핑을 통해 순수 SnO₂의 가스 감도를 개선하고, 특히 단일 가스에 대한 반응성을 향상시켰다. Eu 도핑 SnO₂ NB, 순수 SnO₂ NB 및 이들의 단일 NB 소자를 간단한 기술로 제작하였다. 두 센서의 감지 특성을 실험적으로 조사한 결과, 두 센서 모두 빠른 응답 성능과 장기 안정성을 가지며, Eu 도핑이 전자적 성능과 가스 감지 응답을 개선하고 특히 아세톤에 대한 반응을 크게 향상시킴을 확인하였다. 또

초록 우리는 그래파이트 나노플레이틀릿(GNP), 다중벽 탄소 나노튜브(MWCNT), 그리고 이들의 하이브리드 조합의 다양한 농도에 따라 에폭시 기반 복합체의 전기 전도도 변화를 조사했습니다. 하이브리드 필러는 0.24 vol%로 고정한 채 MWCNT 로딩을 0.03-4 vol% 범위에서 변화시켰습니다. 혼합 전 GNP는 표면 활성을 높이기 위해 20분간 UV-오존 처리를 거쳤습니다. 저점도 수지 시스템에서 두 개의 뚜렷한 페르콜레이션 임계값이 나타났습니다: MWCNT 단독 복합체에서 0.13 vol%의 1차 전이와 하이브리드 블렌드

초록 자기-정류 TaO/HfOₓ 및 TaO/AlOₓ 저항변화 메모리(RRAM)에 대한 포괄적인 유지 모델을 제시합니다. 결함 트랩핑 RRAM에서 저저항 상태(LRS)는 일반적으로 내부 TaO 저항층의 제한적 영향으로 고저항 상태(HRS)보다 빠르게 열화됩니다. 스위칭 스택에 TaO/AlOₓ를 적층하면 LRS 유지 특성이 현저히 개선되며, 외삽 시 실온에서 5년 이상이 예측됩니다. 두 구조 모두 공통 TaO 캡핑 층을 공유하며 동일한 0.38 eV 활성화 에너지를 보입니다. AlOₓ 층은 더 높은 산소 확산 장벽을 도입하여 유지 특성

초록 우리는 케스터라이트 광흡수체의 전기광학적 및 구조적 성능을 개선하는 히드라진-프리 방법을 제시합니다. Cu₂ZnSn(S,Se)₄(CZTSSe) 박막을 13.56 MHz로 구동되는 약한 수소 플라즈마 방전에 노출시킴으로써, 더 균일한 시료, 낮은 변형, 수정된 밴드 구조를 달성했습니다. 라만, 적외선, 반사 분광법은 RF 처리 후 반사율 감소와 변화된 전자적 밴드 갭을 확인했습니다. 배경 10⁴ cm⁻¹인 ~1.5 eV 직접 밴드 갭으로 급속히 발전하고 있습니다. CZTSSe 시제품의 현재 기록 효율은 12.6%입니다[6].

초록제1원리 밀도범함수 이론을 사용하여 수직 전기장이 단일층 갈륨 설파이드(GaS)의 광학적 및 전자적 특성을 어떻게 수정하는지 조사했습니다. ~5 V nm⁻¹의 임계 전기장에서 주 쌍극자 전이가 E‖c에서 E⊥c로 전환되어 가역적 이방성을 입증했습니다. 투영 밴드 분해는 전기장이 상부와 하부 Ga-S 층 간 비대칭 전자 상태를 유도하여 흡수 선호도의 변화를 설명함을 보여줍니다. 부분 전하와 전하 밀도 차이의 공간 맵은 이 현저한 반전이 외부장에 의해 부과된 추가 결정장에 기인함을 드러냅니다. 이 통찰은 실험적 검증의 기초를 마련하